Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Защита стабилизатора по току



В случае уменьшения сопротивления нагрузки увеличивается ток вплоть до короткого замыкания. В этом случае силовой транзистор VT1 может сгореть. В таких ситуациях необходима защита стабилизатора по току.

IH
IК3
+ –
IБ1
IH
VD2
RH
VT1
VD1
RТ
VT3
Рис. 22 - Схема защиты стабили-затора по току
Включим в токовую цепь нагрузки специальное сопротивление RT, выполняющего роль преобразователя тока в напряжение. При протекании по сопротивлению тока выделяется напряжение с полярностью, указанной на рисунке 22. Это напряжение воздействует на вход транзистора VT3. При заданном токе транзистор открывается и берет на себя часть тока базы транзистора VT1. Последний закрывается и ограничивает ток коллектора. При максимальном токе нагрузки транзистор VT3 закрыт и не оказывает влияния на работу стабилизатора.

1. Выбор токового резистора.

Примем, что защита должна включиться, если ток превышает двойной максимальный ток нагрузки. Примем транзистор VT3 германиевый n-p-n типа. Напряжение открывания у такого транзистора составляет 0, 3 В. (2 IНmax = 0, 12 A). Вычисляем величину сопротивления RT.

RT = 0, 3 В/0, 12 А = 2, 5 Ом. Выбираем меньшее номинальное значение

2, 4 Ом. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе и его тип.

2. Транзистор VT3 можно выбрать любой германиевый n-p-n типа.

 

UСТ
3.9 Защита нагрузки от перенапряжения

В случае пробоя транзистора VT1 (рисунок 19) на нагрузку попадает полное напряжение питания, что может вывести ее из строя. Необходима схема защиты нагрузки от возможного перенапряжения. В таких случаях используются быстродействующие электронные схемы защиты рисунок 23. На этой схеме показаны элементы индикации состояния стабилизатора, индикация будет рассмотрена далее.

Схема защиты состоит из тиристора VS5, стабилитрона VD4 и резистора. (Схема защиты по току на схеме не показана). В исходном состоянии тиристор VS5 закрыт, его управляющий вход подключен к катоду через сопротивление R2. Стабилитрон VD4 также закрыт его напряжение включения на 10% больше напряжения нагрузки. Как только напряжение на нагрузке увеличивается по каким-либо причинам, стабилитрон VD4 открывается, на управляющий электрод тиристора подается напряжение, тиристор открывается и закорачивает входную цепь стабилизатора. После этого сгорает плавкий предохранитель FU.

1. Сопротивление R2 ограничивает ток стабилитрона на уровне
5 ÷ 10 мА. Из этих условий выбирается стабилитрон и резистор. В рассматриваемом примере UH = 10 В. Можно использовать стабилитрон КС213В с напряжением включения 13 В (таблица 2). При выходе из строя транзистора VT1 на стабилитрон VD4 может поступать минимальное напряжение питания, равное 20 В. Зададимся током стабилитрона равным 5 мА. При пробое стабилитрона к резистору R2 прикладывается напряжение (20 – 13) = 7 В. Сопротивление R2 = 7 В/5мА = 1, 4 кОм.

 

 

+ С2
С1
+
FU
VD5
VD6
R2
VS5
RH
VT1
UИ
VD4
Рис. 23 - Схема защиты нагрузки и индикация
R4
Ст

 


R3

 


Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.

Проверим, не превышает ли ток через стабилитрон допустимое значение при максимальном напряжении источника питания равным 27, 6 В.
(27, 6 – 13) В/1, 4 кОм = 10, 4 мА, что вполне допустимо для выбранного типа стабилитрона.

 

 

2. Выбор тиристора.

Напряжение включения тиристора должно быть больше напряжения питания UИmax (параметр UA таблица 5). При выборе тиристора можно ориентироваться следующим условием. Если ток нагрузки меньше 100 мА, то выбирается тиристор с током анода 100 мА и менее. Если ток нагрузки больше 100 мА, то выбирается тиристор с током анода 100 мА и более.

В примере можно выбрать тиристор КУ101В UА = 50 В, IА = 80 мА.

Выбранные элементы вносятся в перечень элементов схемы.

Индикация состояния стабилизатора

Индикация состояния стабилизатора осуществляется с помощью светодиодов (СИД). Нормальное состояние принято индицировать зеленым или желтым цветом, критическое состояние – красным.

1. Сопротивление R4 выбирается исходя из условий минимального тока СИД и минимального напряжения на нем (таблица 6). Выберем светодиод КЛ101А с параметрами IПР = 10 мА, UПР = 5, 5 В.

R4 = (UН UПР)/IПР = 4, 5 В/10 мА = 450 Ом. Выбираем ближайшее меньшее номинальное значение резистора. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.

2. Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD5. В исходном состоянии диод не светится. Если тиристор открывается, то напряжение на нем уменьшается до одного вольта и по СИД потечет ток. Расчет ограничительного сопротивления R5 аналогичен расчету сопротивления R4.

СИД выбирается с красным свечением.

3. Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора.

4. Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0, 1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20 мкФ.

 

3.11 Заключение

После проведения всех расчетов и выбора элементов оформляется заключение. В нем отражается задание, т.е. что следовало спроектировать и приводятся параметры стабилизатора КСТ, RВЫХ и UИср, полученные в результате проектирования.

3.12 Составление принципиальной схемы стабилизатора

После окончания расчётов отдельных узлов необходимо составить полную принципиальную схему устройства. К схеме рис. 19 добавляется схема защиты рис. 22, рис. 23. Нумерация элементов сквозная, номинальные значения элементов не указываются, стрелки направлений токов и напряжения, тоже не указываются. Схема устройства оформляется на листе формата А3, чертится рамка и основная надпись (штамп) приложение 3.

При вычерчивании принципиальной схемы следует руководствоваться требованиями ГОСТ, с которыми можно ознакомиться в библиотеке [7]. Можно воспользоваться типовой «рисовалкой» Microsoft Word, программами SPlan, Компас или Electronics Workbench.

Если схема выполняется на компьютере, то можно разделить её на две части, распечатать на двух листах А4 и затем склеить.

Принципиальная схема должна сопровождаться перечнем элементов – спецификацией, выполняемой в соответствии с ГОСТ (приложение 4). Если позволяет место на листе А3, то таблицу с перечнем элементов можно поместить над основной надписью чертежа.

 


ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ РАБОТЫ

4.1 Оформление работы

Курсовая работа должна быть оформлена в виде пояснительной записки, выполненной на листах формата А4 компьютерным или рукописным способом.

По всем четырём сторонам листа записки должны оставаться поля слева – 25 мм, кругом по 10 мм.

Листы пояснительной записки должны быть скреплены в двух – трёх точках на расстоянии 10 мм от левого края листа. Использование скрепок и пластиковых конвертов (файлов) не допускается.

Пояснительная записка обязательно должна включать условие задачи, размещаемой на втором листе (номер варианта указывается на титульном листе). Расчётные принципиальные схемы в пояснительной записке должны быть выполнены обязательно по трафарету. Схемы в тексте являются рисунками и должны иметь сквозную нумерацию и подрисуночные подписи.

Все буквенные обозначения физических величин должны быть указаны на рисунке или пояснены в тексте.

Расчёт численных значений физических величин должен быть оформлен следующим образом: после расчётной формулы, записанной в буквенных обозначениях, в неё подставляют численные значения величин, а затем приводят результат вычислений и обозначение единицы физической величины без скобок. Обязательно проставляется размерность полученной величины. Если хотя бы одна величина, входящая в формулу имеет три значащие цифры, то результат должен иметь также три значащие цифры. В качестве примера оформления расчетной формулы можно обратиться к формуле расчета коэффициента стабилизации КСТ.

Работы, сдаваемые на проверку, должны быть выполнены в полном объёме, приведён список использованной литературы, справочников.

Исправления следует вносить путём зачёркивания неправильного результата и вписывания правильного выше или правее неправильного. Если работа переоформлена полностью, то предыдущий вариант работы с замечаниями преподавателя должен быть вложен в исправленный текст (за исключением титульного листа, который должен быть перенесён на исправленный текст).

Пример оформления титульного листа записки приведён в приложении 2. Титульный лист является страницей номер 1, но номер не проставляется. Длинный номер под заголовком обозначает следующее. Первая позиция – номер учебной специальности, следующие две позиции в учебных проектах не заполняются, предпоследняя позиция – две последние цифры номера студенческого билета или зачётной книжки, последняя позиция – ПЗ – шифр документа – пояснительная записка.

В основной надписи принципиальной схемы эта позиция обозначается Э3 – обозначающую схему электрическую принципиальную.

В приложении приводятся вольт-амперные характеристики транзисторов, которые использовались в ходе расчётов. Эти характеристики можно скопировать из электронной версии пособия или из интернета и поместить в текст пояснительной записки.

 

4.2 Таблица выбора варианта и данных для расчета стабилизатора

Номер варианта выбирается по порядковому номеру студента в журнале группы.

Изменение напряжения источника питания составляет ±15% для всех вариантов.

 

Таблица 1.

№ Вар. UСТ В IH mA ∆ t 0C Материал транзистора КСТ не менее ТКН % от UСТ
50±20% Si менее 1%
90±20% Si менее 1%
60±40% Ge менее 0, 5%
70±20% Si менее 0, 9%
80±30% Ge менее 0, 5%
82±20% Si менее 1%
96±30% Ge менее 0, 5%
50±40% Si менее 0, 8%
90±20% Ge менее 0, 5%
40±40% Si менее 1%
60±40% Ge менее 0, 6%
80±30% Si менее 1%
70±20% Ge менее 0, 9%
90±40% Si менее 0, 9%
100±40% Si менее 0, 7%
92±40% Ge менее 1%
80±20% Si менее 0, 5%
60±30% Ge менее 1%
88±40% Si менее 0, 8%
90±30% Ge менее 0, 4%
50±20% Si менее 0, 5%
40±40% Ge менее 1%
60±40% Si менее 0, 5%
80±20% Ge менее 1%
120±10% Si менее 0, 4%
70±40% Ge менее 0, 8%
90±30% Si менее 0, 5%

 

Таблица 1. Продолжение.

80±20% Ge менее 1%
60±30% Si менее 2%
110±10% Ge менее 1%
70±40% Si менее 0, 9%
120±20% Ge менее 1%
60±40% Si менее 0, 5%
58±60% Ge менее 0, 4%
60±30% Si менее 0, 8%
88±40% Ge менее 1%
92±20% Si менее 0, 5%

 


5. СПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ

5.1 Определение площади радиатора

Ge
%
РКm
S
см2
Рис. 24 - Выбор радиатора с необходимой площадью
Si


Поделиться:



Популярное:

Последнее изменение этой страницы: 2016-04-11; Просмотров: 816; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.022 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь