Технология изготовления фоторезисторов

Для их изготовления используется технология порошковой металлургии, конструкция в виде таблеток, которая далее подвергается термической обработке, затем таблетка приклеивается к стеклянной пластинке, на которой нанесены металлические электроды. Иногда используются прижимные устройства – пружинки. В настоящее время используются материалы, чувствительные к видимому, рентгеновскому и ультрафиолетовому излучению (CdSe, PbS, PbSe, InSb, CdHgTe, PbSnSe). Если указанные материалы используются с монокристаллической структурой, то на пластинки или шайбы монокристаллы укрепляются на изоляционной подложке специальным лаком, а на торцах кристаллов наносят механические электроды, чаще Ag и Ag-содержащие контактолы. Как и магниторезисторы, фоторезисторы тоже могут изготавливаться в виде растровой конструкции (для интегральной структуры может использоваться мозаичная конструкция фоторезистора для специальных применений, которая содержит окно из специального прозрачного стекла для прохождения излучения требуемой длины волны). Избирательные свойства стеклу окошка в корпусе придают путем введения различных примесей. Кроме прессования, резистивный элемент можно формировать распылением в водно-стеритовой суспензии (раствор взвешенных твердых частиц) полупроводникового материала, можно наносить пленки вакуумным напылением.

Домашнее задание

1. Ознакомиться с описанием данной лабораторной работы.

2. Подготовить начальную часть отчета, содержащую титульный лист, цель работы и краткие теоретические сведения (две-три страницы), указав объем намечаемых работ.

3. Подготовить формы табл. 1 и 2.

4. Иметь калькулятор, лист (формата А4) миллиметровой бумаги и ластик.

5. Подготовить ответы на контрольные вопросы.

Лабораторное задание

1. Практически ознакомиться с конструкциями дискретных резисторов на реальных образцах и заполнить форму табл.1.

2. Составить упрощенную схему основных этапов изготовления резисторов (для каждого типа резисторов).

3. Измерить сопротивление резисторов и определить реальный допуск на номинальное сопротивление резисторов; результаты измерений и расчетов занести в форму табл.2.

4. Построить зависимость R/R_полн. (α/α_полн.) для переменного резистора.

5. Сформулировать выводы по результатам работы, указав положительные и отрицательные моменты, сложившиеся при ее выполнении.

6. Составить отчет в соответствии с требованиями к нему.

 

Форма табл. 1.

Основные сведения о дискретных

резисторах

Обозначение резистора	Номи-нальное сопротивление, кОм	Номиналь-ная мощность, Вт	Форма корпуса (тип конструкции) и особенности конструкции (форма выводов, их расположение и др.)	Технологи-ческие особенно-сти (тип монтажа1, технология изготовле-ния РЭ)	Конструкционные материалы, используемы для изготовления резисторов, включая все его элементы

¹ Под типом монтажа следует понимать: традиционный монтаж (если компоненты предназначены для сборки и монтажа в отверстиях платы); поверхностный монтаж (если компоненты пригодны только для сборки и монтажа на поверхности платы).

 

Форма табл. 2.

Результаты измерений и расчетов

 

Подкласс и группа резистора	Измеренное сопротивление, Ом	Рассчитанное отклонение сопротивления, %	Нормативный допуск на сопротивление, %

 

Измерительные приборы, оснастка, образцы

Для выполнения работы необходимы:

- образцы дискретных резисторов (в специальной таре) разных подклассов (постоянные и переменные резисторы) и групп (по материалу РЭ);

- прибор для измерения сопротивления (тестер или др.);

- приспособления с лупой (или отдельная лупа);

- измерительная линейка, транспортир;

- пинцет глазной.

⇐ Предыдущая45678910111213Следующая ⇒

Поделиться: