Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Общие сведения о системе МС8



Методические указания

 

Редактор И.Л. Кескевич

Выпускающий редактор И.П. Брованова

Компьютерная верстка Л.А. Веселовская

___________________________________________________________________________________

Подписано в печать 25.08.2009. Формат 60 × 84 1/16. Бумага офсетная. Тираж 100 экз.

Уч.-изд. л. 3, 02. Печ. л. 3, 25. Изд. № 132. Заказ № Цена договорная

___________________________________________________________________________________

Отпечатано в типографии

Новосибирского государственного технического университета

630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20

 

© Hовосибиpский государственный
технический университет, 2009

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1

ИУЧЕНИЕ МЕТОДОВ ВВОДА ИНФОРМАЦИИ
О СХЕМЕ

Работа в среде МС8

Общие сведения о системе МС8

Программная система MICRO-CAP VIII (MC8) обладает большими возможностями, широко применяется профессионалами и рекомендована для изучения студентами. Данный практикум предусматривает изучение только основных возможностей аналогового схемотехнического проектирования. Более подробные сведения можно получить в книге В.Д. Разевига «Система схемотехнического моделирования MICRO-CAP VII», Москва, 2007 г.

МС8 обладает следующими основными возможностями.

1. Графический ввод схем.

2. Наличие в библиотеках практически исчерпывающего набора моделей компонентов и возможность пополнения библиотек.

3. Анализ аналоговых, аналого-цифровых и цифровых схем в основных режимах.

4. Получение результатов анализа в виде графиков и таблиц на экране.

5. Распечатка анализируемых схем, графиков и таблиц.

Подготовительные операции

После вызова МС8 на экран выводится окно редактора схем. В верхней части рабочего окна редактора расположено основное меню редактора – меню команд. С наиболее важными командами этого меню вы познакомитесь в процессе выполнения лабораторных работ. Под основным меню находится панель инструментов, состоящая из двух строк. В этих строках расположены квадратные кнопки с различными изображениями (пиктограммами). Часть кнопок типичны для всех программ, работающих под Windows. Дополнительно к ним рекомендуется ознакомиться с кнопками для нумерации узлов схемы , для текстовых надписей на схемах , для подписей компонентов схемы . Основное поле экрана предназначено для создания на нем графического изображения схемы с сопутствующими надписями и изображениями. Для набора схемы необходимо на панели инструментов подключить клавишу .

Редактирование введенной схемы

Для редактирования атрибутов надо щелкнуть по кнопке . Рядом с курсором появляется буква I. Курсором необходимо щелкнуть по редактируемому компоненту. В результате открывается диалоговое окно атрибутов, содержимое которого поддается редактированию.

МС8 позволяет редактировать схемы с применением общих для приложений Windows приемов:

1) буксировка компонентов схемы;

2) выделение фрагмента схемы;

3) перемещение выделенного фрагмента схемы;

4) уничтожение выделенного фрагмента схемы;

5) запись (копировать) в буфер обмена Windows и извлечение (вставить) из буфера.

Задание

В системе схемотехнического проектирования MICRO-CAP8 (MC8) ознакомится с процедурой ввода графического изображения основных компонентов аналоговых электронных схем, с присвоением им определенных параметров (атрибутов) и с созданием чертежей принципиальных схем. Набор компонентов, подлежащих вводу, для каждого варианта приведён в табл. 1.1, а их атрибуты – в табл. 1.2.

Принципиальные схемы пассивного фильтра и усилительного каскада, чертежи которых вам надо создать в среде МС8, показаны на рис. 1.1 и 1.2, а номиналы их элементов сведены в табл. 1.3 и 1.4.

Варианты заданий

ЧАСТЬ 1. ПОИСК И ПОЗИЦИОНИРОВАНИЕ КОМПОНЕНТОВ

Принятые сокращения

R резистор
C конденсатор
L индуктивность
D диод
DC стабилитрон
N биполярный транзистор n-p-n структуры
P биполярный транзистор p-n-p структуры
М-n полевой транзистор с изолированным затвором и каналом n-типа
М-p полевой транзистор с изолированным затвором и каналом p-типа
ПТ-n полевой транзистор c управляющим p-n-переходом и каналом n-типа
ПТ-p полевой транзистор c управляющим p-n-переходом и каналом p- типа
ОУ операционный усилитель
ИПН источник постоянного напряжения
ИПТ источник постоянного тока
ИИН источник импульсного напряжения
ИСН источник синусоидального напряжения
ИТУН линейный источник тока, управляемый напряжением
ИТУТ линейный источник тока, управляемый током
ИНУН линейный источник напряжения, управляемый напряжением
ИНУТ линейный источник напряжения, управляемый током
стрелка
контакт
«земля»
V батарея

 

Таблица 1.1

Атрибуты компонентов

Атрибуты компоненты Номер варианта
Обозначение в табл. 1.1 С L D DC N ПТ-n ОУ
Обозначение в окне схем Сe Lc VD1 VD1 VT1 VT1 A1

Продолжение табл. 1.2а

Атрибуты компоненты Номер варианта
Номинал или тип модели 0, 47 мкФ 1, 1 мГн 12CC12 1N3911 2N2221 2N3070 LF147
Обозначение в табл. 1.1 ОУ ПТ-n R L ИСН L
Обозначение в окне схем Ток базы X2 VT1 Rb Rc L1 VC Lh
Номинал или тип модели _ LF353 2N3458 5 МОм 3, 3 кОм 1, 1 мкГн 1 кГц 2, 2 мB 1, 6 ГН
Обозначение в табл. 1.1 ИПН R   M-n D R ИПН
Обозначение в окне схем VC Rf R1 VT1 VD1 R3 R4 VC
Номинал или тип модели +12 В 30 Ом 2, 2 кОм _ 2N6568 1N3028A 300 Oм 9, 1М Ом –24 B
Обозначение в табл. 1.1 M-n ИНУТ N ИСН ПТ-n P DC
Обозначение в окне схем VT1 VI1 VT2 VS VT2 VT2 VD1
Номинал или тип модели 2N6759 80Ом 2N2368 10 МГц 20 В 2N3823 2N1132 1N3017A
Обозначение в табл. 1.1 R D ИПТ C ИСН ОУ
Обозначение в окне схем Rb1 Rb2 VD1 ICб Сf VC A2 Вх ●
Номинал или тип модели 180 кОм 16 МОм 1N3040A 20 мкА 0, 68 мкФ 20 кГц 2, 5 В LM143 _  
Обозначение в табл. 1.1 ИСН С R V ИПТ М-n
Обозначение в окне схем Vsin Cr Rc Re V1 Ic VT1
Номинал или тип модели 50 Гц 311В 0, 33 мкФ 1, 1 кОм 910 Ом _ 42 В 45 мА 2Р313А
                 

Окончание табл. 1.2а

Атрибуты компоненты Номер варианта
Обозначение в табл. 1.1 N Р ИСН ИПН L ИИН
Обозначение в окне схем VT2 VT1 V1 VC вход Lc VИМ
Номинал или тип модели 2N2481 2N2904 15 МГц 4, 5 В +24 _ 13 мкГн 40 мкс* 3 В
Обозначение в табл. 1.1 L ИПТ L ОУ ИПТ V R
Обозначение в окне схем L Ie L1 X2 Rc Rg
Номинал или тип модели 4, 7 мГн 23, 4 мА 0, 002 Гн LM201A 20, 5 мА +36 В 0, 5 кОм 3, 3 МОм
Обозначение в табл. 1.1 ИНУН ИПН C ПТ-р С DC C
Обозначение в окне схем E1 VC Сe VT2 C2 VD1 Cbl
Номинал или тип модели –36В 33мкФ 12N2608 47пФ 1N3493 680нФ
Обозначение в табл. 1.1 ПТ-p ПТ-n M-n L ИТУТ ИНУН ИПТ
Обозначение в окне схем VT2 VT2 VT3 L F2 E2 Igst
Номинал или тип модели 2N3332 2N3955 2N6764 33 мкГн 80 мкА
Обозначение в табл. 1.1 ИПТ ИИН ИНУТ ИНУН R C N
Обозначение в окне схем Ie VИМ VI VV R1 R2 Cf VT2
Номинал или тип модели 420 мА 0, 5 мс* 4, 5 В 77 Ом 1, 1 МОм 1, 3 кОм 0, 68 мкФ 2N3054
                 

* импульс прямоугольной формы, период Т = 5tи

Таблица 1.2б

Атрибуты компонентов

Атрибуты компоненты Номер варианта
Обозначение в табл. 1.1 R1 R1 ИТУН P N4 M-n3 ИТУТ
Обозначение в окне схем R12 R13 Выход ● Rc Rj G1 VT1 VT1 VT1 F1
Номинал или тип модели 68 Ом 9, 1 кОм 1, 1 МОм 13 кОм 15 мА/В 2N2906 2N3393 2P706A
Обозначение в табл. 1.1 ИПН M-n ИПН ОУ5 R1 ИПТ ИИН ИПТ
Обозначение в окне схем VT1 ОУ Rз Rc Iп V5 I4
Номинал или тип модели –9 2P912A +24 LM224 1, 3 МОм 100 мА 5, 3 мкс* 254 м0 1000 мА
Обозначение в табл. 1.1 C R1 N3 R1 ИПН R1 L
Обозначение в окне схем Ск R8 R6 VT1 Rк Rэ Ек Rb Ra L5
Номинал или тип модели 10 пФ 1 МОм 240 кОм 2N3439 910 Ом 2, 4 кОм 24 В 68 кОм 7, 5 МОм 12 мкГн
Обозначение в табл. 1.1 N2 ИПТ V ИСН ПТ-n ИПТ P4
Обозначение в окне схем VT1 Ib Еп V5 2, 5 мА VT2 Ic VT1
Номинал или тип модели 2N3499 40мкА 18В 60HZ 2N4222 30 мА 2N3468
Обозначение в табл. 1.1 ОУ4 ПТ-p C ИНУТ L ОУ5 ИСН
Обозначение в окне схем A3 VT2 Сr VI2 Ldr X4 Vin
Номинал или тип модели LM2922 2N5462 680 нФ 240 Ом 1, 3 мГн Op_41A 10 МГц 20 мВ
Обозначение в табл. 1.1 V ИПН ИИН M-n4 L ИТУТ ПТ-p M-n4
Обозначение в окне схем Ee Ec VИМ VT1 F2 VT2 VT2
Номинал или тип модели 6 В 16 B 0, 3 мкс* 54 мВ TRF822 36 мкГн J240 2P310A
Обозначение в табл. 1.1 ИНУТ P3 ИТУТ P4 M-n P5 L ИНУТ
Обозначение в окне схем VI2 VT2 F1 VT2 VT2 VT3 Ldr VI2

Окончание табл. 1.2б

Атрибуты компоненты Номер варианта
Номинал или тип модели 2, 2 кОм 2N3634 2N3740 2SK313 2N2906 1, 3 мГн 20 кОм
Обозначение в табл. 1.1 ПТ-p ИНУТ L V ИСН V ИПН
Обозначение в окне схем VT2 VI2 Затвор ● Еc V2 Еs Еа
Номинал или тип модели KP101C 200 Ом 3, 3 мкГн 27 В 60HZ 12 В 100 В
Обозначение в табл. 1.1 ИСН ИСН ИПТ ОУ3 C N3
Обозначение в окне схем Vs V4 Ic А2 Сr VT3
Номинал или тип модели 1MHZ 100 кГц 200 мВ 2 мА UA747C 1, 1 мкФ 2N3500  
Обозначение в табл. 1.1 L C M-p L ПТ-p V R1 ОУ4
Обозначение в окне схем Lc Сc VT3 Lm VT3 Vd R4 Rк X4
Номинал или тип модели 1 мкФ 12 пФ 2N6804 2, 2 мГн PN4342 –24 B 1 МОм 2, 2 МОм OP_41A
Обозначение в табл. 1.1 M-n L D2 ПТ-n C ИПН R1
Обозначение в окне схем VT3 Lv VD1 VT3 Сf База Еf Rg R5
Номинал или тип модели IRFZ44 0, 68 мГн 1N4107 2N4222 2, 2 мкФ 80 В 1, 6 МОм 2 кОм

* импульс прямоугольной формы, период Т = 5tи

ЧАСТЬ 3. СОЗДАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ СХЕМ

                       
   
     
 
 
 
 
   
   
 
   
   
 

 

 

                       
 
   
 
   
 
 
   
     
 
 
   

 

 


Рис. 1.1. Схемы пассивных фильтров

Таблица 1.3

Номиналы элементов пассивных фильтров, изображенных на рис. 1.1

Номер варианта Номиналы элементов
R1, Ом R2, Ом R3, Ом C1, нФ C2, нФ C3, нФ L, мкГн
  1, 5 1, 5    
  1, 5      
     
  1, 5      
     
     
  1, 5 1, 5    
 
             
  1, 5    
  1, 5 1, 5    
1, 5 1, 5 1, 5  
1, 5 1, 5 1, 5  
106        
     

 

 

 

 


Рис. 1.2. Схема резисторного каскада
на биполярном транзисторе

Таблица 1.4а

Номиналы элементов схемы, изображенной на рис. 1.2

Номер варианта Номиналы элементов
RК, кОм 0, 150 0, 33 1, 5 0, 24 0, 51
RЭ, кОм 0, 68 1, 2 0, 750 0, 680
RБ1, кОм 4, 6 5, 1 6, 2
RБ2, кОм 2, 2 1, 4 8, 2 6, 8 1, 3
RФ, кОм
RН, кОм 0, 7 ¥ 0, 1
RГ, кОм 0, 3 0, 22 1, 5 0, 3 0.039
СР1, мкФ 0, 01 0, 1 0, 68 0, 51 0, 47 0, 22
СР2, мкФ 0, 01 0, 1 0, 68 0, 51 0, 47 0, 22
СЭ, мкФ
СФ, нФ
СН, пФ
ЕГ, мВ Источник синусоидального напряжения, модель 1MHZ
ЕП, В
VT BC548B 2N5088 MJE341 2N5209 2N5550 2N5088 BD157

 

 

Таблица 1.4б

Номиналы элементов схемы, изображенной на рис. 1.2

Номер варианта Номиналы элементов
RК, кОм 0, 1 0, 047 0, 053 0, 390 0, 13 0, 024 0, 24 1, 3
RЭ, кОм 0, 51 0, 510 0, 33 0, 91 0, 36 0, 91 0, 024 1, 8
RБ1, кОм 1, 5 8, 2
RБ2, кОм 1, 1 0, 760 1, 1 6, 8
RФ, кОм 0, 330 0, 43 0, 047
RН, кОм 0, 8 0, 5 0, 2 1, 1
RГ, кОм 0, 062 0, 160 0, 12 0, 12 0, 20 1, 1
СР1, мкФ 0, 68 0, 51 0, 1 0, 22 0, 1 0, 47 0, 11 0, 68
СР2, мкФ 0, 68 0, 51 0, 22 0, 68 0, 47 0, 11 0, 68
СЭ, мкФ
СФ, нФ
СН, пФ
ЕГ, мВ Источник синусоидального напряжения, модель 1MHZ
ЕП, В –36 –42
VT MJD47 2N5209 2N3905 2N3905 2N5088 MJE181 2N3905 2N5209
                   

 

 

Порядок выполнения работы

1. Войдите в среду МС8 и получите на экране окно редактора схем со строками главного меню и инструментов.

2. Введите окно Новый (команда Файл/Новый ) и установите режим Схема.

3. Выведите на экран в окне схем изображение тех компонент, которые указаны в Вашем варианте (табл. 1.1).

 


4. Сохраните выведенные изображения как файл COMP.CIR

5. Установите атрибуты всех компонентов, сохраненных в файле COMP.CIR согласно табл. 1.2а или 1.2б.

6. Сохраните полученный файл под именем ATTRIB.CIR.

7. Создайте чертеж схемы пассивного фильтра, приведенного на рис. 1.1, в таком виде, чтобы его можно было анализировать в частотной области (режим АС). Для этого к его входу должен быть подключен генератор синусоидального сигнала (модель 1MHZ). Номиналы элементов взять из табл. 1.3.

 
 

 


8. Сохраните введенную схему как файл FILTR.CIR.

9. Создайте чертеж резисторного каскада на биполярном транзисторе, схема которого приведена на рис.1.2. Номиналы элементов и тип усилительного элемента взять из табл. 1.4а или 1.4б.

10. Сохраните созданный чертеж в файле с именем CASCAD.CIR.

Форма отчетности

Лабораторная работа должна содержать:

· титульный лист;

· задание;

· распечатку выведенных на экран схемных обозначений и атрибутов тех компонентов, которые оговорены в вашем задании;

· распечатки чертежей созданных схем;

На титульном листе указываются данные студента (фамилия, имя, отчество), номер группы, номер варианта название дисциплины. Образец оформления титульного листа приведён на рис. 1.3.

Отчет по лабораторной работе оформляется на компьютере в текстовом процессоре Word.

Шрифт – Times New Roman, размер шрифта – 14 пунктов, междустрочный интервал – полуторный.

Абзацы выравниваются по ширине. «Красная строка» – 1, 25 см.

Размер полей: нижнее – 2 см, верхнее – 2 см, левое – 2 см, правое – 1 см.

Страницы в документе должны быть пронумерованы.

1.6. Контрольные вопросы

1. Для чего предназначена система МС8?

2. Каковы основные возможности системы МС8?

3. Как открыть новый файл, загрузить старый?

4. Как сохранить файл? Как присвоить ему новое имя?

5. Какие способы ввода схемных компонентов вам известны? Покажите, как это делается на практике.

6. Как присвоить конкретные значения параметрам (атрибутам) компонентов?

7. Какие основные группы компонентов представлены в библиотеках? Чего, на ваш взгляд, не хватает?

8. Как изменить (отредактировать) схему и атрибуты отдельных компонентов?

9. Как объединить отдельные схемы или их фрагменты в новую общую схему? Как вывести на экран и исключить номера узлов, позиционные обозначения и имена компонентов, сопроводительные тексты.

10. В чем, на Ваш взгляд, достоинства и недостатки МС8 применительно к операциям по вводу анализируемых схем?

 

 

       
 
 
   

 


Рис. 1.3. Образец титульного листа

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ

Методические указания

Команды

Запуск – начало моделирования. Расчет режима и вывод результатов.

Добавить – добавление еще одной строки спецификации вывода результатов после строки, отмеченной курсором. В этой строке устанавливаются способ отображения результатов и аналитические выражения для построения графиков.

Удалить – удаление строки спецификации вывода результатов, отмеченной курсором.

Больше – открытие дополнительного окна для ввода текста большого размера при расположении курсора в одной из граф, содержащих выражения, например X Expression.

Stepping – открытие диалогового окна задания вариации параметров. Позволяет задать диапазон и шаг изменения параметра одного из компонентов схемы. Например, в нашем случае это изменение тока базы (рис. 2.3), что позволяет получить семейство выходных статических характеристик транзистора.

Свойства – открытие дополнительного окна для оформления графика (толщина, цвет, характер линии и т.д. )

Параметры моделирования:

Можно менять параметры двух источников постоянного тока или напряжения. Записи для второго источника могут отсутствовать.

Имя – имя источника постоянного тока или напряжения. В нашем случае это источник коллекторного напряжения VС.

Диапазон – пределы изменения варьируемого источника тока или напряжения в формате:

Конечное_значение[, Начальное_значение[, Максимальный_шаг]].

Количество точек – количество точек рассчитываемых зависимостей, которые выводятся в табличной форме.

Температура – диапазон изменения температуры в формате

Максимум[, Минимум[, Шаг]].

Температура указывается в градусах Цельсия. При моделировании учитывается зависимость параметров элементов от температуры.

Макс. приращение, % – максимально допустимое приращение графика первой функции на интервале шага первого источника. Влияет на шаг, с которым рассчитываются зависимости.

Порядок выполнения работы

Исследуйте усилительный каскад из лабораторной работы № 1 (рис. 1.2) в статическом режиме, а именно:

1) определите потенциалы всех узлов и токи, протекающие через элементы схемы;

2) проверьте правильность законов Кирхгофа для всех узлов и замкнутых контуров схемы;

3) рассчитайте мощность, потребляемую от источника питания.

4) определите резистор, на котором рассеивается наибольшая мощность, и привести ее значение;

5) определите координаты рабочей точки (точки покоя) транзистора: IК, UКЭ, IБ, UБЭ;

6) постройте семейство выходных и входных статических характеристик транзистора;

7) на семействе выходных статических характеристик постройте нагрузочные прямые по постоянному и переменному току;

8) оформите полученные характеристики так, как это показано на рис. 2.8 и 2.9.

Форма отчетности

Лабораторная работа должна содержать:

· титульный лист;

· задание;

· результаты по всем пунктам задания;

Требования к оформлению и защите лабораторных работ по данной дисциплине приведены в лабораторной работе № 1.

2.4. Контрольные вопросы

1. Что такое статический режим работы схемы?

2. Для чего нужен анализ схем в статическом режиме?

3. Какими уравнениями описывается поведение схемы в режиме DС? Какие методы решения таких уравнений вы знаете?

4. Какие характеристики схемы могут быть получены в режиме DC?

5. Возможен ли DC анализ для нелинейных схем?

6. Как следует подготовить схему для анализа в режиме DC?

7. Как учитываются свойства емкостей и индуктивностей схемы при DC анализе?

8. Для чего используется режим Probe?

9. Как выделить фрагмент графика для рассмотрения в увеличенном масштабе?

10. Каков смысл опции Stepping? Для чего его можно использовать?

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3

АНАЛИЗ ЧАСТОТНЫХ И ПЕРЕХОДНЫХ
ХАРАКТЕРИСТИК ПАССИВНЫХ
И АКТИВНЫХ СХЕМ

Задание

Исследовать частотно-избирательный фильтр (см. рис. 1.1) и усилительный каскад (см. рис. 1.2) в частотной и временной областях, т. е. в установившемся и переходном режимах, а именно:

1) рассчитать ФЧХ и нормированную АЧХ для пассивного фильтра (см. рис. 1.1) в диапазоне частот, рекомендуемом в табл. 3.1;

2) для фильтра верхних или нижних частот определить частоту среза, для полосового или заграждающего фильтра найти соответственно полосу пропускания или полосу задержания на уровне –3 дБ и центральную частоту;

3) рассчитать АЧХ и ФЧХ усилительного каскада;

4) определить коэффициент усиления каскада, соответствующий плоской части АЧХ (К0);

5) рассчитать нормированную АЧХ (К(f)/K0);

6) определить частоты среза в области нижних и верхних частот;

7) изменить номиналы элементов схемы таким образом, чтобы частота среза в области нижних частот уменьшилась примерно в два раза, а в области верхних частот во столько же раз возросла;

8) изучить реакцию каскада на прямоугольный импульс различной длительности при работе каскада в линейном режиме;

9) определить время установления и спад плоской вершины импульса;

10) изменить параметры схемы так, чтобы время установления уменьшилось в 1, 5 раза, а спад (при той же длительности импульса) на 10 %.

Порядок выполнения работы

1. Откройте файл FILTR.CIR, созданный в лабораторной работе № 1.

2. В меню Анализ установите режим Частотные характеристики.

3. В открывшемся окне (рис. 3.5) в строке Диапазон частот установите рекомендуемый для вашего фильтра диапазон частот (табл. 3.1) в формате: Максимальная частота [, Минимальная частота].

Рис. 3.5. Вид окна установки параметров при его первом вызове

4. Таблица в нижней части окна заполняется автоматически: в поле X Expression для обоих графиков устанавливается частота F; в поле
Y Expression для первого графика – напряжение на первом узле в децибелах, а для второго – фаза этого напряжения в градусах. В окнах
X Range, Y Range вместо числовых значений стоит слово Auto. Это означает, что диапазон изменений значений по оси X и Y при построении графиков выбирается автоматически.

 

 


5. Если номер выходного узла отличается от 1, то необходимо в поле Y Expression сделать соответствующую замену.

Таблица 3.1

Область малых времен

Область малых времен связана с поведением схемы в области верхних частот (3.1). Анализ частотных свойств исследуемого каскада позволил получить значение верхней частоты среза, равное 3, 3 МГц.
Из (3.1) следует, что

Значит, длительность входных импульсов должна быть больше 0, 106 мкс, чтобы за время действия импульса напряжение на выходе успело нарасти до установившегося значения. Возьмем длительность импульса 0, 5 мкс, период следования 1 мкс. Установим в строке Диапазон времени 0, 5 мкс и в окне X Range максимальное значение также 0, 5 мкс. Получим временные диаграммы (рис. 3.9), по которым достаточно точно можно определить время установления.

Рис. 3.9. Временные диаграммы входного и выходного напряжения каскада при оценке переходных искажений в области малых времен

 


Область больших времен

Область больших времен связана с поведение схемы в области нижних частот (3.1). Нижняя частота среза исследуемого каскада равна 200 Гц. Зададимся величиной спада 20 %. Тогда из (3.1) получим

Рис. 3.10. Временные диаграммы входного и выходного напряжения каскада при оценке переходных искажений в области больших времён

Возьмем длительность импульса 200 мкс, период – 1 мс. Установим в строке Диапазон времени 400 мкс и в окне X Range максимальное значение также 400 мкс. Получим временные диаграммы (рис 3.10), по которым достаточно точно можно определить спад плоской вершины импульса Δ.

Форма отчетности

Лабораторная работа должна содержать:

· титульный лист;

· задание;

· распечатки чертежей исследуемых схем;

· распечатки полученных в результате анализа графических зависимостей с комментариями (объяснениями);

· результаты определения всех параметров, требуемых в задании (частот среза, полосы пропускания, времени установления и т. д.);

Требования к оформлению и защите лабораторных работ по данной дисциплине приведены в лабораторной работе № 1.

3.6. Контрольные вопросы

1. Что такое переходной процесс в электрической схеме?

2. Какое воздействие на схему может привести к возникновению переходного процесса?

3. Какими уравнениями можно описать поведение схемы в режиме AC?

4. Зачем необходимо изучение переходного процесса?

5. Какие характеристики могут быть получены в режиме AC?

6. Охарактеризуйте смысл применения опции Stepping и режима температурной зависимости.

7. В чем смысл применения опции Probe? В чем ее ограниченность?

8. Как ввести информацию о температурной зависимости компонентов?

 

 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

Пояснения к работе


Поделиться:



Популярное:

Последнее изменение этой страницы: 2017-03-11; Просмотров: 581; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.175 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь