Статические характеристики транзисторов

Транзистор при включении по любой схеме может характеризоваться четырьмя семействами характеристик:

- входные характеристики I_вх = f (U_вх), U_вых – сonst;

- выходные характеристики I_вых = f (U_вых),  I_вх – const;

- характеристики передачи то току I_вых = f (I_вх), U_вых – const ( , );

- характеристики  обратной  связи  по  напряжению  U_вх = f (U_вых),  I_вх – const ( ).

Семейство входных характеристик транзистора p-n-p типа включенного по  схеме с ОБ (I_Э =f (U_ЭБ); U_К − const), представлены на рис. 8.

 

        

Рис. 8               

U_КБ − параметр семейства. ВАХ при U_КБ = 0 аналогична ВАХ диода, I_Э экспоненциально увеличивается при увеличении U_ЭБ.

Увеличение отрицательных значений U_КБ вызывает смещение кривых влево. Это связано с эффектом Эрли. С увеличением U_КБ при постоянном I_Э прямое напряжение на эмиттере U_ЭБ уменьшается.

Семейство  выходных характеристик транзистора включенного по схеме с ОБ (I_К = f (U_КБ), I_Э − const), представлены рис. 9.

Рис. 9

Характерная особенность выходных сигналов характеристик – слабая зависимость I_К от U_КБ.

При I_Э = 0 и U_К < 0 в цепи коллектора протекает обратный ток I_КО, величина которого слабо зависит от U_КБ.

  При I_Э > 0 и U_КБ = 0 ток I_К может достигать значительной величины (инжектированные носители переносятся через базу и доходят до коллектора за счет диффузии). При U_КБ > 0 характеристики сильно изгибаются (режим насыщения). Коллекторный переход включен в прямом направлении, возрастает ток инжекции из коллектора в базу, направленный встречно току экстракции коллектора, поэтому полный ток I_К уменьшается и достигает 0.

Семейство входных характеристик для транзистора включенного по схеме с ОЭ (I_Б = f (U_БЭ), U_КЭ − const) представлено на рис. 10.

Рис. 10

Характеристики аналогичны характеристикам с ОБ. Расположение характеристик определяется U_КЭ. Однако характеристики, снятые для больших значений U_КЭ располагаются справа от характеристики для U_КЭ = 0 (отличие от ВАХ для ОБ). Смещение характеристик вправо при увеличении  связано с уменьшением общего количества неосновных носителей в базе, и, следовательно, с уменьшением количества рекомбинируемых носителей (эффект Эрли).

Семейство выходных характеристик для транзистора включенного по схеме с ОЭ (I_К = f (U_КЭ), I_Б − const) представлено на рис. 11.

Рис. 11

По сравнению с выходными характеристиками схемы ОБ выходные характеристики схемы ОЭ имеют больший наклон (выше крутизна). Это объясняется более сильной зависимостью коэффициента передачи тока базы от U_КЭ.

Начальные участки всех характеристик выходят из начала координат, т.к. при U_КЭ = 0 ток через коллекторный переход отсутствует.

Смещение характеристик вверх связано с увеличением  при увеличении  при постоянстве U_КЭ.

⇐ Предыдущая12345678Следующая ⇒

Поделиться: