Указать полярность источников питания в режиме насыщения.

 

10. Определить ток коллектора, если I_Б=1 мА, I_КЭ0=10 мкА, β =100

 

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

12. Определить h_22Э при U_КЭ=4 В и I_Б=20 мА

.

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2. h_21Э=

3. h_21Б=                  4. │ h_21Э│ =

5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

 

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

 

 

Билет № 9

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д242А и резистора 0, 2 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=3 А, другая на обратной U_ОБР=200 В определить сопротивление по постоянному току. Т = 60 ^ОС

 

 3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =9, 1 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 30 мА,

R_Н =910 Ом,  R_Г =350 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 6 В, L=20 мкГн, С_НОМ=20 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим  p-n переходом и каналом типа n.

 

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

4) ; при              4) ; при

 

8. Определить R_i при U_СИ=12 В, U_ЗИ=-1 В. Указать тип транзистора.

Указать полярность источников питания в активном режиме.

10. β =49. Определить α.

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

12. Определить h_21Э при U_КЭ=4 В и I_Б=16 мА

13.  Дайте определение частоте f _max. Это частота, на которой:

 1. К_Р = 0, 7; 2. К_Р = 1; 3. К_Р = 10; 4. К_Р = ; 5. h_21Э =     6. h_21Б=    7.

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2.  h_21Э=            3. h_21Б=                   

4. │ h_21Э│ =        5.│ h_21Э│ =       6. │ h_21Б│ =

 

15. Указать зависимость модуля │ h_11Э│ от частоты

 

Билет № 10

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД103А и резистора 20 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 40 мА, другая на обратной U_ОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление при Т = 60 ^ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =10 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 30 мА,

R_Н =1000 Ом,  R_Г =350 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 5 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.

7. Дать определение крутизны ПТ.

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

8. Определить S при U_СИ=10 В, U_ЗИ=-0, 25 В. Указать тип транзистора.

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться: