Iобр.(Iо) – среднее значение

Rпр.диф.=∆ Uпр./∆ Iпр

Rобр.диф=∆ Uобр/∆ Iобр

Стабилитрон.

Предназначен для стабилизации постоянного U. Работает в режиме электрического пробоя(отвод тепла при повышении мощности).

Изгот. кремневые.

Основные параметры:

Uстаб от 3 до 180 (В)

Iст.мах т.к. H=∆ Uст/∆ T·100%

Iст.мin – температурный коэффициент нестабильного напряжения от 0, 0005 до 0, 2 %/°С

Варикапы.

Использ. зависим С р-п перех. при обратном включении (барьерной ёмкости) от Uобр.

Варикап – это конденсатор с электрически управляемой ёмкостью. При Со=300-600пф. с ↑ Uобр δ р-п пер ↑ -С↓. Кс= Со/Сmin Кс=3…4; Кс – коэффициент перекрытия.

Фотодиоды

Фотодиод светодиод

Фотодиод – работает в режиме фотопреобразователя – Iобр зависит от интенсивности падающего светового потока (обратное включение)

Светодиод – при прямом включении в процессе инжекции происходит оптическое излучение, цвет которого зависит от характера примеси. Жёлтый, красный, зелёный.

ЛЕКЦИЯ №10

2.1.4 Транзисторы

Транзисторы – полупроводниковые приборы, которые могут быть использованы, как устройства, обеспечивающие усиление мощности электрического сигнала за счет энергии внешнего источника, принцип работы которых основан на физ. процессах, происходящих в одном или двух p-n переходах.

Различают следующие виды транзисторов:

Биполярные (в процессах образов. токов участвуют носители зарядов обоих знаков – электроны и дырки)

2) униполярные (полевые) - в процессе образования токов участвуют носители заряда одного знака - электроны или дырки.

Униполярные (полевые) транзисторы

Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает электрический ток под воздействием электрического поля.

По способу создания делятся на:

1) полевые транзисторы с управляющим p-n переходом;

2) МДП транзисторы с изолированным затвором:

а) со встроенным каналом;

б) с индивидуальным каналом.

Интерес к ним вызван их преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:

1) высокая технологичность;

2) хорошая воспроизводимость требуемых параметров;

3) малая стоимость;

Высокое входное сопротивление.

Полевые транзисторыс управляющим p-n переходом

Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, n-каналом, по схеме с общим истоком.

U_зи

Схемное обозначение транзистора с управляющим p-n переходом.

Канал – полупроводник n-типа с относительно малым количеством донорской примеси.

Затвор – кольцевой слой полупроводника p-типа с высоким содержанием акцепторной примеси.

Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.

По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного U_си движутся электроны от истока к стоку.

носителей, чем n слой, изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с

U_зи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении U_зи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных

Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.

На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.

Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

2.1.4.2 МДП транзистора

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.

⇐ Предыдущая 5 6 7 8 91011 12 13 14 Следующая ⇒