![]() |
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Составные транзисторы. Каскодная схема.
Составной транзистор. В качестве усилительного элемента может быть применён не только один транзистор, но и комбинация из двух или больше транзисторов. Такая комбинация называется составной транзистор. Поскольку составной транзистор рассматривается как единый УЭ, он имеет три электрода, эквивалентные базе, эмиттеру и коллектору обычного транзистора. Составной транзистор обладает свойствами, которые получить в обычных транзисторах либо трудно, либо практически невозможно. Наиболее часто составной транзистор представляет собой комбинацию из двух транзисторов с непосредственной связью между ними. Иногда это не только каскадно-соединенные транзисторы, но и комбинации из транзисторов и резисторов, включенных в цепь базы и эмиттера.
Рисунок 1.35 Схемы составных транзисторов В настоящее время составные транзисторы широко используются в усилительной технике: в аналоговых интегральных схемах, в современных усилителях с бестрансформаторным двухтактным выходом, в эмиттерных повторителях с большими выходными токами и т. д. Составные транзисторы целесообразно использовать и в том случае, когда для конкретного усилителя не удается подобрать транзисторы с нужными параметрами, выпускаемые промышленностью. Пара Дарлингтона. Схемы наиболее часто применяемых составных транзисторов показаны па рис, 1.35. Наибольшее распространение получила схема рис. 3.6, а, известная в литературе под названием схемы (или пары) Дарлингтона. Пару Дарлингтона можно включать по схеме с ОЭ, (ОК или ОБ, используя при этом транзисторы р-п-р пли п-р-п типа. Наибольший эффект дает включение составного транзистора по схеме с ОЭ и ОК; в схеме с ОБ усиление пары Дарлингтона мало отличается от усиления обычного транзистора. Действительно, из рис.1.35а следует
где
Из (3.2) следует, что эквивалентный коэффициент усиления по ток у (Дарлингтона при включении ее по схеме с ОЭ практически равен произведению коэффициентов усиления транзисторов Аналогично можно показать, что при включении пары Дарлингтона по схемесОБ, результирующий коэффициент усиления по току
Если транзисторы в паре Дарлингтона одинаковы, то из (3.3) следует что
Рисунок 1.36 Каскодная схема
Граничная частота составного транзистора при включении его в схемy с ОБ несколько превышает граничную частоту наиболее высоко-частотного из примененных транзисторов; для схем с ОЭ и ОК граничная частота оказывается несколько ниже граничной частоты наиболее низкочастотного из примененных транзисторов. Входное сопротивление составного транзистора в схемах с ОЭ и ОК при невысоком сопротивлении нагрузки больше, чем у отдельных транзисторов. На рис. 1.35бпоказана схема ещё одного составного транзистора с разными типами проводимостей р-п-р и п-р-п. Как следует из направлений результирующих токов, показанных на рис. 1.35бэтотсоставной транзистор р-п-р типа. Его коэффициент усиления по току Каскодная схема. Вариантом составного транзистора является каскадная схема, представляющая собой последовательное включение по переменному току двух транзисторов (рис. 1.36). Входной транзистор V1 включён по схеме с ОЭ, выходной — по схеме с ОБ. Выходной ток таре составного транзистора
Тогда эквивалентный коэффициент усиления по току
a) б) Рисунок 1.37 Хорошая развязка выхода и входа в каскодном усилителе объясняется тем, что нагрузкой транзистора V1 является малое входное сопротивление транзистора V2, включенного по схеме с ОБ, т, е. транзистор V1 каскодного усилителя работает практически в режиме короткого замыкания коллекторной цепи. При этом коэффициент усиления по напряжению транзистора мал, а следовательно, мало и напряжение обратной связи с выхода транзистора V1 на его вход. С другой стороны, ёмкость коллекторного перехода Принципиальная схема каскада усиления промежуточной частоты на микросхеме К118УН2 приведена на рис. 1.37б. Нагрузкой каскадного усилителя является избирательная система C5L2. Недостатком каскодных схем с последовательным соединением транзисторов является необходимость более высоких напряжений источников питания по сравнению с обычным каскадом.
Популярное: |
Последнее изменение этой страницы: 2016-03-25; Просмотров: 1156; Нарушение авторского права страницы