Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Силовой части преобразователя



 

1. Исходя из заданного значения амплитуды пульсации выходного напряжения Uвых.m, определяем требуемое значение ёмкости конденсатора Сн.

Выбираем тип и номинал конденсатора по таблицам П3.1- П3.4. При этом, выбирать конденсатор следует так, чтобы ёмкость была больше или равна расчётному значению, номинальное напряжение Uраб. больше или равно 1, 5 U0, а допустимая величина пульсации на частоте преобразования (для схемы рис. 7 на двойной частоте преобразования) больше Uвых. m. В противном случае следует выбирать Сн на большее рабочее напряжение, либо переходить к другому типу конденсатора.

Для конденсаторов ECR (табл. П3.1.) указан допустимый пульсирующий ток частоты 120 Гц - I (120Гц), который можно пересчитать в пульсирующий ток заданной частоты преобразования и температуры (рис. П3.1)

 

If = If120 * K * n

 

и найти допустимое напряжение пульсаций для данного конденсатора:

 

Uf = If /(2p·fп· Сн).

 

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения.

Для конденсаторов К50-53 (табл. П3.2) указан допустимый пульсирующий ток частоты 100 Герц - I(100Гц), который можно пересчитать в пульсирующий ток заданной частоты преобразования (рис. П3.2)

 

If = If100 * K

 

и найти допустимое напряжение пульсаций для данного конденсатора:

 

Uf = If /(2p·fп· Сн).

 

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения.

Для конденсаторов К50-68 (табл. П3.3) указывается амплитуда переменной составляющей напряжения пульсаций, но её зависимость от частоты (рис. П3.3) и температуры( рис. П3.4) отличается от рассмотренных ранее и находится по формуле Uf = Uf50 * K * n.

Очевидно, что для выбранного типа конденсатора Uf должно быть больше или равно Uвых. m. Конденсаторы можно включать параллельно, поскольку конденсаторы меньшей ёмкости допускают большие пульсации напряжения.

Конденсаторы К73-50 могут работать на переменном токе, не критичны к пульсациям, но имеют существенную массу и объём, что следует учитывать при выборе типа конденсатора.

Для схемы рис. 6 при определении значения ёмкостей конденсаторов С1 и С2 следует задаться значениями DUc1 и DUc2(DUc1£ 0, 1Uвх; DUc2£ 0, 1U0). Затем по таблицам П3.1 - П3.4. или по справочнику [4, 5, 6 ] выбираем с учётом вышеизложенных рекомендаций конденсаторы, при этом следует иметь в виду, что Uc1 раб ³ 1, 5 Uвх. макс.; Uc2 раб ³ 1, 5 U0.

 

2. Определяем приращение тока дросселя (для схемы рис. 6 DIL1, DIL2).

3. По ранее выбранному значению КПД преобразователя определяем значение максимального тока коллектора (стока) Iк1 макс транзистора VT1 (транзисторов VT1, VT2, для схемы рис. 7).

4. По выражениям табл. 7 определяем максимальное значение напряжения на закрытом транзисторе Uкэ1 макс. Для схемы рис. 2 величина

W1 / Wp находится из соотношения W1 / Wp = gмакс / (1-gмакс).

5. По вычисленным значениям Iк1 макс, Uкэ1 макс и заданной частоте преобразования fn из табл. П4.1 выбираем полевой транзистор [5].

При выборе транзистора необходимо, чтобы

UСИ ³ 1, 2 U кэ1 макс; Ic макс > Iк1 макс.

Для выбранного типа транзистора определяем сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R си откр).

6. Убеждаемся в возможности использования выбранного транзистора по мощности, которая определяется выражением

 

Рст макс = I2с макс Rси отр.

 

Используя данные таблицы П4.1 (Рмакс) проверяем возможность использования по мощности выбранного типа транзистора из условия Рмакс > Р ст макс.

7. На основании выражений таблиц 7 и 8 определяем параметры диодов VD1, VD2: среднее и максимальное значения тока диодов IVD1 макс, IVD2 макс, максимальное обратное напряжение на диодах UVD1 макс, UVD2 макс. Из табл. П5.1 или справочника [7] выбираем тип диодов VD1, VD2. Находим мощность, рассеиваемую на диодах - PVD1, PVD2.

8. Исходя из заданного значения нестабильности выходного напряжения d, определяем требуемый коэффициент передачи в контуре регулирования:


Таблица 8 Расчёт выпрямителя
№ п/п   Выходной Выпрямитель Схемы рис. 2 и 3 Схемы рис. 4 и 5 Схема рис. 6 Схема рис. 7
    IVD2макс = = IVDB макс Однополупериодный I0 макс+DIL/2
Мостовой и двухполупериодный   –       –       –       I0 макс+ DIL/2
    UVD2макс= = UVDB макс Однополупериодный Uвх. макс · ·W2/Wp
Мостовой U0 /gмин
Двухполупериодый 2U0 /gмин
    IПР. CР = = IПР.VDB Однополупериодный I0 макс/2 I0 макс/2
  Мостовой и двухполупериодный   –       –       –       I0 макс/2
    PVD2 = = PVDB   Однополупериодный Uпр× I0 макс× gмакс+ + fn× UVD2 макс× IVD2макс× ·0, 01/fпред   –   –
  Мостовой и двухполупериодный       –   –     Uпр× Iпр.ср.+ +fn× UVD2макс· ·IVD2макс× 0, 01/ fпред
               

Расчёт сетевого выпрямителя

 

1. На основании своего варианта задания выбираем схему сетевого выпрямителя (см. рис. 8).

2. Находим среднее значение тока, потребляемого от сетевого выпрямителя

Iвх = n21× I0 макс× gмакс.

 

3. По формулам табл. 9 определяем требуемые параметры вентилей

Iв ср, Uобр и, fд.

 

Таблица 9

 

Основные формулы для расчета выпрямителей





Читайте также:

  1. R мысленное разложение предмета на составные части и выявление их специфического
  2. THE GERUND AND THE PARTICIPLE. СРАВНЕНИЕ ГЕРУНДИЯ И ПРИЧАСТИЯ
  3. VI. Предлоги, союзы, частицы, междометия
  4. А. Молекулу. Б. Атом. В. Атомное ядро. Г. Протон. Д. Любая из перечисленных в ответах А — Г частица может быть разделена на более мелкие части или превратиться в другие частицы.
  5. Алгоритм выбора схемы преобразователя
  6. Б1. Выбор суффиксов причастий
  7. Банкет за столом с частичным обслуживанием официантами
  8. Богослужения и его составные части
  9. В какой части Казахстана впервые обнаружены стоянки палеолитического периода?
  10. В металлах, где все валентные электроны являются электронами проводимости, запрещенная зона отсутствует, и валентная зона частично перекрывается с зоной проводимости.
  11. В первой части работы проведен обзор литературы по теме дипломной работы.
  12. В систему Общей части входят институты, соответствующие учебным разделам:О


Последнее изменение этой страницы: 2016-03-15; Просмотров: 942; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2023 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.009 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь