Указать полярность источников питания в активном режиме.

10. β =99. Определить α.

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОБ

 

.

12. Определить h_11Э в точке U_БЭ = 0, 8 В

13. Дайте определение граничной частоте.

1. К_Р = 0, 7;     2. К_Р = 1;         3. К_Р = 10; 4. К_Р = ;  

 5.│ h_21Б│ = 6.│ h_21Э│ = 7. │ h_21Э│ =1

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2.  h_21Э=            3. h_21Б=                   

4. │ h_21Э│ =        5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

 

15. Указать зависимость модуля │ h_22Э│ от частоты

Билет № 26

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД103А и резистора 10 Ом (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=125 мА, другая на обратной U_ОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =130 В, I_{СТ min}  = 5 мА, I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =13000 Ом,  R_Г =2000 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 2 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение БТ с структуры n-р-n.

 

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

 

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

 

 

8. Определить S при U_СИ=12 В и  U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

 

Указать полярность источников питания в режиме отсечки.

10. Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…

1. ;
2. 
3. 

4. Ток базы не связан с токами I_K и I_Э.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 200 мкА

13.  Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

 

14 Указать зависимость модуля │ h_11Б│ от частоты

 

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 600 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 5. Определите f_Н21Э.

 

Билет № 27

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД109Б и резистора 5 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=250 мА, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить  сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =150 В,  

I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 20 мА,

R_Н =15 000 Ом,  R_Г =2000 Ом.

 

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 3 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с  управляющим p-n переходом и каналом типа n.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

2) ; при                  4) ; при

8. Определить R_i при U_СИ=14 В и  U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

 

9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.

10. Определить ток коллектора и ток базы для схемы с ОЭ, если β =99, I_Э=10, 1 мА, I_КЭ0=0, 1 мА

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться: