Статические характеристики биполярного транзистора

В электронике наибольшее распространение получили каскады, выполненные на транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Потому в настоящем разделе рассматриваются методы построения выходных и входных статических вольт-амперных характеристик транзистора (в дальнейшем просто статических характеристик) именно для такой схемы включения.

Семейством входных статических характеристик называется зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении коллектор-эмиттер :

(2.1)

Семейством выходных статических характеристик называется зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при фиксированном токе базы :

(2.2)

Таким образом, для получения зависимостей (2.1) и (2.2) необходимо иметь возможность управлять током базы и напряжением коллектор–эмиттер и измерять ток коллектора, ток базы, напряжение коллектор–эмиттер и напряжение база-эмиттер. В среде MC8 эти возможности обеспечивает схема на рис. 2.1, которая фактически моделирует физический стенд для измерения статических характеристик транзистора.

Рис. 2.1. Схема для расчета статических-вольтамперных
характеристик биполярного транзистора

Схема состоит из источника постоянного тока базы , источника постоянного коллекторного напряжения VС и исследуемого транзистора Q₁. Во всех примерах этого раздела в качестве исследуемого транзистора будем использовать высокочастотный маломощный
n-p-n-транзистор типа 2N2369. Следует отметить, что при исследовании транзистора p-n-p-структуры полярность подключения источника тока и источника напряжения VС меняется на противоположную.

Расчет семейства выходных статических характеристик

Для расчета статических характеристик транзистора используется режим моделирования схем по постоянному току программы MC8. Этот режим вызывается после построения схемы (рис. 2.1) командой меню Aнализ ® Передаточные характ. по постоянному току. Если схема не содержит ошибок, то после выполнения этой команды появляется окно установки параметров моделирования схемы по постоянному току Передаточные характеристики по постоянному току (рис. 2.2). Следует отметить, что значения тока источника и напряжения источника VС задаются непосредственно в процессе моделирования, поэтому при создании схемы они могут иметь произвольные значения.

Рассмотрим опции окна моделирования Передаточные характеристики по постоянному току:

Рис. 2.2. Вид окна установки параметров при расчете выходных статических
характеристик биполярного транзистора

Команды

Запуск – начало моделирования. Расчет режима и вывод результатов.

Добавить – добавление еще одной строки спецификации вывода результатов после строки, отмеченной курсором. В этой строке устанавливаются способ отображения результатов и аналитические выражения для построения графиков.

Удалить – удаление строки спецификации вывода результатов, отмеченной курсором.

Больше – открытие дополнительного окна для ввода текста большого размера при расположении курсора в одной из граф, содержащих выражения, например X Expression.

Stepping – открытие диалогового окна задания вариации параметров. Позволяет задать диапазон и шаг изменения параметра одного из компонентов схемы. Например, в нашем случае это изменение тока базы (рис. 2.3), что позволяет получить семейство выходных статических характеристик транзистора.

Свойства – открытие дополнительного окна для оформления графика (толщина, цвет, характер линии и т.д. )

Параметры моделирования:

Можно менять параметры двух источников постоянного тока или напряжения. Записи для второго источника могут отсутствовать.

Имя – имя источника постоянного тока или напряжения. В нашем случае это источник коллекторного напряжения VС.

Диапазон – пределы изменения варьируемого источника тока или напряжения в формате:

Конечное_значение[, Начальное_значение[, Максимальный_шаг]].

Количество точек – количество точек рассчитываемых зависимостей, которые выводятся в табличной форме.

Температура – диапазон изменения температуры в формате

Максимум[, Минимум[, Шаг]].

Температура указывается в градусах Цельсия. При моделировании учитывается зависимость параметров элементов от температуры.

Макс. приращение, % – максимально допустимое приращение графика первой функции на интервале шага первого источника. Влияет на шаг, с которым рассчитываются зависимости.

⇐ Предыдущая1234567Следующая ⇒

Поделиться:

Популярное:

1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах
2. Лабораторная работа № 9. Полустатические структуры данных: очереди
3. Назначение областей транзистора
4. Определение статического коэффициента передачи тока транзистора
5. Параметры, характеризующие свойства транзистора усиливать напряжение.
6. Пропорциональные (статические) регуляторы.
7. Рассмотрим электронный ключ на основе биполярного транзистора
8. Статические вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов.
9. Статические методы объекта Date()
10. Статические ОЗУ с произвольным доступом
11. СТАТИЧЕСКИЕ УПРАЖНЕНИЯ ДЛЯ ЯЗЫКА