![]() |
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Зависимость от межэлектродного зазора.
При малых зазорах напряженность поля пробоя резко нарастает с уменьшением зазора (рис.9.6). Современные экспериментальные данные по пробою специально выращенных бездефектных пленок показывают, что пробивная напряженность в субмикронных зазорах может доходить до 100 МВ/см. Зависимость от площади. Эта зависимость - чисто эмпирическая, как в газах и жидкостях, она имеет вид Е=Е0S-1/10 Кристаллографическая направленность. При разряде в кристаллах, например NaCl, с “игольчатого” электрода разряд зачастую имеет вид не “дерева” или “куста”, а разветвленной структуры с ветвями, ориентированными вдоль определенных кристаллографических направлений. При этом, разряд с анодного острия предпочитает одни направления, а с катодного острия - другие. Закономерности импульсного пробоя: такие же, как в случае пробоя жидкостей. Электрическая прочность в наносекундном диапазоне может превышать 10 МВ/см. Из теорий электрического пробоя рассмотрим модель электрического пробоя, модель пробоя под действием частичных разрядов и наиболее проработанную теорию теплового пробоя. Много моделей рассматривают электрический пробой твердых диэлектриков. Считается, что электроны могут вырываться из электродов или из молекул примесей, например путем туннельного эффекта, или термоионизации и попадают в зону проводимости. Там они ускоряются и набирают энергию, достаточную для выбивания новых электронов из заполненной зоны. Выделяющаяся энергия приводит к разрушению и появлению канала разряда. В случае чисто «электрического» механизма не должно быть температурной зависимости Е(Т). Реальные диэлектрики отличаются от идеальных, прежде всего наличием в теле диэлектрика микропор, в особенности на поверхности раздела “электрод-диэлектрик”. Это является одним из главных факторов ухудшения свойств электрической изоляции в процессе эксплуатации, т.н. старения диэлектриков.
Основной механизм старения диэлектриков - воздействие частичных разрядов. Дело в том, что в энергетике на диэлектрики действуют, как правило, переменные электрические поля. При этом при действии переменного напряжения определенной амплитуды в газовых или воздушных порах возникают частичные разряды. (рис.9.7)
Каждый разряд оказывает слабое воздействие на диэлектрик за счет образования активных радикалов, излучения, повышенной температуры. Интенсивность ЧР зависит от напряженности поля. Однако разряды обычно возникают на каждом полупериоде синусоидального напряжения, поэтому с течением времени их действие нарастает. Это ведет к постепенному разложению материала, росту давления в поре, появлению проводящих частиц (обуглероживанию), и в конце концов к зарождению дендрита.
Интенсивность роста дендрита зависит от напряженности поля и она определяет зависимость времени жизни от напряженности и частоты воздействующего напряжения. Поведение органических и неорганических диэлектриков различается. На переменном напряжении неорганика практически не стареет, т.к. в ней не происходит разложения материала и обуглероживание каналов дендритов. На постоянном напряжении неорганика (содержащая ионы) стареет за счет перемещения ионов разного знака к разным электродам. Органика на переменном напряжении стареет за счет ЧР, на постоянном напряжении практически не стареет.
Обычно механизм выхода их строя твердой изоляции под действием напряжения представляется следующим. В порах возникают частичные разряды, они постепенно разрушают диэлектрик в прилегающей области, затем их амплитуда растет и, по достижению некоторого значения, скачкообразно происходит образование микродендрита. Затем ЧР происходят уже в дендрите, и после определенных воздействий, дендрит скачкообразно прорастает дальше вглубь промежутка. В конце концов происходит пробой всего промежутка. Для влажных условий водные дендриты начинают играть превалирующую роль, приводя к пробою при сравнительно низких напряжениях. По сути дела, тепловой пробой возникает вследствие увеличения электропроводности диэлектрика с ростом температуры, которую обычно представляют в виде s = s(T0)× exp(a× (T-T0)), где a- температурный коэффициент зависимости. Механизм возникновения представляется следующим образом. Энерговыделение W в среде с напряженностью E и удельной проводимостью s в течении времени Dt определяется джоулевыми потерями W = sE2Dt. Это приводит к росту температуры DТ в соответствии с выражением W = с× d× DT, где с × удельная теплоемкость, d - плотность диэлектрика. Рост температуры сопровождается ростом электропроводности, что приводит к росту энерговыделения и т.п. В результате возникает ничем не ограниченный (при мощном источнике) рост температуры. Считается, (чисто математически) что пробой произойдет при достижении бесконечной температуры. Для одного частного случая, когда пренебрегается теплоотводом от диэлектрика во внешнюю среду получено известным российским ученым академиком Фоком выражение Е = (с× d/(a × s(Т0)× t))1/2 (9.4) Это выражение определяет температурную зависимость электрической прочности E(T0), ввиду зависимостиs(Т0). Экспериментально тепловой пробой твердых диэлектриков выявляется не только по виду температурной зависимости, но и по внешнему виду канала разряда. В этом случае обычно канал разряда расположен в центре образца и он имеет аккуратные гладкие стенки, характерные для проплавления диэлектрика. Литература 1.Ушаков В.Я. Импульсный электрический пробой жидкостей.-Томск: Изд-во ТГУ, 1975, 254 с. 2. Воробьев Г.А. Физика диэлектриков, область сильных полей.: Изд-во Томского Университета, Томск 1977, 252 с. 3. Райзер Ю.П. Физика газового разряда: учебное руководство.-М.: Наука.Гл.ред.физ.-мат. Лит., 1987.-592 с. 3. Коробейников С.М. Пузырьковая модель инициирования импульсного пробоя жидкостей. В кн. Сборник научных трудов НГТУ, из-во НГТУ, 1996, В.2, 1997, В.1. Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-06-05; Просмотров: 824; Нарушение авторского права страницы