Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Транзистор как линейный четырехполюсник
Токи и напряжения в транзисторе связаны нелинейными зависимостями. Поэтому в общем случае транзистор следует рассматривать как нелинейный четырехполюсник (рис. 12). Однако при произвольных постоянных токах и напряжениях на электродах транзистора и воздействии малого сигнала, статические характеристики транзистора могут быть линеаризованы в области рабочей точки. Рис. 12 Например, линеаризация входной характеристики в области рабочей точки B (рис. 13) эквивалентна замене экспоненциальной зависимости линией касательной в точке B. При этом нелинейные зависимости заменяются линейными, а транзистор характеризуется как линейный четырехполюсник. Линеаризация характеристик допустима лишь при малых сигналах U1, т.к. при больших сигналах ошибка становится недопустимо большой. Поэтому параметры, характеризующие линеаризованный транзистор называют малосигнальными параметрами, а также дифференциальными параметрами, т.к. линеаризация выполняется касательными. Рис. 13 Представление транзистора в виде эквивалентного линейного четырехполюсника широко используется в радиотехнических расчетах. При этом связь между изменениями токов , и напряжений и , в общем случае комплексными, описывается с помощью одной из трех систем параметров – Z, Y или H. Причем, в зависимости от схемы включения транзистора, каждая система параметров определяется для схем ОБ, ОЭ, ОК отдельно. Наибольшее применение получила система h-параметров это смешанная система: , где - входное сопротивление при КЗ по переменной составляющей на выходе; - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе; - дифференциальный коэффициент передачи тока при КЗ по переменной составляющей на выходе; - выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе по переменной составляющей. Систему h-параметров широко используют в области низких частот, когда пренебрежимо малы емкостные составляющие токов. Значения h-параметров легко определяются по входным и выходным характеристикам транзистора. Для этого определяют рабочую точку на характеристиках и выполняют их линеаризацию вблизи рабочей точки. Воздействия токов и напряжений малого сигнала , , , моделируют (имитируют) небольшими отклонениями положения рабочей точки. Например, , . Отметим, что параметр совпадает с β, а совпадает с α. Параметры транзисторов в разных схемах включения однозначно связаны между собой. Всегда можно перейти от одной системы параметров к другой системе. |
Последнее изменение этой страницы: 2019-04-19; Просмотров: 174; Нарушение авторского права страницы