В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу:

В схеме выпрямителя стабилитрон выполняет задачу:

A) Опорного диода E) Лавинного диода

Варианты изменения коэффициента усиления усилителя, если закоротить резистор R,: коэффициент усиления станет равным нулю Кр=0 Ки=0

Величина входного сопротивления полевого транзистора равна: С) несколько МОм D)высокое, намного больше входного сопротивления биполярного транзистора F) большое, так как в структуре имеется слой диэлектрика

Включение тиристора произойдет:

B)если увеличить ЭДС источника питания до значения, большего

Влияние роста температуры на ВАХ полупроводникового диода :

В) с увеличением температуры обратный ток растет, а прямой уменьшается С) с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях

Возможные виды направленного движения носителей заряда в полупроводниках:

Движение носителей заряда за счет разности концентрации Движение носителей заряда за счет напряженности электрического поля Диффузионное и дрейфовое

Волоконный световод-это:

С) стеклянная нить малого диаметраD) тонкая нить из оптически прозрачного стеклаЕ) стекловолокно-толщиной несколько микрон

Вольт-амперная характеристика тиристора и симистора выглядит следующим образом: правильный ответ!!! правильный ответ!!!

Встречно-параллельные диоды VD1 и VD2 включены для

стабилизация амплитуды выходного сигналаЕ) увеличения амплитуды сигнала отрицательной обратной связиF) уменьшения коэффициента усиления сигнала

Входной измерительной сигнал характеризуется параметрами, которые можно подразделить:А) на не информативные

Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя:

С) Е) F)

Схема, изображенная на рисунке:

Д) трехэлектродный полупроводниковый приборF) транзисторное устройство
Коэффициент усиления по напряжению инвертирующего усилителя:С) Е) F)
Схема, изображенная на рисунке:

Д)активныйрежекторный фильтр Е)не полосовой фильтрF) фильтр пробка

Главное отличие коллектора от эмиттера:

на нем рассеивается самая большая мощность в области коллектора происходит экстракция носителей из базы большая площадь р — п-перехода

Двоичная цифра – это:

А)двоичное число

Действие излучающего диода основано:

В) на прицеле – лазера и усилия светаD) на явлении инжекционной электролюминисенции

Диод, используемый в качестве емкости:

В) вариконд С) варикап

Диод, используемый в качестве емкости:

имеет малые потери в рабочем диапазоне частот и используется в качестве нелинейно управляемого диода

Диод, используемый для выпрямления переменного тока:

преобразователь выпрямительный устройство с односторонней проводимостью

Диффузионная длина электронов в p-области диода связана со временем жизни носителей соотношением:

G)от связи двух параметров: коэффициента диффузии и времени жизни носителей заряда
Пороговое напряжение это:

напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока напряжение, при котором концентрация электронов около поверхности Si-Si02 будет в 2 раза больше концентрации дырок в подложке

Диффузионной длиной называется:

Расстояние, на котором концентрация носителей заряда при диффузионном движении, убывает в е раз L = D.t

Диффузионный ток в полупроводнике-это:

E) движение носителей заряда из-за разности концентртаций в примесном полупроводникеF) движение носителей заряда за счет разности концентраций

Длинной канала называют:

B)расстояние включающее длину истоковой и стоковой области и промежуточное расстояние между ними C)расстояние между истоковой и стоковой областями n-типа или р-типа E)расстояние канала в подложечной части управляемой затвором

Название коэффициента логического элемента, определяющий число входов, которое может иметь элемент:

B) «m» по входу E) коэффициент объединения

Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операций и операций управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии:

A) микропроцессорное устройство

Процесс, когда напряжение на затворе становится положительным:

электроны начинают отталкиваться от поверхности раздела Si-Si02 затвор управляется положительным напряжением п-канального транзистора

Резкое изменение режима работы диода: туннельным пробоем

Свет распространяется по сетоводу:

Е) используя излучательную рекомбинацию в p-n переходеF) по вращательной траектории вдоль волокнаG) по зигзагообразной траектории

Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующим образом: A) усиления сигнала на входе нет

D) не усиливается E) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливается

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является:

D) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является:

Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах
Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это :

А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
В схеме встречно-параллельные диоды VD1 и VD2включены для:

А)стабилизации амплитуды выходного сигналаЕ) уменьшения коэффициента усиления сигнала

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя оУ является:

А) напряжение, присутсвующиходновременнона обоих входах

Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это :

А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
Скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости объясняется:

А) за счет внутреннего электрического поляС) наличием двойного электрического слоя по обе стороны p-n перехода

Спад амплитудно-частотной харктеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется:

В) наличием элемента для барьерного заряда и разрядаЕ) наличием коллекторной нагрузки

Существенные отличия тиристоров от транзисторов и в электрических устройствах:

открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов

Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление:

D) схема эмиттерногповторителяЕ) схема с минимальным выходным сопротивлением

Эмиттер-это?

F) Область транзисторов, назначением которой является инжекция в базу основных носителей