а – керамика, стёкла ; б – керамика; в ,г – стелокерамика в сочетании с полимерными пленками; д, е – керамика; ж, з – оксид Al ; и – специальные виды керамики.

А – слюда, стеклоэмаль, стеклокерамика, специальные виды керамики; б – разные виды конденсаторной керамики; в –аналогичны б, стеклокерамика; г, д, е – аналогичны б; ж – конденсаторная бумага, разные виды полимерных пленок (или лент), комбинации различных органических материалов; з – оксиды Al , Ta ; и – аналогичны в, оксиды Al , Ta , Nb .

3. а – слюда, керамика; б…е – разные виды конденсаторной керамики; ж – ленты керамики, бумаги; з – полимерные пленки, оксиды Al ; и – керамика.

4. а – стеклокерамика; б…д – керамика, стеклокерамика; е, ж, з – керамика, бумага; и – керамика, стёкла.

5. а – стеклоэмали; б…е – керамика, стеклоэмали; ж, з – конденсаторная бумага, оксид Al ; и – керамика, полимерные пленки.

Правильный ответ –

13) Для изготовления постоянных конденсаторов конструкций:

а – пакетной;

б – трубчатой;

в – пластинчатой;

г – дискообразной;

д – литой секционированной;

е – многослойной монолитной;

ж – рулонной;

з – резервуарной;

и – типа – чип;

используют следующие основные технологии:

к – спрессовывание с обжимками пакета диэлектрических металлизированных пластин;

л – приемы тонкопленочной технологии;

м – приемы толстопленочной технологии;

н – литьё керамики;

о – нанесение и вжигание серебросодержащих покрытий;

п – формирование влагозащитных покрытий;

р – литьё горячей керамики по форме с пазами;

с – химическая, либо химико-гальваническая металлизация;

т – спекание металлизированных слоев керамики, стеклокерамики;

у – формирование внешних выводов (микроконтактироване);

ф – формирование выводных площадок;

х – свертывание в рулон лент из различных органических и неорганических материалов;

ц – изготовление металлобумажных заготовок;

ч – сборка и герметизация в корпусе;

ш – пропитка волокнистых материалов электролитом;

щ – спекание стержня и порошка металла с последующим анодированием получаемой пористой поверхности слага;

э – формирование слоя MnO₂;

ю – опрессовка пластмассой;

я – заливка герметиком.

Определить технологии, используемые для создания каждой конструкции конденсатора.

1. а – к…м, о, с, у ; б – л…п, у; в – м, у; г – л…о, у; д – м…р, у; е – м… п, т, у; ж – о, н, с, х, ц, ш, ю; з – у…ш; и – л…п, т, у, щ…я.

2. а – к…н, п, у ; б – л…п, у; в – м, о, у; г – л…п, у; д – н…п, у; е – м… п, т, у; ж –с, у, х… ш, я; з – т…ч, я; и – м…о, у, ф, ч…я.

3. а – к…о, с, у ; б – л…н, п, у; в – л…п, у; г – м…о, у; д – о…с, у; е – м… п, т, у; ж –с, х… ч, ю; з – у…щ, ю; и – н…р, у, ф, ч…ю.

4. а – к…п, т, у ; б – м…о, п, у; в – л…о, у; г – л…п, у; д – н…ф, у; е – м… п, т, у; ж –у, х… ш, ю, я; з – с; у, х…щ; и – о, п, с…ф; щ…я.

5. а – к…м, о, п, у ; б – м…п, у; в – л…п, у; г – м…п, у; д – м, о…р, у; е – м… п, т, у; ж – с, у, х…ш; з – с, у, х…ч, щ; и – л…п, т, ф, щ…я.

Правильный ответ –

14) Какие материалы для изготовления

а – варикапов; б – варакторов;в – варикондов;

из: г – Si, Ge; д – GaAs;

е – GaP; ж – различные виды сегнетокерамики на основе титаната бария;

з – TeS; и – керамика на основе Si₃N₄;

указаны неверно?

1. а – г; б – г; в – ж.

2. а – г, д; б – г, д; в – ж.

3. а – е; б – з; в– и.

4. а – д; б – г; в – ж.

5. а – г; б – д; в – ж.

Правильный ответ –

15) Назовите материалы диэлектриков конденсаторов общего назначения:

а – переменных; б – подстроечных;

из: в – воздух; г – конденсаторная керамика; д – стекло;

е – кварц; ж – сапфир; з – слюда; и – вакуум; к – элегаз;

л – органический пленочный материал;

м – сегнетокерамика; н – оксиды Al, Ta, Nb.

1. а – в, г, и, к; б – в…к, м.

2. а – в, и…м; б – г…и, н.

3. а – в, г, и…л; б – в…з, л.

4. а – в, г, и…н; б – г…з, н.

5. а – г, и…м; б – в, и…н.

Правильный ответ –

16) Каковы основные технологии изготовления таких специальных конденсаторов как:

а – варакторы;

б – варикапы;

в –вариконды;

г – термоконденсаторы ? Выберите из:

д – тонкопленочная;

е – толстопленочная;

ж – литье керамики;

з – прессование композиционного материала;

и – полупроводниковая технология;

к– технология микроконтактирования;

л – технология вжигания электропроводящего материала;

м – технология корпусирования;

н – формирование защитных покрытий;

о – формирование выводов;

п – формирование выводных контактных площадок.

1. а – д, и…м; б – д, и, к, н. п; в – е…з, л…п; г – д…з, м…о.

2. а – д, з…н; б – д, и, к, м…о; в – з, к…м, п; г – е…з, к…н.

3. а – е, и…о; б – и…п; в – д…з, н…п; г – ж, з, л…п.

4. а – з…м; б – д, з…л, о; в – е…з, м…о; г – ж, з, н…п.

5. а – и, к, н…п; б – и, к, н…п; в – е…з, к, л, н…п; г – е…з, л, н, п.

Правильный ответ –

17) Катушки индуктивности, используемые в ЭУ, могут быть:

а – контурные; б – длинноволновые;

в – ультракоротковолновые; г – катушки связи;

д – средневолновые; е – коротковолновые; ж – дроссели;

з – трансформаторные; и – вариометры;

к – частотноизбирательные;

л – ограничительные; м – помехоподавляющие.

Какие из них указаны не по критерию «назначение»?

1. а; г; ж… и.

2. г; ж… и.

3. ж… и.

А; г; и.

5. б; в; д; е; к…м.

Правильный ответ –

18) Назовите особенности конструкций катушек индуктивности из:

а – тонкопленочные; б – с каркасом; в – толстопленочные;

г – бескаркасные; д – объемные; е – экранированные; ж – плоские; з – однослойные; и – неэкранированные; к – намотанные;

л – с магнитным сердечником или без него; м – многослойные;

н – секционированные; о – печатные; п – типа чип; р – с немагнитным сердечником.

1. а …е; з… м.

2. б; г…ж, и; л; п; р.

3. а; б; г…з; л.

4. г…м; о; п; р.

5. б…л; н; п.

 

Правильный ответ –

19) Укажите особенности намоток, чаще всего реализуемых при изготовлении обмоток объемных катушек индуктивности (КИ) (включая трансформаторные), применяемых:

а – в контурных КИ ДВ – и СВ - диапазонов;

б –в контурных КИ КВ – и УКВ - диапазонов;

в – в катушках связи;

г – для низкочастотных дросселей;

д – для вариометров;

е – для дросселей высокой частоты;

ж – в навесных КИ для ГИС;

з – для импульсных трансформаторов;

и – для силовых низкочастотных трансформаторов;

к – для согласующих трансформаторов;

выбрав из:

л – многообмоточная намотка на стержневом или тороидальном сердечнике (магнитопроводе);

м – многообмоточная намотка на Ш - образном магнитопроводе с немагнитным зазором;

н – намотка многослойная универсальная на пластмассовом каркасе;

о –намотка однослойная сплошная на пластмассовом каркасе;

п – многослойная (рядовая, внавал) намотка на пластмассовом каркасе;

р – бескаркасная намотка;

с – на керамическом каркасе вожженная намотка;

т – на керамическом каркасе горячая тугая намотка;

у – на пластмассовом каркасе однослойная намотка с шагом;

ф – секционированная универсальная намотка на пластмассовом каркасе;

х – многослойная (внавал) на тороидальном магнитном сердечнике;

ц – двухобмоточная однослойная намотка на каркасе;

ч – двухобмоточная намотка на ферритовом П - образном сердечнике;

ш – однослойная намотка на тороидальном каркасе (круглого или прямоугольного сечения);

щ – двухобмоточная с одно - и многослойной (универсальной) намотками на каркасе;

э – однослойная намотка (преимущественно с шагом) на каркасах из высокочастотных диэлектриков (возможно с пазами);

ю – однослойная сплошная, либо многослойная (чаще – универсальная) намотка на ферритовые стержни.

1. а – н…у; б – м; ф; у; в – х; ш; г –х; ч…ю; д – л…о; е – р; ж – х; з – ф; х; и – л; м; к – л; м.

2. а – о; н; ф; х; б –р, с, т, у, э, ю; в –ц; щ; г – о; п; х; д – ч; е – н…п; у; х; ю; ж – х; э; ю; з – ю; и – н; к – м.

3. а – н; п; ф; х; б – о, р, с, т, у, э, ю; в – ф; ц; щ; г – н; о; п; х; д – ц,ч; е – н…п; у; х; ю; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м.

4. а – н; ф; х; б – о, с, т, у, э, ю; в – ф; щ; г – н; п; х; д – ц, е – н…п; у; х; ю; ж – н, э; ю; з – л; и – л; к – л…ю.

5. а – н; п; х; б – о, р, т, у, э, ю; в – ф; ц; г – н; о; п; х; д – ц, ч…э; е – н…п; у; х; ю; э; ж – н, х; э; ю; з – л; ю; и – л; н; к – л; м…э.

Правильный ответ –

20) Назовите основные технологии изготовления катушек индуктивности:

а – плоской конструкции; б – чип-конструкции; из следующих:

в – толстопленочная технология;

г – тонкопленочная технология;

д – полупроводниковая технология;

е – субтрактивная технология;

ж – тонкопленочная с гальваническим доращиванием электропроводящего слоя;

з – технология по типу формирования слоев керамики, чередуемых с металлизацией этих слоёв;

и – технология опрессовывания пластмассой;

к – технология формирования внешних выводов.

1. а – в…ж; к; б – в…д; з…к.

2. а – в…е; к; б – г; ж…к.

3. а – г…з; к; б – в; е; и; к.

4. а – г; е; ж; к; б – в; з; и; к.

5. а – г, ж… к; б – в; ж; и; к.

Правильный ответ –

 

21) Для изготовления акустоэлектронных компонентов, таких как:

а – резонаторов на ПАВ; б – фильтров на ПАВ;

в – линий задержки на ПАВ; укажите основные технологии из следующих:

г – формирование звукопровода на основе монокристаллических LiNbO₃, или Bi₁₂GeO₂₀ , или LiTaO₃ , или SiO₂;

д – формирование звукопровода по тонкопленочной технологии (пленки ZnO и AlN) на сапфире;

е – формирование звукопровода на основе кварца;

ж – формирование звукопровода на основе пьезокерамики;

з – тонкопленочная технология формирования преобразователей, включая фотолитографию;

и – толстопленочная технология формирования преобразователей;

к – технология сборки и монтажа;

л – технология герметизации;

м – технология корпусирования;

н – технология формирования защитных покрытий.

1. а – е; з; к; л; б – г; з; к; м; в – г; з; к; м.

2. а – е; з… л; б – д; з; и; м; в – ж; з; к…м.

3. а – г; ж…м; б – ж; з; к; л; в – г; и… м.

4. а – д; з; и; к; н; б – г; ж; з; к; в – д; з; к… м.

5. а – ж; з; к; м; б – д; и…н; в – е; з…л.

Правильный ответ –

22) Укажите основные технологии изготовления оптронов:

а – на дискретных компонентах; б – на интегральных элементах; из:

в –технология формирования подложки;

г – субтрактивная технология;

д – полупроводниковая технология (на монокристаллах соединений А³В⁵ или твердых растворов на их основе);

е – тонкопленочная технология;

ж – толстопленочная технология;

з – технология формирования световода;

и – технология сборки и монтажа;

к – технология прецизионной сборки и монтажа интегрально-оптических элементов;

л – технология герметизации.

1. а – в; г…л; к;  б – в…е; з; и.

2. а – в; г; е; з…л; б – в…д; к; л.

3. а – в; г; е; з; и; л; б – в; д; е; з; к; л.

4. а – в; е…л;      б – в… з; л.

5. а – в; е; и; л;    б – в… и; л.

Правильный ответ –

 

⇐ Предыдущая10111213141516171819

Поделиться: