Указать режим работы БТ (Отсечки, активный, насыщения, инверсный).

10. Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α =0, 99

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=250 мкА

13. Дайте определение максимальной частоте f _max.

 

14. Указать формулу зависимости модуля коэффициента передачи тока базы от частоты:

1. │ h_21Э│ =          2. h_21Э=

3. h_21Б=                  4. │ h_21Э│ =

5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

 

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

Билет № 23

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д245А и резистора 0, 1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 10 В, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

 если U_СТ =82 В,  

I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 30 мА,

R_Н =1640 Ом,  R_Г =1000 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 19 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

6. Указать условное изображение ПТ с встроенным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при    2) ; при               

3) ; при         4) ; при

8. Определить R_i при U_СИ=6 В и  U_ЗИ = - 0, 4 В. Указать тип транзистора.

Указать полярность источников питания в режиме насыщения.

10. Определить ток коллектора, если I_Б=1 мА, I_КЭ0=10 мкА, β =100

 

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_22Э при U_КЭ=4 В и I_Б=20 мА

.

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2. h_21Э=

3. h_21Б=                  4. │ h_21Э│ =

5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

 

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

 

 

Билет № 24

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д247А и резистора 0, 1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=10 А, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,  если

U_СТ =33 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 40 мА,

R_Н =3300 Ом,  R_Г =500 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 20 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

 

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение ПТ с встроенным каналом типа р.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при                  3) ; при   

8) ; при              4) ; при

8. Определить S при U_СИ=6 В и  U_ЗИ = - 0, 4 В. Указать тип транзистора.

 9. Указать полярность источников питания в активном режиме.

10. β =49. Определить α.

 

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

 

12. Определить h_21Э при U_КЭ=4 В и I_Б=16 мА

13. Дайте определение частоте f _max.

1. К_Р = 0, 7; 2. К_Р = 1; 3. К_Р = 10; 4. К_Р = ; 5. α =       6. β =

 

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │ h_21Э│ =          2.  h_21Э=            3. h_21Б=                   

4. │ h_21Э│ =        5.│ h_21Э│ =         6. │ h_21Б│ =

 

 

15. Указать зависимость модуля │ h_11Э│ от частоты

 

 

Билет № 25

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода КД105Б и резистора 4 Ома (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1, 4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 250 мА, другая на обратной U_ОБР=400) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =120 В, I_{СТ min}  = 5 мА,  I_{СТ max}  = 40 мА,

R_Н =12000 Ом,  R_Г =2000 Ом.

 

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 1 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

 

5 Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

 

 

6. Указать условное изображение полевого тетрода  с встроенным каналом типа р.

 

 

7. Дать определение крутизны ПТ.

 

1) ; при         2) ; при   

3) ; при          4) ; при

5) ; при               6) ; при .

 

 

8. Определить R_i при U_СИ=16 В и  U_ЗИ = 0 В. Указать тип транзистора.

 

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться: