![]() |
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Отчет по лабораторной работе № 7 ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
1. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов/Под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с. 2. Электронные приборы: Учебник для вузов/В.Н.Дулин, Н.А.Аваев, В.П.Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина 4-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1989. 496 с. 3. Пасынков В.В., Чиркин А.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высш.шк., 1987. 479 с. 4. Батушев В.А. Электронные приборы.: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш.шк., 1980. 383 с. 5. Денискин Ю.Д., Жигарев А.А., Смирнов Л.П. Электронные приборы: Учебное пособие для вузов/Под ред. Р.А. Нилендера. М.: Энергия, 1980. 280 с. 6. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник/ Под ред.А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, 1994. 384 с. 7. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, 1994. 640 с. 8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы: Справочник/ Под общ.ред. Н.Н. Горюнова. 2-е изд., перераб. М.: Энергоатомиздат, 1985.904 с. 9. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1985. 560 с. Приложения Приложение 1 Образец оформления титульного листа отчета по лабораторной работе
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ имени первого Президента России Б.Н.Ельцина» Радиотехнический институт - РТФ Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»
Оценка работы____________
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ
Отчет по лабораторной работе № 7 по дисциплине «Электроника»
Подпись Дата Фамилия
Преподаватель ФИО преподавателя
Студент ФИО студента Группа
Екатеринбург 2008 Приложение 2 Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n-типа
Предельные эксплуатационные данные
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянное напря-жение сток-исток, В | 20 | 20 | 20 | 25 | 25 | 25 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянное напря-жение затвор-сток, В | 20 | 20 | 20 | 30 | 30 | 30 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянное напря-жение затвор-исток, В | 10 | 10 | 12 | 30 | 30 | 30 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток стока, mА | 24 | 43 | 33 | 20 | 20 | 20 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток затвора, mА | 6 | 6 | 6 | 5 | 5 | 5 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянная рас-сеиваемая мощность, mВт (Т°) | 300 | 300 | 300 | 200 | 200 | 200 | 250 |
Приложение 2 (продолжение)
Полевые транзисторы с затвором на основе р-n перехода и каналом n -типа
(маломощные)
Последнее изменение этой страницы: 2019-05-08; Просмотров: 216; Нарушение авторского права страницы