|
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
ЧЕЛЯБИНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АГРОИНЖЕНЕРНАЯСтр 1 из 5Следующая ⇒
ЧЕЛЯБИНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АГРОИНЖЕНЕРНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра автоматизации сельскохозяйственного производства Утверждаю. Проректор по УР
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к лабораторным работам по дисциплине
«ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИК А » «ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» ЧАСТЬ 1 «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» Для студентов направления 660300 – агроинженерия
Челябинск Настоящие методические указания составлены в соответствии с Государственным общеобразовательным стандартом высшего профессионального образования, направления подготовки дипломированных специалистов 660300 – агроинженерия, утвержденным Минобразования РФ 05.04.2000г.
Составитель Полевик Н. Д. – канд. техн. наук, доцент (ЧГАА)
Рецензенты
Ответственный за выпуск Попов В. М. зав. кафедрой автоматизации с.-х. производства.
Рекомендовано к печати методической комиссией факультета ЭАСХП (протокол № 0т 2011)
Челябинская государственная агроинженерная академия, 2011. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ Лабораторные работы выполняются фронтальным методом параллельно с лекционным курсом. На занятиях студенты должны изучать основные схемы включения исследуемых полупроводниковых приборов, а также освоить методику снятия их основных характеристик. При самостоятельной подготовке к лабораторной работе следует изучить соответствующий теоретический материал, усвоить цели и задачи работы.
Описание лабораторного стенда. Все лабораторные работы выполняются на унифицированных стендах, которые содержат необходимые электроизмерительные приборы: осциллограф С1-72, цифровой вольтметр В7 – 22А, многопредельный стрелочный вольтамперметр Ц4311 и выполненный в виде моноблочного устройства стенд ……? . В состав стенда …. входят: 1) Два регулируемых источника постоянного тока с напряжением 0…30В, выходное напряжение которых контролируется с помощью встроенных вольтметров. Кроме того в стенде имеются источники постоянного нерегулируемого напряжения Источники 0…30В снабжены электронной системой защиты от перегрузок при срабатывании которой загораются красные сигнальные лампочки. Для восстановления напряжения, необходимо выключить источник питания, устранить ошибку в исследуемой схеме, а затем вновь включить источник питания. Перед началом работы регуляторы напряжения должны быть установлены в крайнее положение соответствующее минимальному напряжению источника (поворот ручки против часовой стрелки до упора). 2) Не регулируемые источники однофазного и трехфазного синусоидального напряжения 30В. 3) Функциональный генератор, состоящий из регулируемых по частоте генераторов прямоугольных двухполярных импульсов и генератора синусоидальных колебаний звуковой частоты с регулируемой амплитудой. 4) Наборное поле, представляющее собой диэлектрическую пластину, на которой изображены электронные схемы исследуемых приборов и устройств и смонтированы штекерные гнезда, соединенные с выводами электронных элементов и контрольными точками схем. Сборка электронных схем производится с использованием соединительных проводников снабженных штекерами. При подключении в схему электроизмерительных приборов следуйте рекомендациям конкретной лабораторной работы, соблюдая некоторые общие правила:
Порядок выполнения работы При подготовке к лабораторной работе необходимо ознакомиться с её содержанием, изучить теоретические положения и продумать методику проведения исследований. При сборке схемы необходимо свести к минимуму длину и количество соединительных проводов. Каждая вновь собранная схема должна быть проверена преподавателем или лаборантом, и только после разрешения проверяющего может быть включено напряжение питания. По окончании каждого исследования необходимо, не разбирая схему, показать преподавателю результаты измерений. В конце работы студенты обязаны:
Отчет о выполненной работе представляется каждым студентом на текущем занятии или в начале следующего занятия. Содержание отчета должно соответствовать требованиям, изложенным в её описании. Условные обозначения основных элементов электрических цепей приведены в табл.1. В табл. 2 представлены базовые электрические величины и их единицы измерения. Таблица1
Таблица 2
Лабораторная работа №1 Указания · Устанавливая на выходе регулируемого источника стенда «0-30В» напряжения, при которых величины напряжения постоянного тока UПР соответствуют указанным в таблице 1.1, измерьте с помощью прибора Ц4311 соответствующие токи IПР и ихзначения занесите в таблицу. ·
Рис. 1.5. Схема исследований прямой ветви ВАХ Примечание. В скобках указано обозначение элемента в электрической схеме стенда. Таблица 1.1.
Рис. 1.6. Схема исследований обратной ветви ВАХ. Указания
Таблица 1.2.
Рис.1.7. ВАХ исследуемого диода Указания 1.2.4. Провести касательную к линейной части прямой ветви ВАХ и определить пороговое значение прямого напряжения UПОР исследуемого диода (см. рис.1.4). 1.2.5. Определить сопротивления диода постоянному току при прямом Rпр и обратном включении Rобр, а также дифференциальное сопротивление диода rдиф в рабочей точке на линейной части прямой ветви ВАХ. Результаты занести в таблицу 1.3. Указания
1.2.6. По результатам приведенных в таблице 1.1. измерений определить величину сопротивления RН (R2) воспользовавшись выражением
Указания
1.2.7. На графике ВАХ (Рис.1.7.) по двум точкам IД = IКЗ = Указания
Таблица 1.3.
Примечание: * - значения полученные в результате графического построения. 1.3. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА 1.3.1. Тема и цель работы. 1.3.2. Схемы исследований с кратким их описанием. 1.3.3. Таблицы с результатами измерений. 1.3.4. Вольтамперная характеристика исследованного диода. 1.3.5.Расчет дифференциального сопротивления и сопротивления постоянному току в выбранной рабочей точке. 1.3.6. Расчет сопротивления нагрузки по экспериментальным данным. 1.3.7. Построенная линия нагрузки на ВАХ диода. 1.3.8. Выводы по работе. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. 4.1. Назовите основные области применения полупроводниковых диодов. 1.4.2. Что такое основные и не основные носители заряда в полупроводнике? 1.4.3. Что такое p-n переход? 1.4.4. Перечислите основные электрические свойства p-n перехода. 1.4.5. Объясните причину односторонней проводимости полупроводникового диода. 1.4.6. Как называется напряжение, при котором диод становится проводящим? 1.4.7. Объясните принципиальное различие между импульсными и выпрямительными диодами. 1.4.8. Перечислите основные электрические и предельно-допустимые эксплуатационные параметры диода. 1.4.9. Какой из диодов больше нагреется при последовательном их соединении, если сопротивление диодов в обратном направлении различны? 1.4.10. Для чего и как на практике выравниваются обратные сопротивления диодов при их последовательном соединении в схемах? 1.4.11. Что нужно сделать, если при сборке выпрямителя вы обнаруживаете, что имеющиеся диоды не подходят по напряжению, по току? ( Изменить подаваемое напряжение и ток нельзя). ЛИТЕРАТУРА. [1] – с. 30…40, [2] – с. 10…40, [3] – c. 20…40, [5] – c. 5…15.
Лабораторная работа № 2 СТАБИЛИТРОНЫ Указания
Нажатием клавиши перевести осциллограф в режим открытого входа и установите линию развёртки луча по центру экрана. При переключении масштаба по оси Y может потребоваться корректировка расположения данной линии
Рис. 2.1.3. ВАХ стабилитрона, полученная с помощью осциллографа.
Рис. 2.1.4. Схема исследований обратной ветви ВАХ Указания
Таблица 2.1.1.
2.1.2.3. По результатам измерений приведенным в таблице 2.1.1, определить величину сопротивления Rб (R3) воспользовавшись выражением
Указания
2.1.2.4. По результатам приведенных в таблице измерений в середине рабочего участка ВАХ, соответствующего электрическому пробою p-n перехода, определить дифференциальное сопротивление стабилитрона воспользовавшись выражением rдиф= 2.1.2.5. Исследовать прямую ветвь ВАХ стабилитрона, воспользовавшись схемой рис. 2.1.5.
Рис. 2.1.5. Схема исследований прямой ветви ВАХ. Указания Таблица 2.1.2.
Указания СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА 2.1.3.1. Тема и цель занятия. 2.1.3.2. Условное графическое обозначение стабилитрона. 2.1.3.3. Схемы исследования стабилитронов. 2.1.3.4. ВАХ стабилитрона, полученная с использованием осциллографа. 2.1.3.5. Таблицы с опытными данными. 2.1.3.6. ВАХ стабилитрона. 2.1.3.7. Расчет балансного и дифференциального сопротивлений. 2.1.3.8. Выводы по работе. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 2.1.4.1. Объясните физический смысл лавинного пробоя p-n перехода. 2.1.4.2. Перечислите основные электрические и предельно допустимые эксплуатационные параметры стабилитрона и объясните их содержание. 2.1.4.3. Используя построенную ВАХ стабилитрона, найдите напряжение на стабилитронах при встречно - последовательном (Iст = 5мА) и встречно-параллельном включении (Iст = 10 мА). Дайте схемы этих включений. 2.1.4.4. Изобразите схему замещения стабистора, найдите параметры этой схемы, используя полученную ВАХ стабилитрона. 2.1.4.5. Какие возможности дает последовательное соединение стабилитронов, и какие условия нужно соблюдать при этом? 2.1.4.6. Допустимо ли параллельное соединение стабилитронов? Если да, то, какие это даст преимущества, если нет, то почему? ЛИТЕРАТУРА. [1] – c. 40 – 41, [2] – с. 40…43, [3] – с. 30…32, 41…42, [6] – 33…36. Указания
Рис. 2.2.4. Схема исследований параметрического стабилизатора напряжения. Таблица 2.2.1.
Рис. 2.2.5. Зависимости выходного напряжения и тока стабилитрона от величины входного напряжения стабилизатора при его работе в режиме холостого хода. 2.2.2.2. Исследовать влияние тока нагрузки IН на величину тока стабилитрона IСТ.
Указания
Рис. 2.2.6.. Схема исследований влияния тока нагрузки на величину тока стабилитрона.
Таблица 2.2.2.
· Постройте на графике (рис. 2.2.7.) кривую зависимости тока IСТ от тока нагрузки IН.
Рис. 2.2.7. Зависимость тока стабилитрона от величины тока нагрузки.
2.2.2.3. Воспользовавшись выражением (2.2.2.) рассчитать по полученным экспериментальным данным (см. п. 2.2.2.1) коэффициент стабилизации напряжения параметрического стабилизатора при его работе в режиме холостого хода (RН – отсутствует). 2.2.2.4. Воспользовавшись выражениями (2.2.3) и определенными в работе 2.1 («Исследование полупроводникового стабилитрона») значениями RБ и rДИФ рассчитать коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора. Полученное значение сравнить со значением полученным экспериментальным путём (см. п. 2.2.2.3).
СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА 2.2.3.1. Тема и цель занятия. 2.2.3.2. Схемы исследований работы параметрического стабилизатора. 2.2.3.3. Таблицы с опытными данными. 2.2.3.3. Расчет по экспериментальным данным значения коэффициента стабилизации напряжения параметрического стабилизатора. 2.2.3.4. Расчет коэффициента стабилизации параметрического стабилизатора по известным RБ и rДИФ. 2.2.3.5. Выводы по работе.
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 2.2.4.1. Объясните работу простейшего параметрического стабилизатора напряжения при изменении напряжения питания и изменении сопротивления нагрузки. 2.2.4.2. При каких условиях выходное напряжение параметрического стабилизатора остается постоянным? 2.2.4.3. Когда возникает токстабилизации IСТ ? 2.2.4.4.При каких условиях эффект стабилизации сохраняется даже под нагрузкой? 2.2.4.5. Каким образом можно увеличить напряжение на выходе параметрического стабилизатора при ограниченных величинах напряжений стабилизации отдельных стабилитронов? 2.2.4.6. Каким образом можно увеличь величину коэффициента стабилизации параметрического стабилизатора?
ЛИТЕРАТУРА. [1] – c. 144…146, [3] – c. 306…308, [4] – с. 274…277, [6] с. 335…340. - Указания
развёртки осциллографа в середине экрана. Установите скорость развёртки 5мс/дел, а масштаб развёртки по оси Y - 5 В/дел. Ручками синхронизации добейтесь устойчивого изображения на экране осциллографа.
Рис. 2.3.3. Осциллограммы напряжений UВХ -, UCТ ----, URб.-..
СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА 2.3.3.1. Тема и цель занятия. 2.3.3.2. Схема исследований параметрического стабилизатора. 2.3.3.3. Осциллограммы напряжений. 2.3.3.4. Выводы по работе. 2.3.4. Контрольные вопросы 2.3.4.1. Каким участкам осциллограмм соответствует прямое и обратное включение стабилитрона. 2.3.4.2. Как называются стабилитроны работающие независимо от полярности приложенного напряжения?
ЛИТЕРАТУРА. [1] – c. 144…146, [3] – c. 306…308, [4] – с. 274…277, [6] с. 335…340. Лабораторная работа №3 3.1. ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Цель работы: изучить принцип действия биполярного транзистора, снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-n типа, по которым определить основные электрические параметры.
3.1.1. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Биполярный транзистор это прибор с трехслойной полупроводниковой структурой с чередующейся электропроводностью слоев и двумя p-n переходами, обладающий свойствами управляемого нелинейного резистора.
Транзистор (рис. 3.1.1.) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р - проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями ( n-p-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя р - проводящими слоями ( p-n-p транзистор). p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, как в случае любого выпрямительного диода.
Рис. 3.1.1. Устройство и условные обозначения транзисторов p-n-p и n-p-n структур.
Характеристики транзистора Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик. Входная характеристика показывает зависимость тока базы IБ от напряжения в цепи база-эмиттер UБЭ (при UКЭ = const). Выходная характеристика показывает зависимость тока коллектора IК от напряжения цепи коллектор - эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы. Характеристика управления представляет собой зависимость тока коллектора IК от тока базы IБ (при UКЭ = const). Характеристика обратной связи есть зависимость напряжения цепи база - эмиттер UБЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор - эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.
Указания
Таблица 3.1.1. Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-05-03; Просмотров: 565; Нарушение авторского права страницы