Полупроводниковый стабилитрон-

это полупроводниковый диод, напряжения на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для: А) для поддержания постоянных напряжений на обратном участке ВАХ

При настройке нуля выхода ОУ, требуется задавать на входе напряжение смещения, причины:

С) из-за разбаланса внутри схемы ОУ

При увеличении R₂, коэффициент усиления изменяется следующим образом:

начальные значения тока базы увеличатся увеличится смещение рабочей точки транзистора ток базы начнет возрастать

При увеличении R_r/коэффициент усиления изменяется следующим образом:

увеличится коэффициент усиления Ки>0 коэффициент усиления увеличится по току, по наряжению и по мощности

При увеличении R_vкоэффициент усиления изменяется следующим образом:

ток базы уменьшится уменьшится смещение рабочей точки транзистора начальное значение входного тока уменьшится

При увеличении емкостей С_р1 и С_р2 коэффициент усиления изменяется следующим образом:

увеличится в области нижних частот коэффициент усиления Кр увеличится

Прибор, имеющий 2 взаимодействующих р-nперехода:

преобразователь сопротивления биполярный транзистор

Прибор, имеющий обратную ветвь вольтамперной характеристики, применяется для регулирования частоты вращения:

B)имеет на ВАХ два участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением C)симистор

Приборы, применяемые для гальванической развязки сигнальных цепей или цепей с малым током коммутации:

C) оптоэлектронное устройство E) оптроны

Причины разбаланса операционного усилителя ОУ:

А) нестабильность источников питания

Пробойр-n перехода(Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown of a P-N junctHon):

лавинообразный процесс тепловой пробой

Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операции и операции управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии:

А) программируемый логический контроллерD) микропроцессорное устройство F) центральное процессорное устройство

Программно-управляемое устройство, непосредственно осуществляющее процесс управления и обработки цифровой информации, отвечающее за выполнение арифметических, логических операций и операций управления, записанных в машинном коде, изготовленное по БИС-технологии:

A) микропроцессорное устройство

Процесс, когда напряжение на затворе становится положительным:

электроны начинают отталкиваться от поверхности раздела Si-Si02 затвор управляется положительным напряжением п-канального транзистора

Резкое изменение режима работы диода: туннельным пробоем

Свет распространяется по сетоводу:

Е) используя излучательную рекомбинацию в p-n переходеF) по вращательной траектории вдоль волокнаG) по зигзагообразной траектории

Синфазное напряжение в дифференциальном усилителе меняется следующим образом: A) усиления сигнала на входе нет

D) не усиливается E) синфазный сигнал это помеха, напряжение не усиливается

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является:

D) напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя ОУ является:

Д)напряжение одинаковый величины на обоих входахЕ)напряжение, присутствующее одновременно на обоих входах
Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это :

А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
В схеме встречно-параллельные диоды VD1 и VD2включены для:

А)стабилизации амплитуды выходного сигналаЕ) уменьшения коэффициента усиления сигнала

Синфазным напряжением на входах операционного усилителя оУ является:

А) напряжение, присутсвующиходновременнона обоих входах

Причины разбаланса операционного усилителя ОУ- это :

А)неодинаковые значения коллекторных сопротивлений F) неодинаковые параметры транзисторов в каскаде ОУ
Скачок потенциала на границе двух областей полупроводника с разным типом проводимости объясняется:

А) за счет внутреннего электрического поляС) наличием двойного электрического слоя по обе стороны p-n перехода

Спад амплитудно-частотной харктеристики усилителя низких частот УНЧ на транзисторах на верхних частотах объясняется:

В) наличием элемента для барьерного заряда и разрядаЕ) наличием коллекторной нагрузки

Существенные отличия тиристоров от транзисторов и в электрических устройствах:

открываются и закрываются при кратковременной подаче соответствующих сигналов

Схема включения транзистора, имеющая минимальное выходное сопротивление:

D) схема эмиттерногповторителяЕ) схема с минимальным выходным сопротивлением

⇐ Предыдущая123Следующая ⇒

Поделиться: