![]() |
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Параметрический стабилизатор напряжения
Рисунок 4.2
Принцип действия стабилизатора напряжения. При изменении входного напряжения под действием колебаний питающей сети напряжение стабилизации на стабилитроне меняется незначительно (см. Рис 3.1). При этом напряжение на нагрузке также меняется незначительно, так как нагрузка включается параллельно стабилитрону. Лишнее напряжение при этом будет падать на балансном резисторе. Качество стабилизатора напряжения определяется коэффициентом стабилизации.
Стабисторы Используются для стабилизации напряжения. Стабисторы это полупроводниковые диоды, у которых используется прямая ветвь ВАХ. Включение стабистора – прямое. ВАХ стабистора:
Рисунок 5.1
Стабисторы используются для стабилизации низковольтных напряжений Uст= 0, 3 ÷ 1В Д 219С Д 220С Д 223С Импульсные диоды
Они широко используются в цифровой технике. Импульсные диоды предназначены для применения в импульсных и цифровых схемах. Они являются разновидностью высокочастотных диодов и предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных режимах. Помимо высокочастотных свойств они должны обладать минимальной длительностью переходных процессов при включении и выключении. У них малая площадь p-n перехода и малая емкость.
При подаче прямого напряжения на диод имеет место скачок напряжения на диоде, которое затем уменьшается до величины Uпр.уст (см Рис. 4.1). Снижение напряжения на диоде до значения Uпр.уст происходит за время tуст – время установления прямого сопротивления или напряжения.
Если прямое напряжение быстро изменить на обратное, то имеет место скачок обратного тока на диоде, который затем уменьшается до значения Iобр.уст (см. Рис. 4.2) Промежуток времени с момента подачи обратного напряжения до момента, когда ток достигает до своего установившегося значения называется временем восстановления обратного сопротивления диода. tвост или τ вост. Этими величинами tуст и tвост определяется время переключения импульсных диодов.
Рисунок 6.2
КД507А 5 tвост 100нс и более 9 tвост 1нс и менее
6.1 Импульсные диоды обязательно характеризуются такими параметрами: СД емкость диода, и tвост. импульсные диоды – маломощные диоды. Пример: рассмотрим основные параметры диода ГД507А
Выпускается в виде диодных матриц, которые содержат несколько импульсных диодов. Рассмотрим диодную сборку КДС525.
Рисунок 6.3 Варикапы Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости p-n перехода от обратного напряжения. Обозначение:
Рисунок 6.4 d – ширина p-n перехода, Изменяя приложенное обратное напряжение к варикапу мы изменяем ширину p-n перехода и соответственно величину барьерной емкости p-n перехода. Основная характеристика варикапа- вольто-фарадная характеристика диода
Основные параметры варикапа 2В102А
Q = 40 Добротность – отношение активного сопротивления к полному сопротивлению потерь. Рисунок 6.5
ТКЕ- температурный коэффициент емкости. Рmax- максимальная мощность рассеивания на варикапе 100 mВ применяется в качестве нелинейного конденсатора в системах дистанционного управления и автоматической подстройки частоты.
Рисунок 6.6
Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-03-03; Просмотров: 613; Нарушение авторского права страницы