Указать полярность источников питания в активном режиме.

10.  β =99. Определить α.

 

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОБ

 

.

12. Определить h_11Э в точке U_БЭ = 0, 8 В

13. Дайте определение граничной частоте.

1. К_Р = 0, 7;     2. К_Р = 1;             3. К_Р = 10;     4. К_Р = ;  

5.│ h_21Б│ = 6.│ h_21Э│ =    7. │ h_21Э│ =1 8.

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2.  h_21Э=           3. h_21Б=                   

4. │ h_21Э│ =        5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

15. Указать зависимость модуля │ h_22Э│ от частоты

Билет № 11

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д302 и резистора 1 Ом.

На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2   Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР =100 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=60^ОС.

 

 3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =13 В,

 I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =1300 Ом,  R_Г =450 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 7 В, L=20 мкГн, С_НОМ=40 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа р.

 

 

 

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

 

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

 

8. Определить R_i при U_СИ=10 В, U_ЗИ=-0, 4 В. Указать тип транзистора.

Указать режим работы БТ. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный)

10.  Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…

1. ;
2. 
3. 

4. Ток базы не связан с токами I_K и I_Э.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 200 мкА

13.  Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

 

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 3 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 50. Определите f_Н21Э.

Билет № 12

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода ГД402А и резистора 20 Ом. На ВАХ диода  построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0, 7 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР = 20 мА, другая на обратной U_ОБР=10 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^О.

 

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =11 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 25 мА,

R_Н =1100 Ом,  R_Г =450 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 8 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n), Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р), В) МДП с индуцированным каналом типа n, Г) МДП с индуцированным каналом типа р, Д) МДП с встроенным каналом типа n, Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение БТ структуры n- р- n.

 

 

 

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

 

1) ; при                  3) ; при   

5) ; при              4) ; при

 

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=3 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться: