Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ P - N ПЕРЕХОДОМ



ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ P - N ПЕРЕХОДОМ

Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплине "Электроника" для студентов всех форм обучения направления 210300 – Радиотехника; направления 210300 – Радиотехника по специальностям: 210302 – Радиотехника; 210304 – Радиоэлектронные системы; направления 210400 – Телекоммуникация по специальностям: 210406 – Сети связи и системы коммутации; 210402 – Средства связи с подвижными объектами

 

Екатеринбург 2008


УДК 621.381

 

Составители Н.С. Устыленко, В.И. Елфимов

Научный редактор проф., канд. техн. наук А.А. Калмыков.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ: Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплине “Электроника” для студентов всех форм обучения направления 210300 – Радиотехника; направления 210300 – Радиотехника по специальностям: 210302 – Радиотехника; 210304 – Радиоэлектронные системы; направления 210400 – Телекоммуникация по специальностям: 210406 – Сети связи и системы коммутации; 210402 – Средства связи с подвижными объектами / Н.С. Устыленко, В.И. Елфимов. Екатеринбург: ГОУ ВПО “УГТУ-УПИ”, 2008. 36 с.

 

В методических указаниях содержится описание устройства и принципа действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, определение статических характеристик и параметров, представление эквивалентных схем.

Указания включают схему лабораторной установки, описание лабораторного задания, методику обработки результатов экспериментов, вопросы для самоконтроля и приложения, в которых приводятся справочные данные для ряда полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

Библиогр. 9 назв. Табл. 1. Рис. 11. Прил. 4.

Подготовлено кафедрой “Радиоэлектроника информационных систем”.

 

© ГОУ ВПО Уральский государственный

технический университет - УПИ, 2008

 


Цель работы

Ознакомиться с конструкцией полевых транзисторов с управляющим
p-n переходом, их принципом действия, характеристиками и параметрами различных транзисторов. Исследовать влияние температуры на характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

 


Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

Обработка результатов измерения

 

1. По экспериментальным данным построить графики выходных и сток-затворных характеристик.

2. По выходным характеристикам IС = f (UСИ), снятым при комнатной температуре, определить основные статические параметры S, Ri, m на рабочем участке.

3. На сток-затворных характеристиках IС = f (UЗИ) определить термостабильную точку и термостабильную область.

4. Используя сток-затворную характеристику IС = f (UЗИ), снятую при комнатной температуре, рассчитать и построить график зависимости
S = f (UЗИ) при UСИ = UСИ НОМ .

5. Проанализировать результаты измерения и расчетов, найдя причинное объяснение хода характеристик и полученных значений параметров.

 


Содержание отчета

 

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

1. Титульный лист.

2. Цель выполнения лабораторной работы.

3. Схему экспериментальных исследований полевого транзистора.

4. Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого

полевого транзистора.

5. Таблицы экспериментальных данных.

6. Расчет статических параметров исследованного полевого транзистора.

7. Семейство выходных характеристик исследованного полевого транзистора при комнатной и повышенной температурах.

8. Семейство сток-затворных характеристик исследованного полевого транзистора с обозначением термостабильной точки (области).

9. Таблицу расчетных значений и график зависимости S = f (UЗИ) при напряжении стока UСИ = UСИ НОМ .

10. Анализ полученных результатов.

 

7. Вопросы для подготовки

 

1. Дайте определение полевого транзистора.

2. На чем основано управление током в полевом транзисторе?

3. Объясните устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

4. Как зависит сопротивление канала от электропроводности полупроводника, площади и длины канала?

5. Какую роль в полевых транзисторах выполняет затвор?

6. Как влияет сечение канала на ток полевого транзистора?

7. Какой полярности напряжение должно подаваться на затвор для эффективного управления током транзистора?

8. Как зависит сечение канала от величины напряжения, приложенного к стоку?

9. Нарисуйте выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом и объясните их ход.

10. Нарисуйте сток-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом и объясните их ход.

11. Как влияет температура окружающей среды на ход сток-затворных и выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом?

12. Что называется напряжением отсечки?

13. Какой электрический режим полевого транзистора называется режимом насыщения?

14. Какое напряжение стока носит название напряжения насыщения?

15. Какие основные отличия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом от биполярных транзисторов Вы знаете?

16. В чем преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными?

17. Назовите основные статические параметры полевых транзисторов.

18. Поясните методы определения статических параметров полевых транзисторов.

19. Нарисуйте эквивалентные схемы полевого транзистора для постоянного тока, для переменного тока. Поясните состав каждой эквивалентной схемы и различия между ними.

20. Нарисуйте схему замещения полевого транзистора. Почему эта схема использует Y-параметры?

 

Приложения

Приложение 1

Образец оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

 

 

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина»

Радиотехнический институт - РТФ

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

 

 

Оценка работы____________

 

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ

 

Группа                              

 

Екатеринбург

2008

Приложение 2

Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа
 (маломощные)

 

Параметры КП 302А КП 302Б КП 302В 2П 303А 2П 303В 2П 303Е 2П 307А
Крутизна х-ки, mA/B (Uси, В; Uзи, В) 5 (7; 0) 7 (7; 0) 5¸7 (7; 0) 1¸4 (10; 0) 2¸5 (10; 0) 4 (10; 0) 4¸9 (10; 0)
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мкА) 5 (7;10) 7 (7;10) 10 (7;10) 3 (10;10) 4 (10;10) 8 (10;10) (0,5¸3) (10;10)
Нач-ный ток стока, mА (Uси,В; Uзи,В) 3÷24 (7;10) 18÷43 (7;10) 33 (10;0) 0,5÷2,5 (10;0) 1,5÷5 (10;0) 5÷20 (10;0) 3÷9 (10;0)
Ток утечки затвора, нА (Uси, В; Uзи, В) 10 (0;-10) 10 (0;-10) 10 (0;-10) 1 (0;-10) 1 (0;-10) 1 (0;-10) 1 (0;-10)
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/ÖГц (Uси,В; Ic,mA;f, кГц) 0,6÷3 1 (8;-;1) 0,6÷3 1 (8;-;1) 0,6÷31 (8;-;1) 30 2 (10;-;1) 20 2 (10;-;1) 4 дБ (10;-; 105 ) 6 дБ (10;5; 4·105)
Входная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) 20 (10;3) 20 (10;18) 20 (10;33) 6 (10; -;10) 6 (10; -;10) 6 (10;-;10) 5 (10;-;10)
Проходная ем-ть, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) 8 (10;3) 8 (10;18) 8 (10;33) 2 (10;-; 10) 2 (10;-; 10) 2 (10;-;10) 1,5 (10;-;10)
Сопрот. сток-исток, Ом (Uси, В; Uзи, В) 100÷150 (0;2;0) 150 (0,2;0) 100 (0,2;0) - - - -

А

КП

801А

802А

903А

 2П

914А

Крутизна характе-ристики, mA/B (Uси; Uзи, Ic, A) 50 (10; 0;-)

800÷2100

(30;-; 5)

800÷
¸2100

 

600

(15;-;3)

800

(20;-;3,5)

85÷140

(8;0;-)

30

(10;0;-)

Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мА) 4÷12 (10;0,01)

-

 

-

25

(50;30)

25

(500;30)

(5÷12)

(5;0,01)

(8¸30)

(10;0,01)

Начальный ток стока, А (Uси, В; Uзи, B) 0,4 (10;0)

5÷17

(30;-25)

8÷16

(20;-;
20)

-

-

0,7

(10;0)

0,25

(50;0)

Ток утечки затвора, mkA (Uси, В; Uзи, В) 10 (-;-;15)

-

-

1000

(0;-35)

30

(0;-35)

0,1

(0;-15)

0,1

(0;-8)

Коэффициент шума, 1 –дБ,  2 – нВ/ÖГц (Uси,В; Ic,mkA; f,кГц) 2,6÷6 дБ (10;20; 400)

 -

-

-

-

5 2

(10;10;
0,1)

6 дБ

(40;20;
200)

Входная емкость, пФ (Uси, В;Ic, mA; f, МГц) -

-

150

(50;-;-)

-

-

18

(20;20;-)

10

(20;20;-)

Проходная емкость, пФ(Uси, В;Ic, mA; f, МГц) 6 (10;-;-)

17÷30

(30;-;10)

7

(50;-;-)

-

-

15

(20;20;-)

2,2

(20;20;-)

Сопротивление сток-исток, Ом (Uси, В; Uзи, В) -

1÷3,5

(-;20)

0,52÷1

(-;20)

22

(-;0)

3

2÷10

(0,2;0)

23÷50

(0,1;0)

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение сток-исток, В

20

500

300

65

500

20

50
Постоянное напряжение затвор-сток, В

20

510

310

100

535

20

80
Постоянное напряжение затвор-исток, В

15

25

30

35

35

15

30
Постоянный ток стока, А

-

-

-

5

2,5

0,7

0,1
Постоянный ток  затвора, mА

5

-

-

-

1

15

5
Постоянная рассеиваемая мощность, Вт (Т°)

1

40

50

60

40

6

2,5
                           

         

Приложение 4

Полевые транзисторы с затвором на основе р- n перехода и каналом р- типа

Параметры 2П 101А 2П 101В 2П 101АД 2П 201А 2П 201Б 2П 201Г
Крутизна характеристики, mA/B (Uси, В; Uзи, В) 0,3 (-5; 0) 0,5 (-5;0) 0,4 (-5;0) 0,4÷1,8 (-10;0) 0,7÷2,1 (-10;0) 1,4÷3,5 (-10;0)
Напряжение отсечки, В (Uси, В; Iс, мкА) 5 (-5;1) 8 (-5;1) 6 (-5;1) 0,4÷1,4 (-10;10) 0,5÷2,2 (-10;10) 1,4÷4 (-10;10)
Начальный ток стока, mА (Uси, В; Uзи, В) 0,3÷1 (-5;0) 0,5÷5 (-5;0) 0,3÷4 (-5;0) 0,3÷0,65 (-10;0) 0,55÷1,2 (-10;0) 1,7÷3,8 (-10;0)
Ток утечки затвора, нА (Uси, В; Uзи, В) 10 (0;5) 10 (0;5) 2 (0;5) 5 (0;5) 5 (0;5) 5 (0;5)
Коэффициент шума, 1 –дБ, 2 – нВ/ÖГц (Uси, В; Ic, mA; f, кГц) 5 дБ (-5;-;1) 10 дБ (-5;-;1) 7 дБ (-5;-;1) 1 дБ (-5;-;1) 1 дБ (-5;-;1) 1 дБ (-5;-;1)
Входная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) 12 (-5;-;-) 12 (-5;-;-) 10 (-5;-;-) 17 (-10;-;-) 17 (-10;-;-) 17 (-10;-;-)
Проходная емкость, пФ (Uси, В; Ic, mA; f, МГц) 2,7 (-5;-;-) 3 (-5;-;-) - (-5;-;-) 8 (-10;-;-) 8 (-10;-;-) 8 (-10;-;-)

Предельные эксплуатационные данные

 

Постоянное напряжение сток-исток, В 10 10 10 10 10 10
Постоянное напряжение затвор-сток, В 10 10 10 15 15 15
Постоянное напряжение затвор-исток, В 10 10 10 15 15 15
Постоянный ток стока, mА 2 - 5 - - -
Постоянный ток затвора, mА - - - - - -
Постоянная рассеиваемая мощность, mВт (Т°) 50 50 50 60 60 60

 


 

Исследование характеристик и параметров полЕВого транзистора с УПРАВЛЯЮщим P-N ПЕРЕХОДом

 

Составители             Устыленко Наталья Степановна

                                    Елфимов Вячеслав Ильич

                                               

                                               

 

     Редактор                  Е.В. Денисюк

 

 

      Компьютерный набор С.Ш. Юнусова

 

 

Подписано в печать                                       Формат 60х84 1/16

Бумага типографская        Офсетная печать                Усл. печ. л.

Уч. – изд. л.                       Тираж 100 Заказ               Цена “С”

 

Издательство ГОУ ВПО “УГТУ-УПИ”

620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19

                                                                                

 

 

           







ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ P - N ПЕРЕХОДОМ

Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплине "Электроника" для студентов всех форм обучения направления 210300 – Радиотехника; направления 210300 – Радиотехника по специальностям: 210302 – Радиотехника; 210304 – Радиоэлектронные системы; направления 210400 – Телекоммуникация по специальностям: 210406 – Сети связи и системы коммутации; 210402 – Средства связи с подвижными объектами

 

Екатеринбург 2008


УДК 621.381

 

Составители Н.С. Устыленко, В.И. Елфимов

Научный редактор проф., канд. техн. наук А.А. Калмыков.

 

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ: Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплине “Электроника” для студентов всех форм обучения направления 210300 – Радиотехника; направления 210300 – Радиотехника по специальностям: 210302 – Радиотехника; 210304 – Радиоэлектронные системы; направления 210400 – Телекоммуникация по специальностям: 210406 – Сети связи и системы коммутации; 210402 – Средства связи с подвижными объектами / Н.С. Устыленко, В.И. Елфимов. Екатеринбург: ГОУ ВПО “УГТУ-УПИ”, 2008. 36 с.

 

В методических указаниях содержится описание устройства и принципа действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, определение статических характеристик и параметров, представление эквивалентных схем.

Указания включают схему лабораторной установки, описание лабораторного задания, методику обработки результатов экспериментов, вопросы для самоконтроля и приложения, в которых приводятся справочные данные для ряда полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

Библиогр. 9 назв. Табл. 1. Рис. 11. Прил. 4.

Подготовлено кафедрой “Радиоэлектроника информационных систем”.

 

© ГОУ ВПО Уральский государственный

технический университет - УПИ, 2008

 


Цель работы

Ознакомиться с конструкцией полевых транзисторов с управляющим
p-n переходом, их принципом действия, характеристиками и параметрами различных транзисторов. Исследовать влияние температуры на характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.

 


Поделиться:



Последнее изменение этой страницы: 2019-05-08; Просмотров: 369; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.072 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь