Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


ЭЛЕКТРОНИКА И ЦИФРОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА



ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И ЦИФРОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИкА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ

ТЕХНИКА

 

Методические указания к выполнению курсовой работы для студентов технических специальностей очной и заочной формы обучения

(вариант II)

 

 

Составитель: А.Э. Сидорова, ассистент

 

Тюмень

ТюмГНГУ

2014

 

Электроника; электроника и микропроцессорная техника [Текст]: Методические указания к выполнению курсовой работы / сост. А. Э. Сидорова; Тюменский государственный нефтегазовый университет.– Тюмень: ТюмГНГУ, 2014.– 51 с.

 

 

Методические указания рассмотрены и рекомендованы к изданию на заседании кафедры кибернетических систем

« __»____________________ 2015 года, протокол № 8.

 

 

Аннотация

 

Методические указания к выполнению курсовой работы (вариант II) предназначены для студентов, обучающихся по техническим специальностям. Дисциплина изучается в одном или двух семестрах.

Приведено содержание упрощенного инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку, примерные задания и количество баллов за каждый элемент защиты курсовой работы, в приложениях приведено содержание курсовой работы, вид титульного листа, ряды номинальных базовых электронных элементов.

 

 


СОДЕРЖАНИЕ

 

Введение............................................................................................................................ 4

1. Задание на курсовую работу....................................................................................... 5

2. Выбор блок-схемы........................................................................................................ 6

3. Расчет элементов используемых в схеме:.................................................................. 6

3.1Выходной усилительный каскад.......................................................................... 6

3.2 Эмиттерный повторитель №3 на транзисторах VT8, VT7................................ 13

3.3 Аттенюатор........................................................................................................... 15

3.4 Эмиттерный повторитель №2 на транзисторах VT6, VT5................................ 17

3.5 Цепь Вина.............................................................................................................. 20

3.6 Отрицательная нелинейная обратная связь....................................................... 22

3.7 Предварительный усилитель на транзисторах VT4, VT3................................ 23

3.8 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT2, VT1.............................. 28

4. Расчет разделительных конденсаторов..................................................................... 30

5. Расчет параметрических стабилизаторов напряжения............................................ 31

6. Расчет радиаторов....................................................................................................... 34

7. Расчет АФХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4................................................ 35

8. Карты режимов............................................................................................................. 37

9. Спецификация элементов........................................................................................... 38

10. Список использованных источников...................................................................... 39

Приложение А........................................................................................................... 40

Приложение Б............................................................................................................ 41

Приложение В........................................................................................................... 42

 

 


Введение

Цель и задачи курсовой работы

Целью выполнения курсовой работы является проведение упрощенного инженерного расчета усилителя мощности.

Основными задачами выполнения курсовой работы является формирование у студентов необходимых знаний основных электротехнических законов и методов инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку. Упрощенный инженерный расчет предполагает проведение самых элементарных вычислений с использованием графиков, заранее построенных на основе обобщенных результатов моделирования, вместо того, чтобы каждый раз обращаться к решению исходных дифференциальных уравнений.

В результате выполнения курсовой работы студент должен

знать:

- основные законы электротехники;

- принципы работы основных электрических узлов и схем, особенности их применения, их рабочие характеристики;

- элементную базу современных полупроводниковых устройств;

- основные требования к устройству электроустановок;

- базовые элементы электроники, их свойства и сравнительные характеристики;

- параметры и характеристики полупроводниковых приборов;

- параметры и характеристики основных функциональных узлов электронных устройств;

- свойства и характеристики интегральных схем элементов.

уметь:

- читать электрические и электронные схемы;

- грамотно применять в своей работе электротехнические и электронные устройства и приборы, первичные преобразователи и исполнительные механизмы;

- использовать пакеты прикладных программ для произведения инженерных и прочих расчетов, такие как Mathcad;

- подбирать необходимую аппаратуру для проведения измерений в цепи с заданными параметрами;

- формулировать принципы энергосберегающих технологий;

- проектировать и строить основные функциональные узлы электронных устройств автоматических и автоматизированных систем.

владеть:

- методами инженерных расчетов для различных электронных узлов и устройств;

- способность анализировать работу электронных схем в нормальном режиме;

- умением принимать решения при выборе и анализе различных электронных элементов;

- навыками письменного и устного аргументированного изложения собственной точки зрения.

Порядок защиты курсовой работы

В начале семестра выдается задание на курсовую работу, в течение семестра студенты выполняют расчет и проектируют принципиальную электрическую схему устройства, затем оформляют работу в соответствии с требованиями ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления». Затем студенты предоставляют пояснительную записку к курсовой работе и графическую часть. После проверки правильности оформления и расчета студенты защищают курсовую работу.

Критерии оценки работы студента

Критерии оценки в баллах приведены в таблице:

I этап II этап III этап IV этап V этап
Расчет главы 3.1 Расчет глав 3.2 – 3.8 Проектирование схемы Оформление Защита курсовой работы
0-10 баллов 0-20 баллов 0-20 баллов 0-20 баллов 0-30 баллов

 

1. Задание на курсовую работу:

 

Спроектировать электронное устройство, учитывая параметры, приведенные в техническом задании (пример):

вариант ФИО Pвых [вт] Rн[Ом] fн[Гц] Мн аттенюатор[Дб]  
 
Иванов Иван Иванович 12, 38 5, 62 40, 98 1, 0654 -0, 650  
Кf % Rвх[кОм] Uвх[в] Uбэнач мах[в] Сн[пФ]    
С1 С2    
0, 0784 - - 0, 909    
                                   

 

Требования, предъявляемые к выполнению курсовой работы:

1. Использовать при расчетах среднее значение β транзистора, приведенное в справочнике, но не более 150.

3. Во всех каскадах ввести обратную отрицательную связь с глубиной не менее 5, т.е. F≥ 5.

4. Для одного из каскадов рассчитать АЧХ и ФЧХ до М=√ 2.

5. Привести карту режимов и спецификацию элементов.

6. Все элементы должны быть пронумерованы. Нумерация элементов сквозная.

7. Отклонение всех параметров от расчетных (заданных) не более ±10%.

8. В аттенюаторе регулировка плавная и дискретная.

9. Значения резисторов и конденсаторов выбираются в соответствии номиналами (использовать ряд Е24).

10. Оформление курсовой работы согласно ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления».

11. Привести информацию об изготовлении печатных и монтажных плат.

12. Спроектировать принципиальную электрическую схему электронного устройства и привести в графической части работы на листе формата А3, с использованием пакета прикладных программ (таких как AutoCAD, sPlan 7 Portable Rus и т.п.)

Обязательные пункты, входящие в содержание курсовой работы приведены в приложении А.

Пример титульного листа приведен в приложении Б.

Ряды номинальных базовых электронных элементов приведены в приложении В. В соответствии с рядом Е24 необходимо привести к номинальному значению все сопротивления в расчете, которые имеют порядковые номера (например R41)

Далее приведен упрощенный инженерный расчет электронного устройства – АВТОГЕНЕРАТОРА С МОСТОМ ВИНА.

 

Выбор блок-схемы

Автономный источник синусоидальных колебаний, работающий в режиме самовозбуждения, называется генератором. Он является преобразователем энергии источника питания в энергию колебаний переменного тока требуемой частоты.

RC-генераторами называются автогенераторы, частота входных колебаний которых определяется цепями, состоящими из сопротивлений и емкостей.

Структурная схема RC-автогенератора с мостом Вина может быть представлена в виде замкнутой системы.

Рис. 1 Блок-схема автогенератора с мостом Вина

 

Источник питания (на схеме не обозначен);

Ø Цепь Вина используется как частотозадающая цепь;

Ø Повторитель ( П1 ) служит для согласования фазирующей цепи с усилителем напряжения по сопротивлению;

Ø Усилители напряжения ( УН1, УН2 ) обеспечивают баланс фаз и баланс амплитуд (при введении нелинейной отрицательной обратной связи);.

Ø Повторители ( П2 и П3 ) согласуют задающий генератор с усилителем мощности по сопротивлению и обеспечивающих необходимый режим работы аттенюатора

Ø Аттенюатор ( АТТ ) служит для плавной и ступенчатой регулировки уровня ослабления выходного напряжения.

Ø Усилитель мощности ( УМ ), охваченный отрицательной обратной связью, предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.

Аттенюатор


Рис. 4 Принципиальная электрическая схема аттенюатора

Аттенюатор – это устройство, уменьшающее амплитуду сигнала без искажения его формы. Аттенюатор с помощью резистора R25 обеспечивает плавную регулировку и при помощи резисторов R22-R24 – дискретную.

Т.о. аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них:

 

В техническом задании нам дан аттенюатор со следующими ослаблениями:

0; -X; -Y; -Z.

Разобьем на участки:

(-Z; -Y);

(-Y; -X);

(-X; 0).

Примем R25=3300 Ом, чтобы получался не слишком большой разброс между крайними значениями резисторов .

В качестве потенциометра R25 выберем резистор с сопротивлением в пределах от 2, 0 до 5, 1 кОм.

Диапазон ослабления определяется следующим образом:

. (дБ)

Отсюда (Ом)

1. дБ.

(Ом)

Принимаем значение R22= Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем:

(дБ)

2. дБ.

(Ом)

Принимаем значение R23= Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем:

(дБ)

3. дБ.

(Ом)

Принимаем значение R24= Ом, в соответствии с рядом Е24.

Тогда ослабление будет несколько отличатся от заданного, реально получаем:

(дБ)

Определим токи проходящие через сопротивления аттенюатора:

(мА),

где входное напряжение аттенюатора соответствует входному напряжению эмиттерного повторителя на транзисторах VT7- VT8:

UвхА=UвхП3

(мА)

(мА)

(мА)

 

Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах аттенюатора:

(Вт)

3.4 Эмиттерный повторитель №2 на транзисторах VT6, VT5

 

Рис.5 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №2 на транзисторах VT6, VT5

 

В качестве нагрузки данного эмиттерного повторителя примем R25 аттенюатора:

UН = UBX А (В)

RН = R25 (Ом)

 

1. Примем значение тока покоя транзистора VT6 равным 5 мА

IП6 = 5 (мА)

2. Рассчитаем напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6:

UКЭ6 = Uн+U0 (В)

3. Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT6:

PК6 = UКЭ6·IП6 (Вт)

4. Выбираем транзисторы VT5, VT6, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A β min fгр, МГц Cк, пФ Iко, мА
VT5                  
VT6                  

 

5. Зададимся напряжением питания из расчета, что:

Ек=2∙ Uкэ6 (В)

Принимаем ЕК = (В), в соответствии с рядом напряжений источников питания.

6. Определим ток базы транзистора VT6:

(А),

При этом, Iк6< < Ikmax.

7. Определим ток базы и ток покоя транзистора VT7:

По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что =(7-10).

(А)

(А)

8. Примем ток делителя (А)

9. Определим сопротивление резистора в цепи эмиттера транзистора VT6:

 

IR21=Iб6+IП6 (А)

(Ом)

Принимаем R21 = (Oм)

В соответствии с этим пересчитаем значения напряжений на участке коллектор-эмиттер транзистора VT6 и определим падение напряжения на резисторе 21:

UКЭ6К-R21∙ IR21 (В)

UR21=R21∙ IR21 (В)

10. Примем значение сопротивления R20 максимально большим (≈ 3900-15000 Ом):

R20 = (Ом)

Тогда:

IR20= Iб5 (А)

UR20=R20∙ IR20 (В)

11.Определим резисторы в цепи делителя

(А)

Uбэ5, Uбэ6 примем равными 0, 7 В

(Ом)

Принимаем R19 = (Ом)

UR19=R19∙ IR19 (В)

Пересчитаем значение напряжения Uбэ5:

(В)

(А)

(Ом)

Принимаем R18 = (Ом)

 

12.Определим RЭ~:

RЭ~ = RH || R19 || R21 || R18 (Ом)

13.Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

 

14. Определим входное сопротивление повторителя

(Ом)

15. Определим выходное сопротивление повторителя

RВЫХП = rЭ6 (Ом)

16. Определим значение емкости С21:

(мкФ)

Примем С21= (мкФ)

 

Определим входное напряжение повторителя:

(В)

Перед тем как начать расчет усилителя напряжения нам надо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.

Цепь Вина

 

Рис. 6 Принципиальная электрическая схема цепи Вина

 

Перед тем как начать расчет усилителя напряжения нам надо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.

Изменение частоты производится дискретно (грубо) с помощью конденсаторов и плавно с помощью переменных резисторов.

Входное сопротивление моста Вина определяется следующим образом:

На частоте квазирезонанса следовательно:

Выходное сопротивление моста Вина определяется:

На частоте квазирезонанса

Нагрузкой для моста Вина является эмиттерный повторитель на транзисторах VT1 и VT2, поэтому предположим, что входное сопротивление эмиттерного повторителя будет максимально большим – в пределах от 150 до 250 кОм. Для того, чтобы Rвхп не шунтировало мост Вина:

(Ом)

(Ом)

Примем значения сопротивлений резисторов цепи Вина R1 и R3, равными максимальному значению сопротивления цепи Вина (RmaxЦВ), а значения R2 и R4, равными минимальному значению (RmixЦВ).

R1=R3= (Ом), а R2=R4= (Ом).

Определим значение выходного сопротивления цепи Вина:

(Ом)

(Ом)

Определим значение входного сопротивления цепи Вина:

(Ом)

(Ом)

 

Рассчитаем ёмкости C1÷ С12:

1. Для первого диапазона (X) Гц ¸ (10X) Гц, (Х=fн из технического задания), при R1+R2= Ом:

(Ф),

принимаем = (Ф)

Пересчитаем значения первого частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С1, С2:

(Ф), (Ф)

2. Для второго диапазона (10X) Гц ¸ (100X) Гц:

(Ф)

принимаем C3=C4= (Ф)

Пересчитаем значения второго частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С3, С4:

(Ф), (Ф)

 

3. Для третьего диапазона (100X) Гц ¸ (1000X) Гц:

(Ф)

принимаем C5=C6= (Ф)

Пересчитаем значения третьего частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов C5=C6:

(Ф), (Ф)

 

Определим токи, протекающие в резисторах:

 

(А)

(А)

Предварительный усилитель

Рис. 7 Принципиальная электрическая схема предварительного усилителя

 

 

Этот усилитель выполняет две основные функции:

à обеспечивает баланс фаз

à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3

 

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4.

Усилитель напряжения работает на нагрузку (эмиттерный повторитель), на мост Вина, на ООС.

Uвых.у = Uвх.п2 = (В)

Rн. у = RООС||RвхЦВmin.||Rвхп2 (Ом)

 

Определим ток в нагрузке:

(А)

Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :

(мА)

(В)

Определим IKMAX4

IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А)

Определим l4:

Определим напряжение питания:

Зададимся g4 = 0, 05

(В)

Принимаем ЕК = (В)

Пересчитаем g4

Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:

(Ом)

Принимаем R16 = (Ом)

Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:

UR17 = EK · g4 (В)

UC20 = ∙ Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17 (В)

Определим покоя транзистора VT4 - IП4:

(мА)

Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:

UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:

PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт)

Выбираем транзистор VT4, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A β min Iко, мА
VT4              

 

Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА

Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 :

IKmax4 = (2~5) ∙ · (2·IH4 + IKmin4) (мА)

Определим ток базы транзистора VT4:

(мА)

Определим резистор в цепи эмиттера

(Ом) По ряду Е24 принимаем R17= Ом.

Определим ток делителя:

IД = (2~5)· IБ4 (мА)

Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы:

UR16=R16∙ ( ) (В)

(Ом)

Принимаем R14= (Ом)

UБЭ4= -R14∙ ( ) (В)

(Ом)

Принимаем R15= (Ом)

(А)

Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С19 = (мкФ)

Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:

,

где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).

(Ом)

Rк~4 = RH4 || R16 (Ом)

Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:

RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом)

rК4 = (Ом)

RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом)

Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:

(В)

Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3.

UВЫХ.У. = Uвх4 (В)

RН.У. = RВХ4= (Ом)

Определим ток в нагрузке:

(мА)

Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:

(мА)

(В)

Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :

 

IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА)

Определим величину :

 

Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:

(Ом)

Принимаем R11 = (Ом)

Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:

UC17 = ∙ UВЫХ.У. + UКЭmin3 + UR12 (В)

Определим ток покоя транзистора VT3IП3:

(мА)

Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:

 

UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 (В)

Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:

 

PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт)

Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A β min Iко, мА
VT3              

 

Определим ток базы транзистора VT3:

(мА)

Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:

(Ом)

По ряду Е24 принимаем R12= (Ом)

Определим ток делителя:

IД = (2~5)· Iб3 (мА)

Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы:

UR11=R11∙ ( ) (В)

(Ом)

Принимаем R10= (Ом)

 

UБЭ3= -R10∙ ( ) (В)

 

(Ом)

Принимаем R9= (Ом)

(А)

Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:

(Ф)

Принимаем С16 = (Ф)

Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:

где: rБ3 = 400 (Ом)

(Ом)

RK~3 = RH3 || R11 (Ом)

Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом)

Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:

rК3 = (Ом)

RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом)

Определим общий коэффициент усиления каскадов:

 

K=K3∙ K4

 

Определим входное напряжение предварительного усилителя:

(В)

 

3.8 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT2, VT1

Рис.8 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №1 на транзисторах VT2, VT1

 

Нагрузкой этого эмиттерного повторителя является предварительный усилитель, поэтому:

UН = UBX= (В)

RН = RВХ.3= (Ом)

 

Примем значение тока покоя транзистора VT2 равным 5 мА

IП2 = 5 (мА)

Примем значение максимального напряжения на участке коллектор-эмиттер равным 20 В, тогда минимальное значение этого напряжения составит:

UКЭ2min= 0, 1∙ UКЭ2max = 2 (В)

Рассчитаем значение напряжения UКЭ2:

UКЭ2=Uн+ UКЭ2min (В)

Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT2:

PК2= UКЭ2·IП2 (Вт)

Определим напряжение источника питания:

Ек=2∙ UКЭ2 (В)

Примем Ек= (В)

 

Выбираем транзисторы VT1, VT2, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:

  Модель Тип P, Вт Uкэ доп, В Ikmax, A β min fгр, МГц Cк, пФ Iко, мА
VT1                  
VT2                  

 

Определим ток базы транзистора VT2:

(мА)

Определим ток базы и ток покоя транзистора VT1:

По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что ≈ 7, 5.

(А)

(А)

Примем значение тока делителя равным: (А)

Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT2:

IR8=Iб2+IП2 ( А)

(Ом)

Принимаем R8 = (Oм)

UКЭ2К-R8∙ IR8 (В)

UR8=R8∙ IR8 (В)

Примем значение сопротивления резистора R7 =6200 Ом:

Тогда:

IR7= Iб1 (А)

UR7=R7∙ IR7 (В)

Определим значение сопротивлений резисторов в цепи делителя:

(А)

(Ом)

Принимаем R5 = (Ом)

UR5=R5∙ IR5 (В)

(В)

(А)

(Ом)

Принимаем R6 = (Ом)

Будем вести расчет эмиттерного повторителя по переменному току:

Определим эквивалентное сопротивление эмиттера RЭ~ :

RЭ~ = RH || R5 || R6 || R8 (Ом)

Определим коэффициент передачи повторителя:

(Ом)

.

Определим входное сопротивление повторителя:

(Ом)

Определим выходное сопротивление повторителя:

RВЫХ.П = rЭ2 (Ом)

Определим значение емкости конденсатора С14:

(Ф)

Примем С14= (мкФ)

Определим входное напряжение повторителя:

(В)

 

Конденсатор С13.

(Ом);

(Ом);

Выбираем конденсатор С13 типа ( ) на( ) мкФ, ( ) В.

Конденсатор С15.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С17.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С20.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С22.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С23.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С25.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С26.

(Ом);

(Ом);

Конденсатор С31.

(Ом);

(Ом);

 

Расчет радиаторов

 


Поделиться:



Последнее изменение этой страницы: 2017-03-17; Просмотров: 511; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.302 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь