Технологический маршрут изготовления СВЧ ГИС и МСБ

1. Нанесение технологического защитного покрытия на поверхность подложки с обеих сторон. Применяется при механической обработке подложек, сверлении отверстий и др.

2. Сверление отверстий в подложках на скоростном сверлильном станке алмазным инструментом, либо прошивка отверстий лазерным лучом или ультразвуком.

3. Удаление технологического защитного покрытия.

4. Очистка подложек. Сначала производится очистка от полировочных паст на ультразвуковой установке, затем плазмохимическая обработка, после чего следует сушка в потоке нейтрального газа.

5. Формирование резисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок вакуумным напылением с применением масочного метода или фотолитографии. Масочный метод: напыление резистивного слоя через маску; напыление электропроводящих слоев для получения площадок через маску. Фотолитография (ФЛ): метод получения рисунка в напыленных слоях (по всей поверхности подложки). Последовательность выполнения ФЛ может быть разной. Если есть в схеме резисторы, то все слои могут напыляться в одном технологическом цикле, после чего проводят ФЛ последовательно в каждом слое (начиная с верхнего слоя), в этом случае речь идет о двойной ФЛ. Иногда напыляют резистивный слой и проводят ФЛ в этом слое, а затем напыляют проводники и контактные площадки, после чего следует ФЛ в проводящем слое. В последнем случае точность изготовления элементов хуже, но электрические характеристики могут быть лучшими по сравнению с двойной ФЛ.

6. Доводка номиналов сопротивлений резисторов отжигом.

7. Электролитическое доращивание основного электропроводящего слоя до требуемой толщины (обычно до 20 мкм).

8. Химическое или электрохимическое осаждение антикоррозийного покрытия проводящих элементов (Au, Ag, Sn – Pb, либо Sn - Vi).

9. При необходимости напыляют с обратной стороны (см. п8) подложки электропроводящие слои (Cr-Сu) с последующим гальваническим доращиванием защитного покрытия.

10. Скрайбирование.

11. Монтаж навесных компонентов.

12. Сборка, монтаж и герметизация ГИС.

 

1.

2.

3.

4.

5.

7.

6.

8.

9.

Рис. 29. Схема основных этапов технологического процесса изготовления одного из вариантов микрополосковой платы СВЧ-модуля;

 

1 – очистка поликора;

2 – напыление резистивного слоя; 3 – ФЛ в резистивном слое;

4 – напыление проводящего слоя Cr-Cu;

5 – ФЛ (в слое Cu);

6 – напыление структур Cr-Cu с обратной стороны подложки;

7 – ФЛ в слое фоторезиста перед гальваническим доращиванием Cu и осаждением Au;

8 – гальваническое доращивание Cu и осаждение Au;

9 – удаление ФР и стравливание технологического поля из Cr.

Аппаратура

В лабораторной работе используется макет, состоящий из кассеты СВЧ ГИС различного назначения и пластины с образцами плат после различных операций изготовления СВЧ ГИС, микроскоп ММУ-3 и лупа.

Лабораторное задание

1. Изучить образцы макета.

2. Определить, после какой операции взяты эти образцы.

3. Заполнить форму табл.1

Форма табл. 1

Технологический процесс изготовления СВЧ ГИС

№ пластины в кассете	Наименование операции	Назначение операции в технологическом маршруте	Характерные признаки операции	Материалы формируемого слоя	Примечания
1 . n

4. Определить конструкцию и назначение СВЧ элементов.

5. Изобразить топологию реактивных СВЧ – элементов данного изделия.

Контрольные вопросы

1. Дайте определение микрокополосковым платам: СВЧ ГИС; СВЧ МСБ.

2. Назовите линии передач. Область применения, достоинства и недостатки.

3. Требования к подложкам СВЧ ГИС.

4. Связь между электрическими и конструктивными параметрами линии передачи.

5. Как зависит волновое сопротивление от ширины проводника и толщины подложки?

6. сравните по параметрам МПЛ и щелевую линию.

7. Как зависит глубина скин-слоя от частоты?

8. назовите элементы с распределенными и сосредоточенными параметрами СВ ГИС.

9. Что такое согласованная нагрузка?

10. Как устроен мост Ланге?

11. поясните особенности фильтров СВЧ ИМС.

12. В каких случаях в малошумящих усилителях применяют полярные и полевые транзисторы?

13. Составьте технологический маршрут изготовления СВЧ ГИС, содержащий R,L, C и МПЛ.

Литература

1. Конспект лекций по дисциплине «Технология компонентов ЭВС»

 

Лабораторная работа № 7

⇐ Предыдущая39404142434445464748Следующая ⇒

Поделиться: