Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА



 

 

Составитель: к.х.н., доцент Д.В. Ситанов.

 

 

Иваново, 2011 г.

Р А Б О Ч А Я У Ч Е Б Н А Я П Р О Г Р А М М А

По дисциплине " МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР"

Курс 3 Семестр 6. Экзамен 6 сем. Зачет 6 сем.

Всего часов по дисциплине: 170

Аудиторные занятия: 75 час.

Лекции - 30 час.

Лабораторно-практические занятия - 45 час.

Самостоятельная работа - 95 часов

1. ВВЕДЕНИЕ.

1.1. Цели и задачи изучения дисциплины.

Предметом изучения являются методы исследования электрофизических параметров, структуры и состава материалов микроэлектроники.

1.2. Требования по дисциплине.

Выпускник должен: иметь представление:

- о свойствах и структуре материалов микроэлектроники и методах их исследования;

- о возможностях современных методов измерения структурных и концентрационных параметров материалов;

знать и уметь использовать:

- основные физические принципы и методы измерения свойств материалов и структур электронной техники;

- методы анализа и интерпретации результатов измерений;

- принципы эксплуатации и сервисного обслуживания аналитических комплексов;

2. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ (учебные модули).

Модуль 1. Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников.

2.1.1. Лекционный материал: 10 час.

Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников: удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, измерение характеристических параметров неравновесных носителей заряда;

2.1.2. Лабораторные занятия: 12 часов.

- измерение удельного сопротивления полупроводников;

- измерение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниках;

- измерение времени жизни и диффузионной длины носителей заряда.

2.1.3.Практические занятия: 3 час.

- анализ и выбор условий измерения параметров полупроводников.

2.1.4. Самостоятельная работа: 30 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену.

Модуль 2. Методы измерения параметров глубоких центров в полупроводниках

2.2.1. Лекционный материал: 10 час.

Методы измерения параметров глубоких центров в полупроводниках: методы исследования микроструктуры точечных дефектов; прецизионная профилометрия поверхности и измерение геометрических размеров в структурах электроники;

2.2.2. Лабораторные занятия: 12 часов.

- исследование микроструктуры дефектов;

- Исследование рельефа поверхности и измерение геометрических размеров микроструктур;

2.2.3.Практические занятия: 3 час.

- Анализ возможностей и чувствительности различных методов микроизмерений.

2.2.4. Самостоятельная работа: 30 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену.

Модуль 3. Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей.

2.3.1. Лекционный материал: 10 час

Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей по основным и примесным компонентам методами электронной и ионной спектроскопии, а также ядерно-физическими методами анализа; дифракционные методы анализа кристаллической структуры; эксплуатация и сервисное обслуживание аналитических комплексов.

2.3.2. Лабораторные занятия: 12 часов.

- исследование состава поверхности методами ВИМС и Оже-спектроскопии;

- Анализ структуры кристалла дифракционным методом.

Примечание: данные работы выполняются в обзорном виде с последующим анализом спектров.

2.3.3.Практические занятия: 3 час.

- анализ возможностей и чувствительности методов измерения структуры и состава;

2.3.4. Самостоятельная работа: 35 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену.

3. ФОРМЫ ОТЧЕТНОСТИ:

3.1. Коллоквиумы по лабораторным модулям, всего 3 коллоквиума на 2, 6, 10 неделях.

3.2. Контрольные работы - письменные экзамены или тестирование по модулям, всего 3, на 4, 9, 13 неделях.

4. ЛИТЕРАТУРА

4.1. Основная:

1. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь: Сев.КавГТУ, 2002, 432 с.

2. Отто М. Современные методы аналитической химии: В 2 т.: пер. с нем. Т. 1, (2). М.: Техносфера, 2003. - 412 с.

3. Банкер Ф. Симметрия молекул и спектроскопия / Пер. с англ. Под ред. Н.Ф. Степанова. - 2-е перераб. изд. М.: Мир, 2004. - 763 с.

4. Физические методы исследования материалов электронной техники. Учебное пособие. Ставрополь, Изд. Сев-Кавказ. ГТУ, 2002 г., 429 с.

5. Брандон Д. Микроструктура материалов: Методы исследования и контроля: учеб. Пособие / Пер. с англ. под ред. С. Л. Баженова. - М.: Техносфера, 2004. - 377 с.

6. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учеб. пособие для старших курсов вузов / Рос.акад. наук, Ин-т физики микроструктур г. Н. Новгород. - М.: Техносфера, 2005.

4.2. Дополнительная:

1. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Структурные методы и оптическая спектроскопия. М.: Высшая школа, 1987, 367с.

2. Вилков Л.В., Пентин А.Ю. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы. М.: Высшая школа, 1989, 288 с.

3. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985, 264 с.

4. Ситанов Д.В. Электрофизические и радиоэлектронные измерения. Лабораторный практикум. Иваново, ИГХТУ, 2002 г., 64 с.

5. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха). М.: Мир, 1987, 600 с.

6. Материалы для производства изделий электронной техники. М.: Высшая школа, 1987, 247 с.

7. Новиков И.И., Строганов Г.Б., Новиков А.И. Металловедение, термообработка и рентгенография. М.: МИСИС, 1994, 480 с.

 

5. ПРИМЕНЕНИЕ ЭВМ:

5.1. Обучающе – контролирующие системы:

- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;

- текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки.

5.2. Справочно-информационные системы:

- база данных по компонентам твердотельной электроники.

ГРАФИК ТЕКУЩЕГО И ПРОМЕЖУТОЧНОГО КОНТРОЛЯ

Количество баллов в соответствии с действующей в университете рейтинговой системой, которое может набрать студент

 

Семестр Контрольные точки Название темы изучения Вид отчетности Срок сдачи (неделя) Рейтинг (баллы)
Модуль 1. Методы измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур Отчет по работе № 1, 2 Самостоятельная работа 1. Тестовое задание 1.
Модуль 2. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниках. Отчет по работе № 3, 4. Самостоятельная работа 1. Тестовое задание 2.
Модуль 3. Измерение времени жизни, диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда. Модуль 4. Контроль состава, содержания примесей, загрязнений и структурного совершенства в полупроводниковых материалах и структурах. Модуль 5. Измерение параметров различных структур: металл-диэлектрик, диэлектрик-полупроводник, металл – диэлектрик - полупроводник. Отчет по работе № 5. Самостоятельная работа 1. Тестовое задание 3. Тестовое задание 4.
Экзамен
Итого за семестр

КАРТА ОБЕСПЕЧЕННОСТИ ДИСЦИПЛИНЫ УЧЕБНОЙ И МЕТОДИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРОЙ

 

1. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь: Сев.КавГТУ, 2002, 432 с. ( 40 экз ).

2. Отто М. Современные методы аналитической химии: В 2 т.: пер. с нем. Т. 1, (2). М.: Техносфера, 2003. - 412 с. (276 с.) ( 3 экз ).

3. Банкер Ф. Симметрия молекул и спектроскопия / Пер. с англ. Под ред. Н.Ф. Степанова. - 2-е перераб. изд. М.: Мир, 2004. - 763 с. ( 1 экз )

4. Драго Р. Физические методы в химии: в 2 т. Т.1, (2) / пер. с англ. А. А. Соловьева; под ред. О. А. Реутова. - М.: Мир, 1981. - 422 с. (456 с.) ( 11 экз )

5. Брандон Д. Микроструктура материалов: Методы исследования и контроля: учеб. Пособие / Пер. с англ. под ред. С. Л. Баженова. - М.: Техносфера, 2004. - 377 с. ( 6 экз ).

6. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учеб. пособие для старших курсов вузов / Рос.акад. наук, Ин-т физики микроструктур г. Н. Новгород. - М.: Техносфера, 2005. ( 3 экз ).

7. Физические методы исследования материалов электронной техники. Учебное пособие. Ставрополь, Изд. Сев-Кавказ. ГТУ, 2002 г., 429 с. (25 экз.)

8. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Структурные методы и оптическая спектроскопия. М.: Высшая школа, 1987, 367 с. (39 экз.)

9. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы. М.: Высшая школа, 1989, 288 с. (2 экз.)

10. Ситанов Д.В. Электрофизические и радиоэлектронные измерения. Лабораторный практикум. Иваново, ИГХТУ, 2002 г., 64 с. (60 экз.)

 


Поделиться:



Последнее изменение этой страницы: 2017-03-13; Просмотров: 488; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.026 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь