Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

12. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=16 мА

.

 

 

13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.

 

 

14. h_21Э0 = 80. На частоте f = 60 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 4. Определите f_Н21Э.

 

15 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

Билет № 13

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д9Б и резистора 10 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0, 6 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2   Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР= 40 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=60^О.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =15 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 60 мА,

R_Н =1500 Ом,  R_Г =250 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 9 В, L=20 мкГн, С_НОМ=20 пФ

 

 5 Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа n.

 

7. Дать определение крутизны ПТ.

 

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

 

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=2 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

 

 

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

 

 

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОБ, если I_К=9, 901 мА, α =0, 99, I_КБ0=1 мкА.

 

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

 

12. Определить h_21Э при U_КЭ=5 В и I_Б=12 мА

 

13 Дайте определение граничной частоте.

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

 

 

 

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5.    

Определите f_Н21Э.
Билет № 14

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д7А и резистора 2 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0, 7 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 200 мА, другая на обратной U_ОБР=150 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^О С.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =18 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =1800 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 10 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

     А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

     Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

     В) МДП с индуцированным каналом типа n,

     Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

     Д) МДП с встроенным каналом типа n,

     Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

       

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.

 

      

 7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

 

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

 

     

 

 8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= -1 В имеет крутизну

S=6 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = 1 В.

 

    

 

9. Указать полярность источников в активном режиме.

 

 

 

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОЭ, если I_К=10, 1 мА, α =0, 99, I_КБ0=1 мкА.

 

  11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

 

     

 

12.. Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

 

 13  Дать определение граничной частоте.

 

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Э│ от частоты

 

 

 

15 h_21Э0 = 70. На частоте f = 140 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5.   Определить  f_Н21Э.

 

 

Билет № 15

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода ГД107А и резистора 40 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0, 8 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2   Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР=10 В) определить сопротивление по постоянному току. Т=60^ОС.

 

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =22 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =2200 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР=11 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6  Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа р.

 

 

 

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

 

1) ; при                  3) ; при   

6) ; при              4) ; при

 

 

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= -1 В имеет крутизну

S=3 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = 1 В.

 

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

 

 

10.  Определить ток коллектора БТ в схеме с ОБ, если β =49, I_Э=10 мА, I_КЭ0=100 мкА,  

 

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12.. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=10 мА

 

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

 

 

15. h_21Э0 = 200. На частоте f = 300 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10. Определить f_ГР.

 

Билет № 16

1  Цепь состоит из последовательно включенного диода Д7Б и резистора 2, 5 Ом (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при U_ВХ U_ВХ = 0, 75 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 200 мА, другая на обратной U_ОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление приТ=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

 U_СТ =20 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 30 мА,

R_Н =2000 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 12 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6 Указать условное изображение БТ структуры р-n-р.

 

 

7. Дать определение крутизны ПТ.

 

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

 

 

8. Определить R_i при U_СИ=6 В и  U_ЗИ = 0 В. Указать тип транзистора.

 

 

9. Указать полярность источников в активном режиме.

 

 

10.  Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α =0, 98.

 

11.  Укажите входную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОБ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=10 В и I_Б=1 мА

13 Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 500 МГц модуль коэффициента передачи равен  |h_21Э | = 5. Определите f_ГР.

 

 

Билет № 17

1  Цепь состоит из последовательно включенного диода Д9В и резистора 20 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1 В. Определить ток, падение напряжений на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР=20 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^О С.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

 если U_СТ =24 В,  

I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 60 мА,

R_Н =2400 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 13 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6.  Указать условное изображение ПТ с  управляющим p-n переходом и каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

8. Определить S при U_СИ=6 В и  U_ЗИ = 0, 9 В. Указать тип транзистора.

 

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

 

10. Определить h_21Э, если I_К =5 мА, I_Б=100 мкА, I_КЭ0 =100 мкА

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

12. Определить h_22Э в рабочей точке U_КЭ=10 В, I_Б=1 мА.

 

13.. Дайте определение частоте f _max. Частота на которой:

1. К_Р = 0, 7; 2. К_Р = 1; 3. К_Р = 10; 4. К_Р = ; 5. |h_21Э| =       6. |h_21Б| =  

7. |h_21Э|= h_21Э0 /

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2.  h_21Э=            3. h_21Б=                   

4. │ h_21Э│ =        5.│ h_21Э│ =          6. │ h_21Б│ =

 

15 Указать зависимость модуля │ h_22Б│ от частоты

Билет № 18

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д302А и резистора 1 Ом. На ВАХ диода  построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=1 А, другая на обратной U_ОБР=100 В)   определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =31 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 30 мА,

R_Н =3100 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 14 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа р.

 

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

2) ; при                 4) ; при

 

 

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = - 0, 5 В.

 

 

Указать тип транзистора:

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

 

 

 

9. Указать полярность источников в активном режиме.

 

 

10.  Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α =0, 98.

 

11.  Укажите входную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОБ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=10 В и I_Б=1 мА

 

13 Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 400 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 5. Определить f_Н21Б.

Билет № 19

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и резистора 0, 4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2  Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=2, 5 А, другая на обратной U_ОБР=100 В)  определить сопротивление по постоянному току при Т=60^О С

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =47 В,

 I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =4700 Ом,  R_Г =1000 Ом.

 

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 15 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.

 

 

7. Дать определение крутизны ПТ.

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

 

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = 1 В.

 

Указать тип транзистора:

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

 

 

9. Указать полярность источников в активном режиме.

 

 

10.  Определить ток коллектора, если I_Б=50 мкА, I_КЭ0=100 мкА, β =100.

 

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ

 

12. Определить h_22Э при U_КЭ=10 В и I_Б=1 мА

 

13 Дайте определение граничной частоте.

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Э│ от частоты

 

 

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 1000 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5.   Определить  f_Н21Б.

Билет № 20

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303А и резистора 0, 4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 2, 5 А, другая на обратной U_ОБР=100 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =39 В,

I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 40 мА,

R_Н =3900 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

 

 4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 16 В, L=20 мкГн,

С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение полевого тетрода  с  встроенным каналом типа р.

 

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

 

 

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = -0, 25 В.

 

Указать тип транзистора:

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

 

 

 

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. h_21Б=0, 98. Определить h_21Э

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры p-n- p, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

 

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

 

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

 

15.    h_21Э0 = 200. На частоте f = 500 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10.   Определить  f_Н21Б.

Билет № 21

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д242А и резистора 0, 4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1, 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=2 А, другая на обратной U_ОБР=100 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

 если U_СТ =68 В,

 I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =6800 Ом,  R_Г =1000 Ом.

 

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 17 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение БТ структуры  р-n-р.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

7) ;  при              4) ; при

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = 0, 25 В.

 

Указать тип транзистора:

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

 

 

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

10. h_21Э=99. Определить h_21Б

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=450 мкА

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2. h_21Э=

3. h_21Б=                  4. │ h_21Э│ =

5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

Билет № 22

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д243 и резистора 0, 1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1, 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 10 А, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =96 В,

 I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 60 мА,

R_Н =9600 Ом,  R_Г =1000 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 18 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.

7. Дать определение крутизны ПТ.

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=1, 5 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться: