Пленочные проводники и контактные площадки

Пленочные проводники и контактные площадки (рис. 8.7). предназначены для объединения элементов гибридных микросхем в единую электрическую с

Рис.8.7. Соединение пленочного проводника с контактной площадкой

Источник: http: //kurs.ido.tpu.ru/courses/osn_elec/chapter_7/picture/7_14.gif

В местах соединения пленочных проводников 1 с другими пленочными элементами, например, резисторами 2, проводящие пленки образуют контактные переходы 3. Для подсоединения внешних выводов микросхемы и выводов навесных элементов пленочные проводники заканчиваются контактными площадками 4. В тонкопленочных гибридных интегральных микросхемах для напыления проводящих пленок и контактных площадок используют золото, медь и алюминий. В толстопленочных гибридных интегральных микросхемах для создания проводящих пленок и контактных площадок применяют проводящие пасты.

Толстоплёночные контактные площадки выполняют, например, возжжением паст, содержащих алюминий, медь, тантал или в редких случаях золото. Чтобы улучить адгезию (от лат. adhaesio - в физике сцепление поверхностей разнородных твёрдых и/или жидких тел). металлических покрытий к подложке, на ней сначала формируют промежуточный слой никеля, который обладает лучшей адгезией, чем другие металлы, а уже на этот слой наносят требуемый материал (Москатов Е. А., 2010).

Гибридные микросхемы

Гибридная микросхема (микросборка) - кроме полупроводникового кристалла содержит несколько бескорпусных диодов, транзисторов и других электронных компонентов, помещённых в один корпус.

Обычно на диэлектрической подложке ГИС создают сугубо пассивные детали, например, постоянные резисторы. Активные дискретные компоненты, разработанные для использования в ГИС, не имеют корпусов, а для защиты от пагубного воздействия окружающей среды их покрывают капельками лака или компаунда. Транспортировку активных компонентов осуществляют в специальных контейнерах. Контактные площадки, созданные на подложке ГИС, необходимы для обеспечения взаимных соединений плёночных деталей, а также для подключений тонких проводников, которые осуществляют электрические контакты между тонкоплёночными и внешними дискретными компонентами. Активные компоненты, которые подключают к контактным площадкам, выполняют с жёсткими или с гибкими выводами. Детали с жёсткими выводами наиболее удобны для автоматической сборки ГИС, однако разработка таких изделий связана с определёнными трудностями. Конденсаторы с ёмкостью более 20 нФ и катушки индуктивности обычно не выполняют на подложке ГИС, а задействуют как навесные компоненты. В больших ГИС - сокращённо БГИС - в качестве внешних деталей применяют бескорпусные полупроводниковые микросхемы. Соединение компонентов ГИС с выводами корпуса осуществляют пайкой, микросваркой и т.п.

Рис. 8.8. Гибридная микросхема

Источник: http: //fotkidepo.ru/photo/48351/18286IWOmQM4mym/286683w.jpg

Смешанная микросхема - кроме полупроводникового кристалла содержит тонкоплёночные (толстоплёночные) пассивные элементы, размещённые на поверхности кристалла.

Логики

Основным элементом аналоговых микросхем являются биполярные или полевые транзисторы. Разница в технологии изготовления транзисторов существенно влияет на характеристики микросхем. Поэтому нередко в описании микросхемы указывают технологию изготовления, чтобы подчеркнуть тем самым общую характеристику свойств и возможностей микросхемы.

В современных технологиях объединяют технологии биполярных и полевых транзисторов, чтобы добиться улучшения характеристик микросхем:

1. Микросхемы на униполярных (полевых) транзисторах - самые экономичные (по потреблению тока):

2. МОП-логика (металл-окисел-полупроводник) - микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа;

3. КМОП-логика (комплементарная МОП) - каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП).

Полевой транзистор с изолированным затвором - транзистор, затвор которого электрически изолирован от проводящего канала полупроводника слоем диэлектрика. Благодаря этому, у транзистора очень высокое входное сопротивление (у некоторых моделей оно достигает 10¹⁷ Ом).

Принцип работы этого типа полевого транзистора, как и полевого транзистора с управляющим PN-переходом, основан на влиянии внешнего электрического поля на проводимость прибора (Интегральная микросхема).

 

Рис.8.9. Принцип работы полевого транзистора

Источник: http: //hightolow.ru/images/mosCurrent.png

В соответствии со своей физической структурой, полевой транзистор с изолированным затвором носит название МОП-транзистор (Металл-Оксид-Полупроводник), или МДП-транзистор (Металл-Диэлектрик-Полупроводник). Международное название прибора - MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

⇐ Предыдущая15161718192021222324Следующая ⇒

Поделиться:

Популярное:

1. Бесконтактные логические элементы
2. Параграф 13. Галереи, площадки и лестницы
3. Полупроводники. Два вида электропроводимости полупроводников
4. Постоянно наращиваемые площадки
5. Предмет электрохимии. Проводники первого и второго рода. Законы Фарадея.
6. Придверные площадки, зоны. Входные тамбуры
7. Тема № 1. Электрический ток. Проводники, изоляторы. Электрические цепи.