Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА
Цель: По предельной петле гистерезиса ознакомиться с методом измерения основных характеристик сегнетоэлектриков, исследовать зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля.
Оборудование: Лабораторная работа «Изучение свойств сегнетоэлектрика» проводится на установке, собранной по схеме (рис. 5.6) и состоящей из рабочего устройства — модуля ФПЭ-02 (рис. 5.1), мультиметра MY-64, осциллографа С1-93 (вместо мультиметра можно использовать второй канал осциллографа). Принцип работы установки основан на поляризации сегнетоэлектриков в зависимости от напряженности электрического поля, подводимого к сегнетоэлектрику. Поляризация сегнетоэлектрика изучается наблюдением петли диэлектрического гистерезиса на экране осциллографа, подключенного к модулю ФПЭ-02. Введение Сегнетоэлектрики — группа кристаллических диэлектриков, у которых в некотором интервале температур в отсутствие внешнего электрического поля нет спонтанной (самопроизвольной) поляризованности ( — электрический дипольный момент единицы объема вещества вне электрического поля). Величина и направление вектора существенно зависят от электрического поля, механических напряжений, измерения температуры и др. Впервые сегнетоэлектрические свойства были подробно исследованы И.В.Курчатовым и П.П.Кобеко у сегнетовой соли (натрий-калиевая соль винной кислоты) NaKC4H4 4H2O, откуда и возникло название этого класса диэлектриков. Примерами сегнетоэлектриков являются титанат бария ВаТiO3, триглицинсульфат (NH2CH2COOH)3 3H2SO4 и др. Сегнетоэлектрики имеют важное практическое применение, например, приготовляя сложные диэлектрики на основе сегнетоэлектриков и добавляя к ним различные примеси, можно получить высококачественные конденсаторы большой емкости при их малых размерах. Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические тела, у которых решетка не имеет центра симметрии. Например, кристаллическая решетка титаната бария состоит как бы из трех встроенных друг в друга кубических подрешеток: одна образована положительными ионами бария, другая — отрицательными ионами титана, третья — отрицательными ионами кислорода (рис. 5.2). Минимум энергии взаимодействия между положительными ионами титана и отрицательными ионами кислорода достигается, если они смещаются навстречу друг другу, нарушая тем самым симметрию элементарной кристаллической ячейки. Если такое
Сегнетоэлектрики отличаются от остальных диэлектриков рядом особенностей: 1. Имеют большое значение диэлектрической проницаемости ε (~ 105), в то время как у большинства обычных диэлектриков она составляет несколько единиц. 2. Характеризуются нелинейной зависимостью поляризованности от напряженности электрического поля Е. Это приводит к тому, что диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика зависит от напряженности поля. Для обычных диэлектриков эта величина не зависит от поля и является характеристикой вещества.
При наложении внешнего электрического поля поляризованность сегнетоэлектрика изменяется. Она будет складываться из спонтанной поляризованности , не зависящей от поля , и индуцированной , вызванной этим полем:
(1) где ε 0 = 8, 85·10–12 Ф/м — электрическая постоянная. Так как при достижении состояния насыщения поляризованность равна сумме спонтанной и индуцированной поляризованности, то для определения максимальной спонтанной поляризованности необходимо экстраполировать прямую 1–1* до пересечения с осью Р. При уменьшении (из точки 1)поля кривая зависимости Р от Е не совпадет с первоначальной и пойдет несколько выше (кривая 1–2). При Е = 0 сегнетоэлектрик не возвращается в неполяризованное состояние, а сохраняет остаточную поляризованность Рост (отрезок 0–2). Это явление называется диэлектрическим гистерезисом.Таким образом, поляризованность не определяется однозначно полем , а зависит также от предшествующей истории сегнетоэлектрика. Для деполяризации сегнетоэлектрика, т.е. сведения к нулю остаточной поляризованности, необходимо приложить некоторое поле ЕК обратного направления. Напряженность ЕК (отрезок 0–3) называется коэрцитивной силой (коэрцитивным полем). При дальнейшем увеличении поля того же направления поляризованность кристалла меняет свое направление и с ростом поля достигает насыщения в точке 4. Дальнейший рост (от точки 4 до 4*) обусловлен действием индуцированной поляризованности. Если вновь изменять напряженность от –ЕНАС до + ЕНАС, то электрическое состояние сегнетоэлектрика будет изменяться вдоль ветви 4*–4–5–6–1–1*. Значение остаточной поляризованности для этой ветви определяется отрезком 0–5, а коэрцитивной силы — отрезком 0–6. Замкнутая кривая 1*–1–2–3–4–4*–5–6–1–1* называется петлей гистерезиса. При изменении напряженности поля от –Е до +Е и последующем возвращении от +Е до –Е, где Е — любое значение напряженности поля, удовлетворяющее условию 0 < Е < ЕНАС, будет также получаться петля гистерезиса, называемая частной петлей (частным циклом). Этих циклов может быть бесчисленное множество, при этом вершины частных петель лежат на основной кривой 0–1. Метод измерений Изучить свойства сегнетоэлектриков и определить их основные характеристики — поляризованность и напряженность поля при насыщении сегнетоэлектрика, остаточную поляризованность и коэффициентную силу — можно с помощью петли диэлектрического гистерезиса. Получить и наблюдать петлю можно с помощью установки, электрическая схема которой приведена на рис. 5.5. Два конденсатора С1и С2соединяются последовательно и питаются от регулируемого источника переменного напряжения. Конденсатор С2заполнен обычным «линейным» диэлектриком с постоянной диэлектрической проницаемостью, а конденсатор С1 — сегнетоэлектриком. Параллельно соединению конденсаторов включены два сопротивления. Сопротивление R1 является эквивалентным омическим сопротивлением исследуемого сегнетоэлектрика, а сопротивление R2 служит для подбора равенства фаз напряжений, подаваемых на вход осциллографа (ОЭ).
1 — генератор сигналов специальной формы (регулируемый источник постоянного напряжения); 2 — трансформатор; 3 — мультиметр (режим V ~ 20 V, входы COM, VΩ ); 4, 5 — осциллограф; С1 — конденсатор с сегнетоэлектрическим изолятором; С2 — конденсатор с изолятором не из сегнетоэлектрика; X, Y — выходы напряжений UX и UY на мультиметры и на соответствующие гнезда осциллографа
Емкость конденсатора С1и напряженность электрического поля Е1 внутри сегнетоэлектрика рассчитываются по формулам: (2) (3) где ε — диэлектрическая проницаемость, s — площадь обкладок, d — расстояние между ними, UС1— напряжение между обкладками конденсатора С1. Так как конденсаторы соединены между собой последовательно, то заряды на их обкладках будут одинаковыми (4) где UС2 — на конденсаторе С2. Отсюда
или, учитывая (2), (5) Подставив (5) в (3), получим (6) Из соотношения (1) с учетом того, что для сегнетоэлектрика ε > > 1, следует
Тогда уравнение (6) примет вид
откуда следует, что (7) т.е. падение напряжения на конденсаторе С1пропорционально поляризованности сегнетоэлектрика. Найдем падение напряжения UR2 на сопротивлении R2. Ток, текущий через это сопротивление, по закону Ома равен Такой же ток протекает и по участку цепи с сопротивлением (R1 + R2) где UR1+ UR2 + UC1= UC2= U — напряжение, подаваемое на вход схемы (рис. 4).
Так как С2 > > С1 и R1> > R2, то из (4) следует, что UС1> > UС2 и откуда с учетом равенства (5) получаем уравнение: т.е. падение напряжения на сопротивлении R2 пропорционально напряженности внешнего электрического поля. Таким образом, из уравнений (7) и (8) видно, что если напряжение UС2подать на вход вертикальной развертки осциллографа (UY), а напряжение UR2 —на вход горизонтальной развертки (UX), то электронный луч в направлении оси Y будет отклоняться пропорционально поляризованности Р сегнетоэлектрика, а в направлении оси X —пропорционально напряженности внешнего электрического поля Е. За один период синусоидального изменения напряжения электронный луч на экране опишет полную петлю гистерезиса и за каждый последующий период в точности повторит ее. Поэтому на экране будет наблюдаться неподвижная петля. Описание установки Электрическая схема установки показана на рис. 5.5, монтажная схема — на рис. 5.6, 5.6а.
Рис. 5.6а. Внешний вид монтажной схемы Установка для исследования свойств сегнетоэлектриков состоит из модуля «Сегнетоэлектрик» ФПЭ-02 и осциллографа. В качестве исследуемого образца используется титанат бария (BaTiO3) — сегнетоэлектрик, который служит изолятором в конденсаторе С1. Порядок выполнения работы Выполнение измерений 1. Соберите электрическую цепь по монтажной схеме, приведенной на рис. 5.6. Параметры установки занесите в табл. 5.1. Таблица 5.1
2. Включите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжения и блока мультиметров. Частота выходного сигнала установится 500 Гц. 3. Включите осциллограф и выведите электронный луч в центр экрана.
6. Ручками осциллографа ↔ и ↕ установите изображение петли симметрично относительно осей Х и Y. Ручками осциллографа «Усиление Х », «Усиление Y » (дискретно и плавно) установите наибольшие размеры петли, которые вписываются в экран осциллографа. 7. По экрану осциллографа измерьте координаты точек хК, хнас, yост, yS, yнас (рис. 5.7). Мультиметром или осциллографом измерьте напряжения и . Результаты измерений занесите в табл. 5.1. 8. Ручкой «Напряжение» уменьшите напряжение UY до нуля. Этой же ручкой, повышая UY от нуля с шагом примерно 0, 40 В до его максимального значения , измерьте соответствующие значения напряжения UX. Результаты измерений занесите в табл. 5.2. Таблица 5.2
9. Выключите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжения, мультиметра и осциллографа. Обработка результатов измерений 1. Используя данные табл. 5.1 и формул (7)—(8), рассчитайте поляризованность и напряженность поля при насыщении сегнетоэлектрика: . Результаты расчетов занесите в табл. 5.1. 2. Используя данные табл. 5.1, рассчитайте спонтанную поляризованность РS, остаточную поляризованность Рост и коэрцитивную силу ЕК по формулам: . Результаты расчетов внесите в табл. 5.1. 3. Используя данные табл. 5.1 и 5.2, рассчитайте значения поляризованности, напряженности и диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика по формулам: Результаты расчетов занесите в табл. 2 и на их основании постройте графики зависимостей Р = f (E) и ε = f (E). По полученным результатам сформулируйте выводы. Контрольные вопросы 1. Какие вещества называются диэлектриками? 2. Что такое электрический момент диполя? 3. Что такое поляризованность диэлектриков? 4. В чем заключается особое свойство сегнетоэлектриков? 5. Чем обусловлена спонтанная поляризованность сегнетоэлектриков? 6. Что такое гистерезис? 7. Что такое домены? 8. Что такое коэрцитивная сила? 9. Где применяются сегнетоэлектрики? Работа № 6 |
Последнее изменение этой страницы: 2017-05-04; Просмотров: 1304; Нарушение авторского права страницы