Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКАСтр 1 из 2Следующая ⇒
Составитель: к.х.н., доцент Д.В. Ситанов.
Иваново, 2011 г. Р А Б О Ч А Я У Ч Е Б Н А Я П Р О Г Р А М М А По дисциплине " МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР" Курс 3 Семестр 6. Экзамен 6 сем. Зачет 6 сем. Всего часов по дисциплине: 170 Аудиторные занятия: 75 час. Лекции - 30 час. Лабораторно-практические занятия - 45 час. Самостоятельная работа - 95 часов 1. ВВЕДЕНИЕ. 1.1. Цели и задачи изучения дисциплины. Предметом изучения являются методы исследования электрофизических параметров, структуры и состава материалов микроэлектроники. 1.2. Требования по дисциплине. Выпускник должен: иметь представление: - о свойствах и структуре материалов микроэлектроники и методах их исследования; - о возможностях современных методов измерения структурных и концентрационных параметров материалов; знать и уметь использовать: - основные физические принципы и методы измерения свойств материалов и структур электронной техники; - методы анализа и интерпретации результатов измерений; - принципы эксплуатации и сервисного обслуживания аналитических комплексов; 2. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ (учебные модули). Модуль 1. Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников. 2.1.1. Лекционный материал: 10 час. Основные методы измерения электрофизических параметров полупроводников: удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, измерение характеристических параметров неравновесных носителей заряда; 2.1.2. Лабораторные занятия: 12 часов. - измерение удельного сопротивления полупроводников; - измерение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниках; - измерение времени жизни и диффузионной длины носителей заряда. 2.1.3.Практические занятия: 3 час. - анализ и выбор условий измерения параметров полупроводников. 2.1.4. Самостоятельная работа: 30 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену. Модуль 2. Методы измерения параметров глубоких центров в полупроводниках 2.2.1. Лекционный материал: 10 час. Методы измерения параметров глубоких центров в полупроводниках: методы исследования микроструктуры точечных дефектов; прецизионная профилометрия поверхности и измерение геометрических размеров в структурах электроники; 2.2.2. Лабораторные занятия: 12 часов. - исследование микроструктуры дефектов; - Исследование рельефа поверхности и измерение геометрических размеров микроструктур; 2.2.3.Практические занятия: 3 час. - Анализ возможностей и чувствительности различных методов микроизмерений. 2.2.4. Самостоятельная работа: 30 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену. Модуль 3. Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей. 2.3.1. Лекционный материал: 10 час Измерение состава твердых тел и концентрационных профилей по основным и примесным компонентам методами электронной и ионной спектроскопии, а также ядерно-физическими методами анализа; дифракционные методы анализа кристаллической структуры; эксплуатация и сервисное обслуживание аналитических комплексов. 2.3.2. Лабораторные занятия: 12 часов. - исследование состава поверхности методами ВИМС и Оже-спектроскопии; - Анализ структуры кристалла дифракционным методом. Примечание: данные работы выполняются в обзорном виде с последующим анализом спектров. 2.3.3.Практические занятия: 3 час. - анализ возможностей и чувствительности методов измерения структуры и состава; 2.3.4. Самостоятельная работа: 35 час. Обработка и анализ результатов лабораторных работ, подготовка к коллоквиуму, практическим занятиям, письменному экзамену. 3. ФОРМЫ ОТЧЕТНОСТИ: 3.1. Коллоквиумы по лабораторным модулям, всего 3 коллоквиума на 2, 6, 10 неделях. 3.2. Контрольные работы - письменные экзамены или тестирование по модулям, всего 3, на 4, 9, 13 неделях. 4. ЛИТЕРАТУРА 4.1. Основная: 1. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь: Сев.КавГТУ, 2002, 432 с. 2. Отто М. Современные методы аналитической химии: В 2 т.: пер. с нем. Т. 1, (2). М.: Техносфера, 2003. - 412 с. 3. Банкер Ф. Симметрия молекул и спектроскопия / Пер. с англ. Под ред. Н.Ф. Степанова. - 2-е перераб. изд. М.: Мир, 2004. - 763 с. 4. Физические методы исследования материалов электронной техники. Учебное пособие. Ставрополь, Изд. Сев-Кавказ. ГТУ, 2002 г., 429 с. 5. Брандон Д. Микроструктура материалов: Методы исследования и контроля: учеб. Пособие / Пер. с англ. под ред. С. Л. Баженова. - М.: Техносфера, 2004. - 377 с. 6. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учеб. пособие для старших курсов вузов / Рос.акад. наук, Ин-т физики микроструктур г. Н. Новгород. - М.: Техносфера, 2005. 4.2. Дополнительная: 1. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Структурные методы и оптическая спектроскопия. М.: Высшая школа, 1987, 367с. 2. Вилков Л.В., Пентин А.Ю. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы. М.: Высшая школа, 1989, 288 с. 3. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985, 264 с. 4. Ситанов Д.В. Электрофизические и радиоэлектронные измерения. Лабораторный практикум. Иваново, ИГХТУ, 2002 г., 64 с. 5. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха). М.: Мир, 1987, 600 с. 6. Материалы для производства изделий электронной техники. М.: Высшая школа, 1987, 247 с. 7. Новиков И.И., Строганов Г.Б., Новиков А.И. Металловедение, термообработка и рентгенография. М.: МИСИС, 1994, 480 с.
5. ПРИМЕНЕНИЕ ЭВМ: 5.1. Обучающе – контролирующие системы: - тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю; - текст лекций с контрольными вопросами для самопроверки. 5.2. Справочно-информационные системы: - база данных по компонентам твердотельной электроники. ГРАФИК ТЕКУЩЕГО И ПРОМЕЖУТОЧНОГО КОНТРОЛЯ Количество баллов в соответствии с действующей в университете рейтинговой системой, которое может набрать студент
КАРТА ОБЕСПЕЧЕННОСТИ ДИСЦИПЛИНЫ УЧЕБНОЙ И МЕТОДИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРОЙ
1. Рембеза С.И., Синельников Б.М., Рембеза Е.С., Каргин Н.И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. Ставрополь: Сев.КавГТУ, 2002, 432 с. ( 40 экз ). 2. Отто М. Современные методы аналитической химии: В 2 т.: пер. с нем. Т. 1, (2). М.: Техносфера, 2003. - 412 с. (276 с.) ( 3 экз ). 3. Банкер Ф. Симметрия молекул и спектроскопия / Пер. с англ. Под ред. Н.Ф. Степанова. - 2-е перераб. изд. М.: Мир, 2004. - 763 с. ( 1 экз ) 4. Драго Р. Физические методы в химии: в 2 т. Т.1, (2) / пер. с англ. А. А. Соловьева; под ред. О. А. Реутова. - М.: Мир, 1981. - 422 с. (456 с.) ( 11 экз ) 5. Брандон Д. Микроструктура материалов: Методы исследования и контроля: учеб. Пособие / Пер. с англ. под ред. С. Л. Баженова. - М.: Техносфера, 2004. - 377 с. ( 6 экз ). 6. Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учеб. пособие для старших курсов вузов / Рос.акад. наук, Ин-т физики микроструктур г. Н. Новгород. - М.: Техносфера, 2005. ( 3 экз ). 7. Физические методы исследования материалов электронной техники. Учебное пособие. Ставрополь, Изд. Сев-Кавказ. ГТУ, 2002 г., 429 с. (25 экз.) 8. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Структурные методы и оптическая спектроскопия. М.: Высшая школа, 1987, 367 с. (39 экз.) 9. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы. М.: Высшая школа, 1989, 288 с. (2 экз.) 10. Ситанов Д.В. Электрофизические и радиоэлектронные измерения. Лабораторный практикум. Иваново, ИГХТУ, 2002 г., 64 с. (60 экз.)
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-03-13; Просмотров: 488; Нарушение авторского права страницы