Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы последовательного амплитудного ограничителя

Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы последовательного амплитудного ограничителя

Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы параллельного амплитудного ограничителя

Дайте определение балансного усилителя, его назначение. Поясните принцип его работы

Дайте определение биполярного транзистора. Объясните его устройство и принцип работы

Дайте определение варикапа. Покажите ВАХ, УГО и параметры

Дайте определение выпрямительных диодов. ВАХ и УГО, основные параметры

Дайте определение выпрямителя, перечислите основные параметры выпрямителей

Дайте определение газоразрядных индикаторов. Поясните ВАХ газового разряда

Дайте определение генератора линейно изменяющегося напряжения. Расскажите принцип работы ГЛИН на биполярном транзисторе, покажите эквивалентную схему

Дайте определение генератору линейно изменяющегося напряжения на биполярном транзисторе с повышенной линейностью. Покажите принцип их построения

Дайте определение диодных тиристоров (динистор). Объясните принцип их работы, покажите ВАХ

Дайте определение дифференциального усилителя. Поясните принцип его работы

Дайте определение дифференцирующей электрической цепи, объясните принцип ее работы

Дайте определение интегрирующей электрической цепи, объясните принцип ее работы

Дайте определение колебательного контура. Расскажите о процессах, происходящих в колебательном контуре

Дайте определение комбинированным формирователям импульсов

Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы ПТ с управляющим p - n -переходом

Дайте определение полевого транзистора. Объясните принцип работы ПТ с изолированным затвором со встроенным каналом

Дайте определение полупроводниковых диодов. Дайте их классификацию. Перечислите основные характеристики и параметры выпрямительных диодов

Дайте определение режимов работы биполярного транзистора. Расскажите условия их создания

Дайте определение Стабилитрона. вах, уго, параметры, принцип

Дайте определение триодных тиристоров (тринистр). Объясните принцип их работы

Дайте определение туннельных диодов, объясните принцип работы. Покажите вольтамперную характеристику и УГО, перечислите основные параметры

Дайте определение усилителей электрических сигналов. Перечислите основные технические параметры и характеристики усилителей

Дайте определение усилителей электрических сигналов. Расскажите порядок их классификации. Покажите структуру усилительного каскада

Дайте определение усилителя на ПТ с непосредственными связями

Дайте определение усилителя на ПТ с потенциометрическими связями

Дайте определение усилителя постоянного тока. Перечислите основные характеристики УПТ

Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип действия оптрона, показать его структуру и УГО

Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фотодиода, показать его УГО

Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фототранзистора, показать его УГО

Дайте определение фотоэлектрических приборов. Объяснить принцип работы фоторезистора, перечислить его основные параметры, показать УГО

Дайте определение электрического импульса. Перечислите основные параметры

Дайте определение электронных генераторов. Перечислите виды генераторов по форме генерируемых колебаний, режимы их работы

Дайте определение ЭЛТ. Объясните принцип работы и структуру

Дайте определение, перечислите основные параметры стабилизаторов напряжения и тока

Основные параметры:

1. Максимальная ёмкость (С макс.)

2. Минимальная ёмкость (C мин.)

3.Коэффицент перекрытия по емкость (К _{перекрытия}=С_макс/С_мин. )

4. Коэффициент значения обратного напряжения (U обр)

5.Добротность (Q)

 

Исток

Сток

Э С

Б З

К И

 

 

 

Управляющий электрод, т.е. затвор, должен быть изолированным от токопроводящего канала, по способу изоляции полевые транзисторы бывают:

1) С управляющим p-n переходом (p-n затвором)

2) С изолированным затвором:

А) Со встроенным каналом

Б) С индуцированным каналом

3) С затвором Шотки

Исток

Сток

Э С

Б З

К И

 

Управляющий электрод, т.е. затвор, должен быть изолированным от токопроводящего канала, по способу изоляции полевые транзисторы бывают:

 

1) С управляющим p-n переходом (p-n затвором)

2) С изолированным затвором:

А) Со встроенным каналом

Б) С индуцированным каналом

3) С затвором Шотки

С изолированным затвором

Полевой транзистор с изолированным затвором отличается от полевого транзистора с p-n-затвором как устройством, так и принципом работы

ПТ с изолированным затвором имеют структуру МДП (металл, диэлектрик, полупроводник)

Если в качестве диэлектрика используется оксид кремния, то структура будет МОП (металл – оксид – полупроводник)

Если в ПТ с p-n-затвором на управляющий электрод, т.е. на затвор, подается только обратное смещение, то в полевых транзисторах с изолированным затвором на управляющий электрод можно подавать напряжение в любой полярности.

При подаче на затвор прямого смещения поступает так называемый “режим обеднения”, т.к. под воздействием внешнего эл. поля, основные носители зарядов токопроводящего канала (дырки) будут попадать из подложки в токопроводящий канал, поэтому ток стока будет уменьшаться.

При обратном смещении на затворе наступает “режим обогащения”, т.к. под воздействием ВЭП (внешн. эл. поле) не основные носители зарядов (дырки) из полупров. эл. типа проводимости будут попадать в токопроводящий канал, увеличивая концентрацию основных носителей зарядов, т.е. ток стока возрастает.

В полевом транзисторе с изол. затвором не имеющего встроенного токопроводящего канала необходимо создать условия для искусственного формирования этого канала.

Токопроводящий канал будет сформулирован, если на затвор будет подано обратное смещение, в этом случае неосновные носители зарядов полупроводника эл. типа проводимости (дырки) будут притягиваться к приконтактному слою и в приконтактном слое образуется высокая концентрация дырок, сформировав токопроводящий канал дырочной проводимости.

25. Дайте определение диодных тиристоров (динистор). Объясните принцип их работы, покажите ВАХ.

УГО                                                                         

При подключении динистора к источнику питания, когда на анод подаётся +, а на катод -, в результате чего эммитерные переходы П₁ и П₃ будут открыты, а коллекторный переход будет закрыт.

При увеличении величины источника питания под воздействием внешнего электрического поля электроны из области n₂ через открытый p-n-переход П₃ будут поступать в область P₂ и далее в область n₁, тем самым будут увеличивать концентрацию электронов в области n₁ и это приведет к уменьшению положительного потенциала в области n₁, что вызовет еще большую величину потенциального барьера, который будет являться ускоряющим для неосновных носителей зарядов (дырки), вследствие чего количество дырок из области P₁ в область n₁ возрастет, далее дырки будут из области n₁ переходить в P₂, в результате чего концентрация дырок в P₂ возрастает, т.е. отрицательный потенциал P₂ стал еще меньше, поэтому потенциал барьера эммитерного перехода П₃ стал еще выше, а он является ускоряющим для неосновных носителей зарядов, поэтому кол-во электронов из области n₂ в область P₂ возрастет.

Таким образом эмиссия основных носителей зарядов крайних областей приведет ко вторичной эмиссии основных носителей зарядов, в результате чего развивается процесс лавинообразного нарастания тока через коллекторный переход и создаются условия для открытия коллекторного перехода.

 

ВАХ динистора

Iут, Iвкл, Iвыкл, Uост, Uвкл

Ток утечки – ток протекающий через динистор, протекающий при напряжении равном половине напряжения включения

Ток выключения- при питании напряжения равном напр. ост.

 

 

26. Дайте определение триодных тиристоров (тринистр). Объясните принцип их работы.

 

                          УГО

 

 

1) Напряжен. питания меньше чем напр. вкл. и ток управ. = 0;

2) Питающее напр. = или > чем напр. вкл., ток управ. равен 0; ток будет протекать, работает как динистор.

3) Питающее напряжение < чем напряжение вкл., ток управ > 0; подача в область P₂ импульса управления приведет к тому, что будут созданы условия для перехода коллекторного p-n-перехода в открытое остояние, даже при пит. напряжения < чем напряжение включения.

№27 Расскажите порядок маркировки и покажите условное графическое обозначение тиристоров.

Тиристор – это полупроводниковый прибор, имеющий 2 усточивых состояния равновесия, обладающий 3-я и более p-n переходами и может переходить из закрытого состояния в открытое и наоброт.

1 Т – Тиристор; ТЛ – лавинный тиристор

2 Конструктивное исполнение

3 Средний ток в открытом состоянии; А

4 Класс по напряжению

5 Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

6 Группа по времени выключения

7 Климатическое исполнение

Также:
Н – неуправляемый
У - управляемый

Дайте определение амплитудным ограничителям. Покажите схему, принцип работы последовательного амплитудного ограничителя

12345678Следующая ⇒

Поделиться: