Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=16 мА

.

 

13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.

 

14. h_21Э0 = 80. На частоте f = 600 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 4. Определить f_Н21Э.

 

 

15 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

Билет № 28

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д229Д и резистора 4 Ома. На ВАХ диода  построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 6 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 250 мА, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =180 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 10 мА,

R_Н =18 000 Ом,  R_Г =2000 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа  р.

 

7. Дать определение мощности, рассеиваемой на стоке ПТ.

1) Р_C = U_ЗИ∙ I_З;    2) Р_C = U_СИ∙ I_З;    3) Р_C = U_СИ∙ I_З;       

4) Р_C = U_СИ∙ I_С;    5) Р_C = U_СИ/I_С; 6) Р_C = U²_СИ∙ I_С.

 

8. Определить мощность рассеивания на стоке ПТ при U_СИ=12 В и  U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

 

 

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОБ, если I_К=9, 901 мА, α =0, 99, I_КБ0=1 мкА.

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

 

12. Определить h_21Э при U_КЭ=5 В и I_Б=12 мА

 

13 Дайте определение граничной частоте.

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

 

 

15 h_21Э0 = 50. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5. Определить  f_Н21Э.
Билет № 29

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД109В и резистора 5 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

 

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=250 мА, другая на обратной U_ОБР=400 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =8 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 50 мА,

R_Н =800 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=20 мкГн, С_НОМ=20 пФ

 

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.

 

 

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

 

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

 

 

8. Определить мощность рассеивания на стоке ПТ при U_СИ=10 В и  U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

 

 

9. Указать полярность источников в активном режиме.

 

 

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОЭ, если I_К=10, 1 мА, α =0, 99, I_КБ0=1 мкА.

 

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12.. Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

 

13 Дайте определение граничной частоте.

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Э│ от частоты

 

 

 

15 h_21Э0 = 50. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =2.   Определить f_Н21Б.

Билет № 30

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД108В и резистора 10 Ом На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 80 мА, другая на обратной U_ОБР=80 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,  если

U_СТ =9 В,

 I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 50 мА,

R_Н =900 Ом,  R_Г =200 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=10 мкГн, С_НОМ=40 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа p.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

2) ; при              4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=6 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. Определить ток коллектора БТ в схеме с ОБ, если β =49, I_Э=10 мА, I_КЭ0=100 мкА,  

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=10 мА

 

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

 

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

 

 

 

15.    h_21Э0 = 200. На частоте f = 300 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10.   Определите f_Н21Э.

 

⇐ Предыдущая1234567

Поделиться: