Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Основные параметры тиристоров



 

1. Класс тиристора. Класс характеризует максимальное повторяющееся напряжение, которое можно прикладывать к прибору как в прямом так и в обратном направлении и при этом он остается в непроводящем состоянии. Umax=Uпр.max » Uобр.max £ Кл*100 В. Классы от 0,5 до 20.

2. Номинальный прямой ток. Это допустимый средний ток в открытом состоянии. Диапазон токов: 100мА…2000А. Значение тока оговаривается при естественном и принудительном охлаждении. Принудительное охлаждение потоком воздуха применяется для мощных приборов. При этом оговаривается скорость воздуха.

3. Прямое падение напряжения в открытом состоянии Uпр. откр. Uпр.откр.=0,8...1,2 В.

4. Допустимая скорость нарастания напряжения на закрытом тиристоре в прямом направлении du/dt. Параметр du/dt приводится в справочнике. du/dt=100…2000 В/мкс. Тиристор имеет паразитные межэлектродные емкости - рис. 3.37. При приложении крутого фронта прямого напряжения может произойти самопроизвольное включение тиристора. Для ограничения du/dt параллельно тиристору подключают конденсатор определенной емкости, как показано на рис. 3.38. Последовательно с конденсатором включают небольшое сопротивление, т.к. при включении тиристора конденсатор разряжается через это сопротивление и тиристор, при этом сопротивление ограничивает ток разряда. Диод параллельно R обычно не ставят. Обычно С=0,2…2 мкФ, R=10…100 Ом мощностью до 25 Вт.

5. Допустимая скорость нарастания тока через открытый тиристор di/dt. При включении тиристора средней и большой мощности ток вначале начинает концентрироваться около управляющего электрода, а затем распределяется по всей полупроводниковой структуре. Концентрация тока, нарастающего с большой скоростью около управляющего электрода, может привести к прожогу структуры. Если di/dt ограничено, то ток успевает распределиться по структуре и разрушения полупроводника не будет. Для ограничения di/dt последовательно с тиристором включается индуктивность L. Часто в качестве L используется индуктивность трансформатора питания.

6. Время включения tвкл. Это интервал времени между началом импульса управления и моментом, когда напряжение на тиристоре снизится до 0,1 от напряжения питания. Составляет несколько микросекунд.

7. Время выключения tвыкл. Это интервал времени от момента перехода тока анода через ноль до момента приложения к нему прямого напряжения, не вызывающего его отпирания. Для приборов средней мощности tвыкл=50…300 мкс, что в несколько раз больше времени включения.

8. Ток управления Iупр. Различают Iупр.длит. и Iупр.имп.. Iупр.имп=20…1000мА.

9. Ток удержания Iуд. Это минимальное значение прямого тока, при котором тиристор остается в открытом состоянии при Iупр=0.

Симистор

Структура симистора представлена на рис. 3.39, а. Основу симистора составляет многослойная структура р1-n1-n22-n3-n4, в которой электрод В1 частично шунтирует области p1-n1, а управляющий элект­род - области р2-n4. Если к силовым электродам В1, и B2 подвести на­пряжение: плюс на B1, отрицательный потенциал относительно В2 к УЭ, то электроны области n4 пройдут через переход П4 и обогатят об­ласть p2. Потенциальный барьер обратно смещенного перехода П2 сни­жается, и по симистору от В1, к и В2 проходит прямой ток Iпр.

При смене полярности на силовых выводах отрицательный потен­циал электрода УЭ обеспечивает смещение П2 и П3 в прямом направле­нии. По структуре проходит обратный ток Iобр. В случае положитель­ной полярности на УЭ (на В1 минус, на В2 плюс) ранее закрытый пере­ход П2 откроется вследствие инжекции электронов из области n3, и по структуре пойдет прямой ток.

Вольт-амперная характеристика симистора изображена на рис. 3.39, в. Ветви характеристик в первом и третьем квадрантах отоб­ражают работу симистора при разных полярностях напряжения на его электродах. При отсутствии тока управления симистор отпирается напряжением любой полярности, превышающим напряжение включе­ния Uвкл. Если ток управления Iупр > 0, симистор работает аналогич­но двум встречно включенным диодам. На рис. 3.39, б приведено услов­ное графическое изображение симистора.


Поделиться:



Последнее изменение этой страницы: 2019-05-08; Просмотров: 177; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.012 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь