Логическая схема памяти 4х3.

Логическая схема памяти 4х3 (четыре слова по три разряда)

Четыре вентиля И для выбора слов в левой части схемы формируют декодер. Входные инверторы расположены так, что каждый вентиль запускается определенным адресом.

Две адресные линии должны указывать, какое из четырех 3 битных слов нужно считывать или записывать. Каждый вентиль приводит в действие линию выбора слов (для слов 0, 1, 2 и 3).

Чтобы выбрать микросхему памяти, внешняя логика должна установить CS на 1, а также установить RD на 1 для чтения и на 0 для записи.

При операции считывания входные линии для данных не используются.

Выбирается слово и помещается на выходные линии для данных.

ЗАПИСЬ:

Ø При операции записи биты, находящиеся на входных линиях для данных, загружаются в выбранное слово памяти; выходные линии при этом не используются.

Ø вертикальная линия CS•RD получает значение 1, запуская один из 4 вентилей записи. Выбор вентиля зависит от того, какая именно линия выбора слов в 1.

Ø Выходной сигнал вентиля записи приводит в действие все сигналы CK для выбранного слова, загружая входные данные в триггеры для этого слова.

Ø Запись производится только в том случае, если CS равно 1, а RD равно 0, при этом записывается только слово, выбранное адресами А0 и А1; остальные слова не меняются.

ЧТЕНИЕ:

Ø Процесс считывания сходен с процессом записи.

Ø Декодирование адреса происходит точно так же, как и при записи.

Ø Но в данном случае линия CS• RD принимает значение 0, поэтому всевентили записи блокируются и ни один из триггеров состояния не изменяет.

Ø Линия выбора слов запускает вентили И, связанные с выходами триггероввыбранного слова.

Ø Выбранное слово передает свои данные в четырехвходовые вентили ИЛИ, расположенные в нижней части схемы, а остальные три словавыдают 0.

Ø Следовательно, выход вентилей ИЛИ идентичен значению, сохраненномув данном слове.

Ø Остальные три слова никак не влияют на выходные данные.

Динамическая память.

Ø Используется динамическая память (DRAM) в современных ПК в качестве оперативной памяти общего назначения, а также как память для видео-адаптера.

Ø Моделью одной ячейки динамической памяти служит конденсатор.
Бит данных представляется в виде наличия (“1”) или отсутствия (“0”) заряда на конденсаторе.

Ø Заряд конденсатора способен сохраняться относительно небольшой промежуток времени. Из-за малой емкости конденсатора и паразитных утечек время хранения заряда на конденсаторе ограничено. Поэтому периодически информацию необходимо восстановить, осуществить процесс регенерации данных.

Ø Для восстановления при считывании или записи содержимое целой строки переносится в регистр, а затем содержимое регистра переносится в строку ячеек динамической памяти. То есть происходит перезаряд конденсаторов.

Процесс регенерации приводит к снижению быстродействия. Это основной недостаток DRAM .

Однако, учитывая информационную емкость, низкую стоимость, малое число транзисторов в одном запоминающем элементе, этот тип памяти во многих случаях предпочтительнее памяти статического типа.

В режиме хранения ключевые транзисторы заперты.

При выборке данного ЗЭ транзисторы открыты. Запоминающая емкость через открытые транзисторы подключается к разрядной шине (РШ), и в зависимости от заряженного или разряженного состояния конденсатора различно влияет на потенциал разрядной шины.

При записи потенциал от РШ передается на конденсатор и заряжает его, определяя состояние запоминающей емкости.

Для сокращения времени доступа к динамической памяти применяются специальные режимы работы оперативной памяти:

Ø режим расслоения (интерливинг)  

Ø страничный режим.

 

155. Интерливинг (режим расслоения)

Память организовывается таким образом, что возможно к параллельных обращений в память по адресам из различных блоков.

Использование режима интерливинга предполагает не совсем обычное разбиение памяти на банки (части). Если при обычном разбиении

(последовательной адресации) адреса следующего банка начинаются после окончания адресов предыдущего, то при интерливинге адреса банков чередуются. То есть, например, после первого адреса первого банка следует первый адрес второго банка, затем второй адрес первого банка и второй адрес второго банка и т.д. Получается, что в одном банке четные слова, а в другом — нечетные. Таких чередующихся банков может быть не только два, а четыре, восемь, шестнадцать. Объемы банков при этом должны быть одинаковыми.

В результате такого подхода появляется возможность начинать обращение к следующему слову еще до окончания процесса доступа к предыдущему.

 

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Поделиться: