Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Режим рекуперативного (генераторного) торможения ⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 4
Возможен, если под действием внешнего момента частота вра- щения якоря превысит частоту идеального холостого хода. Момент, развиваемый двигателем, направлен противоположно частоте враще- ния, т. е. является тормозным, а ток становится отрицательным (энер- гия внешнего привода за вычетом потерь отдаётся в сеть). Характери- стики являются продолжением двигательного режима во втором квад- ранте при прямом направлении вращения, и в четвёртом – при обрат- ном. Торможение противовключением Достигается в том случае, если: 1 - под действием внешнего момента направление вращения якоря изменится на противоположное; 2 – в результате изменения полярности тока якоря по отношению к магнитному потоку при вращающемся якоре разви- ваемый машиной момент становится противоположным по знаку на- правлению вращения. Ток при торможении противовключением очень велик и превышает пусковой, поэтому данный режим допустим только при дополнительном сопротивлении в цепи якоря. Динамическое торможение Осуществляется путём отключения обмотки якоря от питающей сети и быстром замыкании её на тормозное сопротивление при неиз- менном потоке возбуждения. Ток в цепи якоря течёт под действием э.д.с. вращения:
Способы соединения цепей якоря и обмотки возбуждения электрических МПТ
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
Vϒ (гамма) - напряжение порога проводимости При прямом включении напряжение на диоде должно достигнуть определенного порогового значения - Vϒ . Это напряжение, при котором PN-переход в полупроводнике открывается достаточно, чтобы диод начал хорошо проводить ток. До того как напряжение между анодом и катодом достигнет этого значения, диод является очень плохим проводником. Vϒ у кремниевых приборов примерно 0.7V, у германиевых – около 0.3V. ID_MAX - максимальный ток через диод при прямом включении При прямом включении полупроводниковый диод способен выдержать ограниченную силу токаID_MAX. Когда ток через прибор превышает этот предел, диод перегревается. В результате разрушается кристаллическая структура полупроводника, и прибор становится непригодным. Величина данной силы тока сильно колеблется в зависимости от разных типов диодов и их производителей. IOP – обратный ток утечки При обратном включении диод не является абсолютным изолятором и имеет конечное сопротивление, хоть и очень высокое. Это служит причиной образования тока утечки или обратного тока IOP. Ток утечки у германиевых приборов достигает до 200 µА, у кремниевых до нескольких десятков nА. Самые последние высококачественные кремниевые диоды с предельно низким обратным током имеют этот показатель около 0.5 nA. PIV(Peak Inverse Voltage) - Напряжение пробоя При обратном включении диод способен выдерживать ограниченное напряжение – напряжение пробоя PIV. Если внешняя разность потенциалов превышает это значение, диод резко понижает свое сопротивление и превращается в проводник. Такой эффект нежелательный, так как диод должен быть хорошим проводником только при прямом включении. Величина напряжения пробоя колеблется в зависимости от разных типов диодов и их производителей. Устройство, принцип действия, схемы включения биополярного транзистора
Устройство Биполярный транзистор состоит из трёх различным образом легированных полупроводниковых слоёв: эмиттера E, базы B и коллектора C. В зависимости от типа проводимости этих зон различают NPN (эмиттер − n-полупроводник, база − p-полупроводник, коллектор − n-полупроводник) и PNP транзисторы. К каждой из зон подведены проводящие невыпрямляющие контакты. База расположена между эмиттером и коллектором и слаболегирована, поэтому имеет большое омическое сопротивление
Каждый из p–n-переходов транзистора может быть смещён либо в прямом, либо в обратном направлениях. В зависимости от этого различают четыре режима работы транзистора: 1) активный (усиления). Эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный – в обратном; 2) отсечки. Оба перехода смещены в обратном направлении; 3) насыщения. Оба перехода смещены в прямом направлении; 4) инверсный. Эмиттерный переход смещён в обратном направлении, а коллекторный -– в прямом. Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-05-30; Просмотров: 550; Нарушение авторского права страницы