Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Электростатическая потенциальная энергия
Предположим, что точечный заряд q перемещают в пространстве из точки а в точку b, электрические потенциалы в которых, обусловленные другими зарядами, равны соответственно Va и Vb. Изменение электростатической потенциальной энергии заряда q в поле других зарядов составляет: Δ U = Ub - Ua = q(Vb - Va) = qVba Пусть теперь имеется система нескольких точечных зарядов. Чему равна электростатическая потенциальная энергия системы? Здесь r1 2 - расстояние между зарядами. Потенциальная энергия двух зарядов равна: Она характеризует работу, необходимую для перемещения заряда Q2 из бесконечности (V = 0) на расстояние r1 2 до заряда Qi (или со знаком минус работу, необходимую для разнесения зарядов на бесконечно большое расстояние). Если система состоит из трех зарядов, то ее полная потенциальная энергия будет равна работе по перемещению всех трех зарядов из бесконечности в место их расположения. Работа по сближению зарядов Q2 и Q1 определяется выражением (24.10); В этом случае потенциальная энергия системы трех точечных зарядов будет равна: Для системы четырех зарядов выражение для потенциальной энергии будет содержать шесть таких членов и т.п. (При составлении подобных сумм необходимо следить за тем, чтобы не учитывать одну и ту же пару дважды). Часто нас интересует не полная электростатическая потенциальная энергия, а лишь часть ее. Например, может возникнуть необходимость найти потенциальную энергию одного диполя в присутствии другого диполя. Во взаимодействии участвуют четыре заряда: Q1 и -Q1 первого диполя и Q2 и -Q2 второго диполя.
32. В предыдущей статье было показано, что вследствие поляризации диэлектрика, т. е. смещения его связанных зарядов, изменяется напряженность электрического поля. Результирующее влияние диэлектрика на электрическое поле оценивают векторной величиной, называемой поляризованностью Р (вектором поляризации). Средняя интенсивность поляризации Pср определяется как сумма дипольных моментов в единице объема диэлектрика, а чтобы найти поляризованность в данном месте поля, надо выбрать достаточно малый объем Δ V: Единица измерения поляризованности [P] = [ql/V] = Кл*м/м3 = Кл/м2. Вектор поляризации направлен навстречу вектору напряженности электрического поля связанных зарядов Eп.(рис. 4.12). P = kε 0E (1) и его направление совпадает с направлением внешнего Eвн и результирующего Е полей (риc. 4.12). Коэффициент k называется электрической восприимчивостью диэлектрика и характеризует его способность поляризоваться. При расчетах электрических полей в диэлектриках с различными диэлектрическими проницаемостями пользуются еще вектором электрического смещения. Электрическое смещение D связано с напряженностью электрического ноля простым соотношением D = ε aE = ε rε 0E (2) откуда можно определить единицу намерения электрического смещения: которая такая же, как у вектора, поляризации и у поверхностной плотности зарядов на электродах. Электрическое смещение и поверхностная плотность свободных зарядов численно одинаковы на поверхности всех проводящих тел, находящихся в электростатическом поле. Например, у внутренней поверхности пластины плоского конденсатора (рис. 4.8) напряженность однородного электрического поля, как и в любой точке однородного поля (4.10), E = Q/ε aS а электрическое смещение в любой точке поля, в том числе и у металлической поверхности, D = ε aE = Q/S = σ, (2а) т. е. совпадает с поверхностной плотностью заряда на пластине. Из (2а) следует, что при заданной плотности поверхностных свободных зарядов на электродах электрическое смещение в однородном диэлектрике с диэлектрической проницаемостью ε a не зависит от ε a, а напряженность электрического поля зависит. Поэтому можно сказать, что на напряженность электрического поля определяется и свободными (на электродах) и связанными (в диэлектриках) зарядами, т. е. поляризацией диэлектрика, а электрическое смещение в однородном диэлектрике не зависит от связанных зарядов. Связь между тремя векторными величинами, характеризующими электрическое поле в диэлектрике, выражается равенством D = ε 0E + P. (3) Приняв во внимание (1) и (2), получим D = ε 0E + P = ε 0E + ε 0k = ε rε 0E (4) откуда диэлектрическая проницаемость ε r = 1 + k, а электрическая восприимчивость k = (ε r — 1). Рассмотрим еще неоднородное электрическое поле заряженного металлическою шара (рис. 1), радиус которого Rш. Известно, что электрический заряд Q находится на поверхности такого шара. Поверхностная плотность заряда σ = Q/S = Q/(4π Rш2) Поле металлического шара с зарядом Q совпадает вне шара с полем равного ему по значению точечного заряда Q, расположенного в центре шара (4.8); поэтому напряженность поля на расстоянии R от центра шара и в частности, у его наружной поверхности, т.е. при R = Rш, E = Q/(4π ε aR2) = Q/(4π ε aRш2) а электрическое смещение D = ε aE = Q/(4π Rш2) = σ (4.16) т. е. равно поверхностной плотности заряда. Внутри металлического шара поля нет, как и во всяком проводнике в условиях электростатики, Поэтому потенциалы всех точек шара одинаковые, т. е. шар — э квипотенциальное тело, как и всякое металлическое тело в электростатическом поле. Аналогично потоку вектора напряженности поля (4.7) применяется понятие потока вектора электрического смешения. Поток вектора смещения ND в однородном поле равен произведению численного значения вектора смещения D и площадки S, во всех точках которой вектор смещения имеет одинаковое значение и направлен перпендикулярно к ней, т. е. ND = DS. (6) При неоднородном поле произвольную поверхность площадью S разбивают на элементарные, в пределах каждой на которых смещение одинаково; так что поток вектора dND = Dn dS. где Dn— нормальная составляющая вектора смещения (перпендикулярная к элементарной площадке). Поток вектора смещения через произвольную замкнутую поверхность находится суммированием элементарных потоков: Таким образом, поток вектора электрического смещения через шаровую поверхность равен заряду, расположенному внутри поверхности. Полученное выражение ND = Q справедливо для замкнутой поверхности любой формы, охватывающей заряд как в однородной среде с ε r = const, так и в среде, диэлектрическая проницаемость которой неодинакова в различных участках среды, например в двухслойном конденсаторе. На поверхности шара, ND = D*4π Rш2 откуда определяется электрическое смещение у поверхности шара: что согласуется с (5). D = ND/(4π Rш2 ) = Q/(4π Rш2 ) |
Последнее изменение этой страницы: 2017-03-14; Просмотров: 823; Нарушение авторского права страницы