P - n переход. Электрические процессы в p - n переходе при отсутствии и наличии внешнего напряжения. Емкость p - n перехода

 

P-n-переход – это переходный слой между двумя областями полупроводника с разной электропроводностью, в котором существует диффузионное электрическое поле. P-n-переход получают введением в примесный полупроводник одного типа проводимости специальных присадок, которые изменяют тип проводимости части монокристалла.

 

1.6.1 Электрические процессы в p - n переходе при отсутствии

внешнего напряжения.

 

В германиевых и кремниевых диодах двухслойная p-n-структура (рис. 1.4, а) создается введением в один из слоев монокристалла акцепторной примеси, а в другой – донорной примеси. При комнатной температуре атомы акцепторов и доноров можно считать полностью ионизированными, т.е. практически все акцепторные атомы присоединяют к себе электроны. Создавая при этом дырки, а донорные атомы отдают свои электроны, которые становятся свободными. Кроме основных носителей заряда в каждом из слоев имеются неосновные носители заряда, создаваемые путем перехода электронов основного материала из валентной зоны в зону свободных уровней.

На практике наибольшее распространение получили p–n–структуры с неодинаковой концентрацией внесенных акцепторной N_а  и донорной N_Д примесей, т.е. с неодинаковой концентрации неосновных носителей заряда в слоях p_p » N_а  и n_n » N_Д . Типичными бывают структуры с N_а»N_Д  (p_p» n_n). Распределение концентраций носителей заряда для таких структур показано на рис. 1.4,б. Концентрация неосновных носителей заряда, существенно меньше концентрации основных носителей заряда.

В p–n–структуре на границе раздела слоев AB возникает разность концентраций одноименных носителей заряда: в одном слое они являются основными носителями, в другом – неосновными. В приграничной области под действием разности концентраций возникает диффузионное движение основных носителей заряда во встречном направлении через границу раздела. Дырки из p–области диффундируют в n–область, электроны из n–области в p–область. Дырки, вошедшие в n–область, рекомбинируют с электронами этой области, а электроны, вошедшие в p–область, – с дырками p–области. В следствие двух факторов (ухода основных носителей заряда из приграничных областей и их рекомбинация с носителями заряда противоположного знака) концентрации основных носителей заряда (p_p и n_n) в обеих приграничных областях, суммарная ширина которых l₀, снижаются (рис. 1.4, б).

Кроме того, снижение концентрации носителей заряда одного знака сопровождается повышением концентрации носителей заряда другого знака. Вследствие этого в приграничной p–области повышается концентрация электронов, а в приграничной n–области – концентрация дырок. Таким образом, становится понятным характер распределения концентрации носителей заряда в p-n-переходе показанной на рис. 1.4,б сплошными линиями.

Важнейшим следствием диффузионного движения носителей заряда через границу раздела слоев является появление в приграничных областях объемных зарядов, создаваемыхионами атомов примесей. Так, при уходе дырок из p-слоя в нем создается нескомпенсированный отрицательный объемный заряд за счет оставшихся ионов акцепторных атомов примеси. Электроны же, ушедшие из n–слоя, оставляют здесь нескомпенсированный положительный объемный заряд, создаваемый положительными ионами донорных атомов примеси. Наличие объемного заряда является главной особенностью p-n-перехода. Кривая распределения объемного заряда в p-n-переходе показана на рис. 1.4,г. Ввиду наличия объемного заряда в p-n-переходе создаются электрическое поле и разность потенциалов.

Кривые E(x) и j (x) показаны на рис. 1.4, д, е (за нулевой принят потенциал n-слоя). Отметим, что рассмотренный процесс формирования p-n-перехода происходит уже на этапе введения в монокристалл акцепторной и донорной примесей.

Толщина слоя объемного заряда l₀  составляет доли микрометров и зависит от концентрации примеси (основных носителей заряда) в p– и n–областях (от удельного сопротивления слоев).объемные заряды по обе стороны границы раздела равны и создаются, как известно, неподвижными ионами примеси. Если бы концентрация акцепторной N_а  и донорной N_Д примесей были равны (симметричный p–n–переход), то концентрация отрицательных ионов слева от границы раздела и положительных ионов справа были бы также равны и p–n–переход имел бы одинаковые толщины слоев l_0p и l_0n. В рассматриваемом случае несимметричного p–n–перехода (N_а»N_Д) концентрация неподвижных отрицательных ионов слева от границы раздела AB будет выше концентрации неподвижных отрицательных ионов справа (рис. 1.4,а), в связи с чем равенству объемных зарядов обоих знаков (рис. 1.4, г) здесь будет отвечать условие l_0n» l_0p. Иными словами, p-n-переход толщиной l₀ будет преимущественно сосредоточен в n-области, как в более высокоомном.

Внутреннее электрическое поле, созданное объемными зарядами, является фактором, под действием которого обеспечивается равенство потоков носителей заряда через переход в обоих направлениях, т.е. равенство нулю суммарного тока в отсутствие внешнего электрического поля. Это обуславливается тем что внутреннее электрическое поле с потенциальным барьером j ₀  (рис. 1.4, е) создает тормозящее действие для основных и ускоряющее – для неосновных носителей заряда. Таким образом, внутреннее электрическое поле приводит к уменьшению плотности диффузионного тока Ј_диф через переход и появлению встречного ему дрейфового тока плотностью Ј_др.

Плотность диффузионного тока Ј_диф, обусловленного основными носителями заряда (рис. 1.4, в), направлена вдоль оси х и состоит из потока дырок, перемещающихся под действием диффузии из p–области в n–область, и потока электронов, диффундирующих из n–области в p–область.

1.4 Обозначение p–n–перехода в p–n–структуре полупроводника: а — р–n–структура полупроводника; б — распределение концентраций носителей заряда; в — составляющие тока в р–n–переходе; г— распределение заряда; д — диаграмма напряженности поля; е — потенциальный барьер в p–n–переходе

Плотность дрейфового тока Ј_др (рис.1.4, в) создается неосновными носителями заряда прилегающих к p–n–переходу слоев с толщиной, равной диффузионной длине: L_n – для электронов p–слоя и L_p – для дырок n–слоя (рис.1.4, а). неосновные носители заряда, совершая тепловое движение в этих слоях, успевают за время своей жизни попасть в область действия электрического поля, увлекаются этим полем и перебрасываются через переход. Таким образом. Плотность дрейфового тока определяется потоками подходящих неосновных носителей заряда из прилегающих к p–n–переходу слоев. Она зависит от концентрации неосновных носителей зарядов слоях и диффузионной длины. Дрейфовый ток имеет направление, противоположное направлению диффузионного тока.

Равенству нулю тока через переход в отсутствие внешнего напряжения соответствует уменьшение диффузионной составляющей тока до величины его дрейфовой составляющей. Равенство составляющих тока Ј_диф=Ј_др создается установлением соответствующей величины потенциального барьера j ₀ в p–n–переходе. Величина потенциального барьера j ₀ (называется также контактной разностью потенциалов) зависит от соотношения концентраций носителе заряда одного знака по обе стороны перехода и определяется соотношением:

.

Высота потенциального барьера зависит от температуры в виду зависимости от нее теплового потенциала и концентрации неосновных носителей заряда в слоях полупроводниковой структуры. Более сильное влияние температуры на концентрацию неосновных носителей заряда, чем влияние на величину j _Т, приводит к тому, что с ростом температуры высота потенциального барьера уменьшается. При комнатной температуре для германия j ₀=0,3¸0,5 В, а для кремния j ₀=0,6¸0,8 В. Различие в значениях j ₀ объясняется большей величиной D W_З в кремнии и, следовательно, меньшей концентрацией неосновных носителей заряда (при одинаковой температуре и одинаковых концентрациях внесенных примесей).

Уход неосновных носителей заряда через p–n–переход из прилегающих к нему слева, казалось бы , должен привести к уменьшению их концентрации с приближением к границе p–n–перехода. Вместе с тем концентрации неосновных носителей заряда в прилегающих к p–n–переходу слоях сохраняются на уровнях p_n и n_p (рис. 1.4, б), так как в условиях динамического равновесия уменьшение неосновных носителей заряда за счет их ухода через p–n–переход будет постоянно восполнятся носителями того же знака за счет их диффузии из противоположных слоев.

 

⇐ Предыдущая12345Следующая ⇒

Поделиться: