Исследование транзистора включенного по схеме ОЭ

Для исследования установить измерительную панель № 6. В качестве исследуемого элемента используется германиевый биполярный транзистор p-n-p типа МП40, при установке которого проверьте цоколевку.

2.1.2.а. Входные характеристики I_Б = f ( U_БЭ )

Собрать схему измерений, представленную на рис. 28.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (I _Б ) − амперметр АВМ 1 с пределами измерения от 0.5 мА до 10 мА;

− РU 1 (U _БЭ) − вольтметр АВМ 2 с пределом измерения 0.5 В;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (U _КЭ ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

Выполнить измерения для построения трех характеристик при U_КЭ= 0, -2.5, -5(В).

Измерения выполнять, изменяя напряжение U _БЭ от 0 до 0.3(В) с шагом 0.05(В).

Если в процессе увеличения напряжения U_БЭ начнутся изменения напряжения U_КЭ,

измерения заканчивают на этом значении.

 

                                   VT1

                                                 Рис. 28

2.1.2.б. Выходные характеристики I_К = f ( U_КЭ )

Собрать схему измерений, представленную на рис. 29.

В качестве источников и измерителей в схеме используются следующие приборы:

− ГТ − генератор (источник) тока;

− РА 1 (I _Б ) − амперметр АВМ 1 с пределом измерения 0.5 мА;

− РА 2 ( I_К) − амперметр АВМ 2 с пределом измерения 10 мА;

− ГН 2 − генератор (источник) напряжения;

− PU 2 (U _КЭ ) − вольтметр ИВ (индикатор выхода) с пределом измерения 25 В.

                         

 VT1

─

+

                                                             Рис. 29

Выполнить   измерения   для   построения  трех выходных  характеристик  при I_Б = 50, 100, 150 мкА. Измерения выполнять, изменяя напряжение U _КЭ от 0 до 10(В) с шагом 1(В). Так как транзистор при измерениях находится в активном состоянии, то линейные изменения U_КЭ в указанных пределах могут быть затруднены. В этом случае конкретные значения напряжения для измерения лучше выбирать самостоятельно, как получается.

 

 

Оформление отчета по лабораторной работе

По результатам измерений построить четыре графика:

− семейство  входных  характеристик  транзистора  включенного  по  схеме  ОБ I_Э = f(U_ЭБ) при U_КБ - const,;

− семейство выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОБ I_К = f(U_КБ) при I_Э - const,;

− семейство входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ I_Б = f(U_БЭ) при U_КЭ - const,;

− семейство  выходных  характеристик  транзистора, включенного  по  схеме ОЭ I_К = f(U_КЭ) при I_Б- const.

По семействам характеристик вычислить h-параметры транзистора для схем включения  ОБ и ОЭ. Для транзистора по схеме ОБ h-параметры определяются по следующим выражениям.

h_11Б = Δ U_ЭБ/Δ I_Э, при U_КБ − const;

h_12Б = Δ U^*_ЭБ/(U_{К2 −} U_К1), при I_Э − const;         (1)

h_21Б = Δ I^*_К/(I_Э2 − I_Э1), при U_КБ − const;

h_22Б = Δ I_К/Δ U_К, при I_Э − const.

 На рис. 30 приведен пример определения h-параметров для транзистора, включенного по схеме ОБ, по входным (рис. 30, а), и выходным (рис. 30, б) характеристикам. Приведенные обозначения токов и напряжений соответствуют выражениям (1).

 Для транзистора включенного по схеме ОЭ, построения и расчеты проводятся аналогично, по характеристикам для схемы ОЭ.

 

а)                                                                       б)

Рис. 30

 

По результатам выполненной работы оформляется отчет. Отчет по работе должен содержать следующие разделы:

− титульный лист;

− цель работы;

− рабочие схемы измерения;

− таблицы результатов;

− графики семейств характеристик;

− результаты вычисления h-параметров;

− выводы по полученным результатам.

 

2.3. Контрольные вопросы

1. Основные конструктивные элементы транзистора.

2. Режимы работы транзистора. Чем определяется режим работы?

3. Токи, протекающие в транзисторе в различных режимах работы.

4. Схемы включения транзисторов. Входные и выходные цепи транзистора.

5. Основные параметры эмиттерного и коллекторного переходов транзистора.

6. Что такое модуляция ширины базы транзистора?

7. Коэффициенты передачи тока в транзисторе.

8.  Соотношения токов транзистора. Связь входных и выходных токов.

9. Особенности вольт-амперных характеристик транзистора.

10. Линеаризация вольт-амперных характеристик.

11. H-параметры транзистора.

12. Представление транзистора в эквивалентном виде.

13. Рабочие точки на входных и выходных характеристиках.

14. Принцип усиления биполярного транзистора.

15. Работа транзистора с нагрузкой.

16. Высокочастотные свойства транзистора.

17. Работа транзистора в импульсном режиме.

18. Особенности составного транзистора.

Содержание

УСТРОЙСТВО ТРАНЗИСТОРА.………………………………………5

Режимы работы и схемы включения транзисторов………………6

Принцип действия транзистора……………………………………7

Объёмное сопротивление базы транзистора……………………..9

Модуляция ширины базы транзистора……………………………9

Коэффициенты передачи тока в схемах ОБ и ОЭ……………….10

Статические характеристики транзисторов……………………...11

Транзистор как линейный четырехполюсник……………..……..13

Эквивалентные схемы транзистора в линейном режиме….……14

Работа транзистора с нагрузкой…………………………………..16

Работа транзистора на высоких частотах………………………..18

Работа транзистора в импульсном режиме………………………20

Составной транзистор……………………………………………..21

ПРАКТИЧЕСКОЕ ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ……………………….23

Порядок выполнения работы………………………………….….23

Исследование транзистора включенного по схеме ОБ……….23

Исследование транзистора включенного по схеме ОЭ……….24

Оформление отчета по лабораторной работе……………………26

Контрольные вопросы…………………………………………….27

 

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

 

 

Методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника» (модуль «Электроника») для студентов по направлению подготовки «Информатика и вычислительная техника», квалификация 230100.62.

 

 

Составитель С.В.Старыгин

 

 

Марийский государственный технический университет

424001 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3

 

 

 

 

⇐ Предыдущая12345678

Поделиться: