Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

 Конденсаторы – это радиоэлементы с сосредоточенной электрической емкостью, образуемой двумя и более электродами, разделенными диэлектриком. Различают конденсаторы постоянной емкости, переменной (регулируемые) и саморегулируемые. Конденсаторы постоянной большой емкости чаще всего оксидные и, как правило, имеют полярность подключения к электрической цепи. Емкость их измеряется в фарадах, например, 1 пФ (пикофарада) = 10^–12 ф, 1нФ (нанофарада) = 10^-9Ф, 1мкФ (микрофарад) = 10^-6 Ф (табл. 2.2). Буквенно-цифровое позиционное обозначение конденсаторов состоит из латинской буквы С и порядкового номера по схеме.

Таблица 2.2

УГО конденсаторов

 

 

Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы (ГОСТ 2.723-69)

Буквенно-цифровое позиционное обозначение катушек индуктивности и дросселей состоит из латинской буквы L и порядкового номера по схеме. При необходимости указывают и главный параметр этих изделий – индуктивность, измеряемую в генри (Гн), миллигенри (1 мГн = 10^-3 Гн) и микрогенри (1 мкГн = 10^-6 Гн). Если катушка или дроссель имеет магнитопровод, УГО дополняют его символом – штриховой или сплошной линией. Радиочастотные трансформаторы могут быть с магнитопроводами или без них и иметь обозначение L1, L2 и т. д. Трансформаторы, работающие в широкой полосе частот, обозначают буквой Т, а их обмотки – римскими цифрами (табл. 2.3).

Таблица 2.3

УГО катушек индуктивности и трансформаторов

 

Устройства коммутации (ГОСТ 2.755-74, ГОСТ 2.756-76)

УГО устройств коммутации – выключатели, переключатели, электромагнитные реле – построены на основе символов контактов: замыкающих, размыкающих и переключающих (табл. 2.4). Стандартом предусматри­вается в УГО таких устройств отражение конструктивных особенностей: неодновременность срабатывания контактов в группе; отсутствие (наличие) фиксации в одном из положений; способ управления коммутационным устройством; функциональное назначение.

Таблица 2.4

УГО устройств коммутации

 

 

Окончание табл. 2.4

Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.7З0-73)

 Диоды, тиристоры, оптроны

Диод – самый простой полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью благодаря электронно-дырочному переходу  (р–n-переход, см. табл. 2.5).

Таблица 2.5

УГО полупроводниковых приборов

 

В УГО диодов – туннельного, обращенного и диода Шотки – введены дополнительные штрихи к катодам. Свойство обратно смещенного р–n - пе­ре­хода вести себя как электрическая емкость использовано в специальных диодах-варикапах. Более сложный полупроводниковый прибор – тиристор, имеющий, как правило, три р–n-перехода. Обычно тиристоры используются в качестве переключающих диодов. Тиристоры с выводами от крайних слоев структуры называют динисторами. Тиристоры с дополнительным третьим выводом (от внутреннего слоя структуры) называют тринисторами. УГО симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода.

Большую группу составляют полупроводниковые приборы – фотодиоды, светодиоды и светодиодные индикаторы. Особо необходимо остановиться на оптронах – изделиях, основанных на совместной работе светоизлучающих и светопринимающих полупроводниковых приборов. Группа оптронов постоянно пополняется.

Большое пополнение происходит и в группе полевых транзисторов, условные графические обозначения которых пока никак не отмечены в отечественных стандартах.

 

Транзисторы

 

Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Большую группу этих приборов соста­вляют биполярные транзисторы, имеющие два р–n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой – с коллектором (коллекторный переход).

Транзистор, база которого имеет проводимость типа n, обозначают формулой р–n–р, а транзистор с базой типа р имеет структуру n–р–n (табл. 2.6). Несколько эмиттерных областей имеют транзисторы, входящие в интегральные сборки. Допускается изображать транзисторы по ГОСТ 2.730-73 без символа корпуса для бескорпусных транзисторов и транзисторных матриц.

Таблица 2.6

УГО транзисторов

Окончание табл. 2.6

⇐ Предыдущая12

Поделиться: