Классифицируйте запоминающие устройства.

Запоминающие устройства делятся на:

- ОЗУ (Статические ОЗУ, динамические ОЗУ)

- ПЗУ

- ВЗУ

46. Физическая основа статического ОЗУ (схема).

Ячейкой статического ОЗУ является триггер.

Достоинства и недостатки статического ОЗУ.

+ Быстрое переключение (~ 2нс)

+ Простота схемотехники

+ Отсутствие регенерации

- Низкая удельная информационная емкость

- Постоянное потребление тока одним транзистором

- Высокая стоимость

- Термовыделение

48. Физическая основа динамического ОЗУ (схема).

Достоинства и недостатки динамического ОЗУ.

+ Высокая интеграционная плотность

+ Дешевизна

+ Низкое энергопотребление

- Низкое быстродействие

- Потребность в регенерации

Объясните устройства памяти на ПЗС.

ПЗС-память состоит из цепочек близко расположенных МОП-емкостей. Бит информации в ПЗС-памяти хранится в виде уровня заряда в элементах. Для сохранения разделенных зарядовых пакетов и передачи их в соседние элементы отдельно подается сигнал многофазной синхронизации. В каждом элементе напряжение на одном электроде отличается от других и поэтому образуется “потенциальная яма”, которая захватывает заряд в элементе. Используя многофазную синхронизацию, можно перемещать “потенциальную яму” от одного электрода к следующему, а следовательно, смещать соответствующий захваченный заряд, что приводит к сдвигу информации на один бит при выполнении полного цикла сдвигов.

Функциональная схема адресуемого ОЗУ.

Функциональная схема ПЗУ.

Классификация ПЗУ.

ПЗУ делятся на:

- Масочное ПЗУ

- Электрически одноразово программируемое ПЗУ

- Репрограммируемое (РПЗУ, ППЗУ)

- - Уф. РПЗУ

- - Эл. РПЗУ

54. Физические основы запоминающего элемента однократно программируемого ПЗУ (схема).

Когда перемычка есть, через транзистор проходит ток и считывается высокий уровень. Если Uп высокое, то при открытии транзистора ток пережигает проволоку.

55. Физические основы запоминающего элемента репрограммируемого ПЗУ (схема).

В перезаписываемом ПЗУ используется магнитно-индукционный МОП-транзистор с плавающим затвором.

56. Назначение и устройство ПЛМ (схема).

ПЛМ представляет собой функциональный блок, созданный на базе полупроводниковой технологии и предназначенных для реализации логических функций цифровых систем. Применяются в управляющих и дешифрующих устройствах.

57. Вертикальное наращивание памяти (схема) и его назначение.

Вертикальное наращивание используется для увеличения адресуемого пространства ЗУ.

58. Горизонтальное наращивание памяти (схема) и его назначение.

Горизонтальное наращивание используется для увеличения разрядности ОЗУ.

Основные характеристики памяти.

К основным характеристикам памяти относят:

- Быстродействие (время, необходимое для записи или считывания информации из ЗУ)

- Емкость (наибольшее количество машинных слов или двоичных разрядов, которое одновременно может храниться в ЗУ)

Оценка быстродействия памяти.

Быстродействие памяти определяется временем выполнения операций записи и считывания данных. Основными параметрами любых элементов памяти является минимальное время доступа и длительность цикла обращения. Время доступа (access time) определяется как задержка появления действительных данных на выходе памяти относительно начала цикла чтения. Длительность цикла определяется как минимальный период следующих друг за другом обращений к па­мяти, причем циклы чтения и записи могут требовать различных затрат време­ни. В цикл обращения кроме активной фазы самого доступа входит и фаза восстановления (возврата памяти к исходному состоянию), которая соизмерима по времени с активной фазой. Временные характеристики самих запоминающих элементов определяются их принципом действия и используемой технологией изготовления.

Приведите формулы для времени обращения к памяти.

t счит.обр=t чтен+t счит.доступ

t запис.обр=t запис+t запис.доступ

t счит.дост=t зап.дост=t дост или t счит.дост=конст1; t зап.дост=конст2

t обр=макс(t счит.обр, t запис.обр)

⇐ Предыдущая123

Поделиться: