Статические характеристики транзисторов

Статическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором изменение входного тока или напряжения не вызывает изменение выходного напряжения. Статические характеристики каскада, включённого по схеме с ОБ, измеряются по общей схеме, изображённой на (рисунок 3)

 

 

Рисунок – 3 Схема измерений статических параметров транзистора с ОБ.

 

Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные.

Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Для схемы с общей базой

IЭ = f (UБЭ) при UБК = const.

Входные характеристики представляют собой прямую ветвь открытого p-n перехода. При увеличении выходного напряжения UКЭ носители заряда быстрее пролетают базу, рекомбинируют, следовательно, и ток базы уменьшается. Поэтому характеристика при UКЭ > 0 будет проходить ниже.

Резистором R1 изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R2 поддерживается постоянным UБК. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения UБК (рисунок 4, а).

Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе. Для схемы включения с общей базой

IК = f (UБК) при IЭ = const.

Из рисунка 4, б видно, что выходные характеристики представляют собой прямые линии, почти параллельные оси напряжения.

Это объясняется тем, что коллекторный переход закрыт независимо от величины напряжения база-коллектор, и ток коллектора определяется только количеством носителей заряда, проходящих из эмиттера через базу в коллектор, т. е. током эмиттера.

 

Рисунок – 4 Статические характеристики транзистора с ОБ: а – входные; б – выходные.

 

 

Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ

На рисунке 4 изображена схема установки для измерения статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.

 

Рисунок – 4 Схема измерений статических параметров транзистора с ОЭ.

 

Входная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рисунок - 5, а)

IБ = f (UБЭ) при UБК = const.

Выходная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рисунок - 5, б)

IК = f (UКЭ) при IБ = const.

 

 

Рисунок – 5 Статические характеристики транзистора с ОЭ: а – входные; б – выходные.

 

 

Динамический режим работы транзистора

 

Понятие о динамическом режиме

Динамическим режимом работы транзистора называется такой режим, при котором в выходной цепи стоит нагрузочный резистор, за счёт которого изменение входного тока или напряжения будет вызывать изменение выходного напряжения.

На рисунке 6 резистор RК – это коллекторная нагрузка для транзистора, включённого по схеме с ОЭ, обеспечивающая динамический режим работы.

EК = URК + UКЭ

URК = IКRК

EК = UКЭ + IКRК

UКЭ = EК – IКRК

где последнее выражение – это уравнение динамического режима работы транзистора.

⇐ Предыдущая123456789Следующая ⇒

Поделиться:

Популярное:

1. Бактериостатические средства
2. Коагулянты и другие гемостатические средства
3. Следы транспортных средств, их классификация, обнаружение, фиксация и изъятие – рассказывать нужно про поверхностные, объемные, статические, динамические и т.д.
4. Статические и динамические VLAN
5. Статические характеристики системы П—Д постоянного тока.
6. Схемы включения транзисторов
7. Транзистор. Назначение, схемы и принцип работы биполярных транзисторов.
8. Частотные параметры транзисторов.