Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Параметры полевых транзисторов



 

Транзистор Тип пр-ти UСИmax, B IСИmax, A RСИ, Ом P, BT СЗИ, пФ tВЫКЛ, мкс
2П301А   20 0,015 0,1
2П303А   25 0,02 0,1
2П304А   25 0,03 0,075
2П701А n 500 5…17 3,5 17,5 1200
2П701Б n 400 5…17 2,8 17,5 1200
КП702А n 300 8…16 1 17,5 950
2П703Б n 150 25 0,9 60 1500
КП705А n 1000 5,4 4,3 40 1700
КП705В n 500 5,4 3,3 40 1700
2П706А n 500 15 0,8 21 2500
2П706Б n 400 15 0,5 21 2500
КП707Г n 700 8 2,5 50 1600
КП707Д n 500 12 1,5 50 1600
КП709А n 600 4 2 35 650
2П802А СИТ 500 2,5 3 8 2500
2П803А n 1000 2,5 5 60 1100
2П804 n 60 4 0,45 2 150
КП805А n 600 8 2,0 60 1300
КП809А n 400 25 0,3 50 3000
КП809Д n 800 10 1,8 50 3000
КП810А СИТ 650 7 0,2 50
КП812А n 60 35 0,03 50
П813А n 200 22 0,12 60 2700
КП815А n 400 20 0,3 40 5600
2П816А n 800 20 1 40 2600
2П816В n 1000 18 1,2 40 2600
КП901А   70 4 8
2П902А   50 0,13 1
КП904А   70 5 30
2П926А СИТ 450 16,5 0,1 40
2П934А СИТ 450 10 0,07 25
2П938А СИТ 500 15 0,07 1,1
2П938Г СИТ 400 15 0,07 0,9
2П942А СИТ 800 10 0,2 2,15
КП946А СИТ 300 15 0,15 40 0,55
КП948А СИТ 400 5 0,15 20 0,9
КП953А СИТ 450 15 0,06 50 0,9
КП954А СИТ 90 20 0,03 40
КП954В СИТ 25 20 0,02 40
КП955А СИТ 400 25 0,05 50 0,9
КП955Б СИТ 200 25 0,04 50 0,55
КП956А СИТ 350 2 0,4 10 0,55

IRFB17N50L

500 17 0,28 - 3000 0,09

 

 

Приложение С                                                                  (справочное)

              Параметры выпрямительных диодов

 

Диоды UОБРmax, B IПР, A ΔUПР, В fГР, кГц tвосст, мкс
2Д103А 75 0,1 1 20
2Д108А 800 0,1 1,5 20 1
2Д108А 1000 0,1 1,5 20 1
2Д203Г 700 10 1
2Д204А 400 0,4 50 1,5
2Д210А 800 10 1
2Д210Г 1000 10 1
2Д212А 200 1 100 0,3
2Д212А 200 1 100 0,3
2Д213А 200 10 100 0,3
2Д213Б 200 10 100 0,17
2Д215Б 600 1 1,2 10
2Д215В 200 1 1,1 10
2Д216А 100 10 1,4 100
2Д216Б 200 10 1,4 100
2Д219Б 20 10 200 0,3
2Д220Г 1000 3 20 1
2Д226А 100 1 1,4 35
2Д226Д 800 1 1,4 35
2Д230Г 1000 3 50 0,5
2Д234В 400 3 0,04
2Д245А 400 10 200 0,07
2Д510А 50 0,2 0,004
2Д522Б 50 0.1 0,004
2Д255В-5 100 3 1000
2Д239В 200 15 500 0,05
2Д2990А 600 20 200 0,15
2Д2995Д 200 25 200 0,05
2Д2997А 200 30 100 0,2
2Д2998А 35 30 200
2Д4103-100 150 100 200 0,05
2Д4103-125 150 125 200 0,05
2ДШ112-32Х 40 32 0,032
2ДШ112-40Х 40 40 0,032
2ДШ112-50Х 40 50 0,032
2ДШ112-63Х 40 63 0,032

Параметры выпрямительных столбов

 

Диодные столбы UОБРmax, B IПР, A ΔUПР, В fГР, кГц tвосст, мкс
2Ц103А 2000 0,01 12 100 2
2Ц106А 4000 0,01 25 20 3,5
2Ц106Б 6000 0,01 25 20 3,5
2Ц106В 8000 0,01 25 20 3,5
2Ц106Г 10000 0,01 25 20 3,5
2Ц108А (2000) 0,1 7,5 50 0,6…0,9
2Ц108Б (4000) 0,1 7,6 50 0,6…0,9
2Ц108В (6000) 0,1 12 50 0,6…0,9
2Ц202А (2000) 0,5 3,5 1
2Ц202Б (4000) 0,5 3,5 1
2Ц202В (6000) 0,5 7 1
2Ц202Г (8000) 0,5 7 1
2Ц202Д (10000) 0,5 7 1
2Ц202Е (15000) 0,5 12 1
2Ц203А (6000) 1 10 1
2Ц203Б (8000) 1 10 1
2Ц203В (10000) 1 10 1
2Ц204А (6000) 1 0,22

 

Значение напряжения UОБРmax, взятое в скобках, означает использование диода в импульсном режиме.

 

                      

 

Диодные сборки

                  

Диодная сборка ICР, А UОБР MAX, B UПР, В   f, кГц Cхема
2Ц416A 10 (50) 1,3 1 Однофазный мост
2Ц416Б 10 (100) 1,3 1 Однофазный мост
2Ц416В 10 (200) 1,3 1 Однофазный мост
2Ц416Г 10 (400) 1,3 1 Однофазный мост
2Ц416Д 10 (600) 1,3 1 Однофазный мост
2Ц415A  10 (50) 1,3 1 Трехфазный мост
2Ц415Б 10 (100) 1,3 1 Трехфазный мост
2Ц415В 10 (200) 1,3 1 Трехфазный мост
2Ц415Г 10 (400) 1,3 1 Трехфазный мост
2Ц415Д 10 (600) 1,3    1 Трехфазный мост
2Ц414A 10 (50) 1,6 20 Трехфазный мост
2Ц414Б 10 (100) 1,6 20 Трехфазный мост
2Ц414В 10 (200) 1,6 20 Трехфазный мост
2Ц414Г 10 400 1,6 20 Трехфазный мост
2Ц414Д 10 600 1,6 20 Трехфазный мост
2Ц412A 1 50 1,2 Однофазный мост
2Ц412Б 1 100 1,2 Однофазный мост
2Ц412В 1 200 1,2 Однофазный мост
2Ц409А 3 600 2,5 1 Однофазный мост
2Ц409Б 3 500 2,5 1 Однофазный мост
2Ц409В 3 400 2,5 1 Однофазный мост
2Ц409Г 3 300 2,5 1 Однофазный мост
2Ц407А 0,5 400 2,5 20 Однофазный мост
2Ц403А 1 600 5 Два 1-фазных моста
2Ц403Б 1 500 5 Два 1-фазных моста
2Ц403В 1 400 5 Два 1-фазных моста
2Ц403Г 1 300 5 Два 1-фазных моста

 

Приложение Т                                                                     (справочное)

 

Характеристики стабилитронов и стабисторов

Тип Uстаб, В Iстаб max, мА Iстаб min, мА Темп. коэффиц. напр. стаб., % /0С
Д818А      9      33      3      0,02
2С101А      3,3      30      0,25      0,1
2С101Б      3,9      26       1      0,08
2С101В      4,7      21       1      0,06
2С101Г      5,6      18       1      0,04
2С101Д      6,8      15       1      0,06
2С107А      0,7      120       1      0,34
2С119А      1,9      100       1      0,42
2С133А      3,3      81       3      0,11
2С139А      3,9      70       3      0,1
2С147А      4,7      58       3      0,09
2С156А      5,6      55       3      0,05
2С168А      6,8      45       3      0,05
2С175Ж      7,5      20      0,5      0,07
2С182Ж      8,2      15      0,5      0,08
2С191Ж      9,1      15      0,5      0,09
2С210Ж      10      15      0,5      0,09
2С211Ж      11      14      0,5      0,092
2С212Ж      12      13      0,5      0,095
2С215Ж      10      10      0,5      0,1
2С224Ж      24      6,3      0,5      0,1
2С210Ц        10      12,5      0,1      0,085
2С433А      3,3      229      3      0,1
2С439А      3,9      212      3      0,1
2С447А      4,7      190      3      0,08
Д815А      5,6      1400      50      0,045
Д815Б      6,8      1100      50      0,05
Д815Г      10      800      25      0,08
Д815Д      12      650      25      0,09
Д815Е      15      550      25      0,1
Д815Г      10      800      25      0,08
Д816А      22      230      10      0,12
Д816Б      27      180      10      0,12
2С551А      51         14,6      1      0,12
2С591А 91 8,8  1      0,12
2С600А 100 8,1 1 0,12
2С920А 120 42 5 0,16
2С930А 130 38 5 0,16
2С950А 150 33 2,5 0,16
2С980А 180 28 2,5 0,16

 

 

Приложение У                                                                  (справочное)

Характеристики тиристоров

Тип Iср(имп), А Uпост(имп), В Iупр, мА tвыкл, мкс Критическая скорость нарастания напряжения,   В/мкс
2У113А 0,3 (100)   500 (600) 10         100
2У113Б 0,3 (100)   300 (400) 10         100
2У202Д (30)   100 300  0,2         5
2У202Ж (30)   200 300  0,2         5
2У202К (30)   300 300  0,2         5
2У202М (30)   400 300  0,2         5
2У213А 6(250)   750 (1000) 150         500
2У213Б 6(250)   550 (800) 150         500
2У220А 6(100)   800 (1000) 50         100
2У220Б 6(100)   800 (1000) 75         100
2У220Д 6(100)   600 (800) 50         100
2У220Е 6(100)   600 (800) 75         100
2У221А 3,2(100)   500 (800) 0,1  6         700
2У221Б 3,2(100)   500 (800) 0,1 4         200
2У221В 3,2(100)   400 (600) 0,1 15         200

Характеристики силовых тиристоров

Тип Iср, А Uпост, В tвыкл, мкс Критич. скор. нараст. напр.,             В/мкс Критическая скорость нарастания тока,            А/мкс
2Т112-10 10 100...1200 100;63 200;500;1000             
2Т122-25 25 100...1200 100;63 200;500;1000             
2Т132-25 25 1300…2000 250; 160;100 200;500;1000; 1600             
ТЧ-25С 25

 

500…800

 

20;30

 

100;200

 

     100            

ТЧ-50С 50
ТЧ-100С 100
2ТБ-153-1000 1000

 

500…1100

40;50;63

 

 

200;320;

500;1000

      –
2ТБ-233-400 400 32;40; 50;63      630
2ТБ-271-250 250 32;40; 50;63      630

Приложение Ф                                                                  (справочное)

Микросхемы аналоговые

Характеристики операционных усилителей типа К140УД

 

Тип микросхемы К140 УД1 А/Б К140 УД2 К140 УД5 А/Б К140 УД6 К140 УД7 К140 УД8 К140 УД9
К, тыс. 0,9/2 30 1,5/2,5 50 50 30 30
± Uпит, В 6,3/12.6 9–18 6/13 5–20 5–20 15 9–18
Iпот, мА 6/12 8 10 3 3 5 8
± есм, мВ 7 5 8/ 7 8 4 50 5
iвх, нА 5×103 103 700 1×103 6×103 50 200 0,2 300
∆iвх,нА 1,5×103 200 300 1000 15 50 0,1 100
± Uдф, В 1,5 4 3 30 20 6 4
±Ucф, В 3/6 6 6 11 15 10 7
f, MГц 3/8 1 5/10 1 0,8 1 1
±Uвых, В 2,8/5,7 10 5 12 11 10 10
Rн, кОм 5 1 5 1 2 2 1
Зарубежный аналог μ А702 МС 1456 μ А741 μ А740

    

Кос    R, кОм С, нФ    Кос R1,Ом С1, нФ С2, нФ С3, нФ

  1         0,02   10           1    470     15     2,2    15

  10        0,2     1            10  470     6,8     1      15

  100       2       0,1         100 470     6,8     0,47 6,8

Тип микросхемы К140 УД10 К140 УД11 К140 УД14 К140 УД17

К140

УД20

К, тыс. 50 30 50 150

50

±Uпит, В 5–18 5–18 5–20 5–18

5–20

Iпот, мА 10 8 1 5

3

± есм, мВ 5 10 5 0,25

5

iвх,нА 500 500 5 10

100

∆iвх,нА 150 200 1

5

30
±Uдф, В 4 10 13 15

10

±Ucф, В 6 11 13 13

12

f, MГц 15 15 0,5 0,4

0,5

±Uвых, В 12 12 12 12

11

Rн, кОм 2 2 1 2

1

Зарубежный аналог LМ 318 LМ 108 ОР 07Е

А

747

             

 

 


Поделиться:



Последнее изменение этой страницы: 2019-04-10; Просмотров: 424; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.063 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь