Оценка инвестиций в 2006 году, млрд. долларов

┌ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┐
│ Название фирмы │ Инвестиции │ Ведущие зарубежные │ Инвестиции │
│            │          │    фирмы   │             │
├ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┼ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┼ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┼ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┤
│ Intel │ 5, 5 │   Micron   │ 1, 45  │
│ Samsung │ 5, 5 │ Infineon  │   1, 4  │
│ Hynix │ 3, 2 │     AMD    │   1, 4  │
│ TSMC │ 2, 7 │ STMicroelectronics │ 1, 25  │
│ Toshiba │ 2, 2 │    SMIC    │   1, 2  │
│ Sony │ 1, 7 │ Texas Instruments │   1, 1  │
│   Epida │ 1, 5 │ Matsushita │   1, 0  │
│ UMC  │ 1, 5 │ IM flash  │   1, 0  │
└ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┴ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┴ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┴ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┘

┌ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┬ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ┐

Для освоения все более дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в области микроэлектроники.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы освоения новых технологических уровней микро- и нанотехнологии в рамках организационных структур программы " EP7", финансируемых из бюджета ЕС; реализуют комплексную программу MEDIA+, ориентированную на задачу - " Европа становится лидером по системным инновациям в полупроводниковых технологиях, ориентированных на электронную экономику".

Китай уже выполнил государственную программу развития микроэлектроники - " Программа 909" стоимостью более 10 млрд. долларов - и в настоящее время стал в ряд крупнейших производителей ЭКБ. Вновь построенные китайские микроэлектронные производства характеризуются уровнем технологии 0, 18-0, 13 мкм, что позволяет решать задачи массового выпуска электронной компонентной базы для развивающегося приборостроения самого современного мирового уровня.

В период осуществления текущей пятилетки в КНР, по данным министерства информационных технологий, предполагается осуществить инвестиции в микроэлектронику на сумму 37-45 млрд. долларов для создания:

- пяти крупных фирм проектирования СБИС (стоимость от 375 млн. долларов до 624, 2 млн. долларов);

- десяти электронных компаний, занятых разработкой технологий, материалов и спецтехнологического оборудования (стоимость от 125 млн. долларов до 375 млн. долларов);

- пятнадцати кремниевых заводов по обработке пластин 200 мм (10 заводов) и 300 мм (5 заводов).

В КНР планируется за 11-ю пятилетку достичь полного самообеспечения всем комплексом средств для обработки 150 мм пластин (чистые среды, материалы, оборудование), освоить и коммерциализировать оборудование литографии (главный определяющий фактор освоения технологии) для пластин 200 мм и оборудование лазерной обработки для технологий уровня 65 нм. Решение этих задач позволяет КНР избавиться от технологической зависимости и наращивать объемы производства ЭКБ в соответствии с потребностями растущего внутреннего производства аппаратуры и систем.

Среднегодовые темпы роста производства СБИС за этот период составят 28, 1%. К 2010 г. КНР станет крупнейшим в мире производителем полупроводниковых приборов - около 150 млрд. долларов.

Как показали итоги 2005 г. наилучшие позиции заняли китайские фирмы в тех секторах рынка ИС, по которым проводились специализированные программы. Программа по введению биометрических паспортов, средств доступа на основе смарт-карт осуществляется по государственной программе, предусматривающей использование только отечественных кристаллов СБИС, что обеспечивает необходимую безопасность на государственном уровне. Также ставится задача максимального обеспечения стратегических и специальных систем, включая космическую программу, ЭКБ собственного производства.

Другим примером является программное развитие изделий микросистемотехники в США и Японии, объем производства которых в США в 2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония планирует достичь годового уровня производства в 17 млрд. долларов. В нашей стране это направление пока находится в зародышевом состоянии.

В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция перемещения производства микроэлектронной техники в страны Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить научные направления поиска новых перспективных технологий (нанотехнология, микросистемотехника, биоэлектроника и др.). При этом правительства развитых западных государств оказывают поддержку данным ключевым направлениям науки, техники и производства.

В мире действуют " Международная карта развития полупроводниковых приборов", которая определяет главные показатели развития микроэлектроники до 2018 г. и ежегодно обновляется. Это, по сути дела, программный документ развития, по которому страны с передовой электроникой сверяют достигнутые технологические уровни и осуществляют формирование программ развития.

Таким образом, практически все ведущие экономики мира стимулируют развитие микроэлектроники путем комбинированных инвестиций за счет средств государственных бюджетов и частного капитала, признавая ведущую роль этой отрасли в развитии общества.

Выше приведенные данные по развитию мировой электроники в очередной раз подчеркивают необходимость планового развития электроники и определяющую роль государства в ее финансовой и организационной поддержке.

В период 2002-2006 гг. основное развитие отечественной электроники осуществлялось в процессе реализации раздела " Электронная компонентная база" Федеральной целевой программы " Национальная технологическая база", завершение действующей редакции которой было осуществлено в 2006 году.

В процессе выполнения НИОКР получены следующие основные результаты:

- В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по созданию отдельных процессов для базовых технологий производства новых поколений СБИС и ССИС с минимальными размерами элементов 0, 1-0, 25 мкм, в том числе спецстойких БИС с технологическими нормами 0, 5-0, 8 мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на сквозное проектирование аппаратуры и перспективной ЭКБ с использованием библиотек стандартных элементов и СФ-блоков. Номенклатура разрабатываемых СФ-блоков ориентирована на создание конкурентоспособных систем мультимедиа, космического мониторинга, телекоммуникаций, систем радиолокации, радионавигации, транспорта, средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и идентификации. Впервые в стране проработаны основные положения создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования перспективной аппаратуры на основе СБИС типа " система на кристалле".

- В области СВЧ электроники значительное внимание уделено работам по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и производственно-технологического базиса производства МИС СВЧ на основе гетероструктур материалов группы А3В5, а также по разработке широкой гаммы мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Впервые в стране на материале группы А3В5 получены образцы транзисторов с Т-образным затвором длиной 0, 1 мкм и разработана технология получения малошумящих транзисторов. Заложены основы технологии производства МИС СВЧ уровня 0, 1 мкм.

- В области обеспечивающих работ проведены аналитические исследования по разработке классификации и определению приоритетных направлений развития СФ-блоков и СБИС типа " система на кристалле" для стратегически значимых радиоэлектронных систем.

- В рамках федеральной целевой программы " Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса" (2002-2006 гг.) проводились в основном работы институционального характера, направленные на реформирование структуры радиоэлектронного комплекса.

Однако, несмотря на данные отдельные положительные результаты, следует признать, что российская электроника находится в кризисном состоянии.

Проблема глобального отставания отечественной электроники явилась следствием отсутствия целенаправленной государственной научно-технической политики в электронной промышленности России, пассивностью и неподготовленностью государства к реформированию отрасли в условиях действия рыночных механизмов хозяйствования.

Непринятие мер по устранению этой проблемы (инерционный сценарий) наиболее вероятно приведет к следующим последствиям:

1. Продолжится отставание отечественной электроники от мирового уровня, которое достигнет критического значения. Увеличится технологический разрыв, что в свою очередь приведет к отставанию тактико-технических параметров отечественных радиоэлектронных военных комплексов обнаружения, управления, связи, разведки и др., а значит неминуемо негативно отразится на состоянии обороноспособности страны.

2. Не будет обеспечена информационная и экономическая безопасность государства в связи с обвальным использованием в стратегических системах управления, обработки и защиты информации, борьбы с помехами, электронного противодействия, средствах массовой информации и др. импортной элементной базы.

3. России придется смириться с завоеванием отечественного рынка импортной электронной техникой, прежде всего телевизионной (в т.ч. цифровой), связной, автомобильной, навигационной, медицинской, коммунальной, бытовой.

4. Невозможно будет развивать другие отрасли промышленности, снизится конкурентоспособность их продукции, а значит поставится под угрозу возможность активного перехода к инновационной экономике (экономике " знаний" ).

Инерционный сценарий не может обеспечить решение проблемы ни при каких условиях.

Единственная возможность преодоления кризиса отечественной электроники связана с реализацией активного сценария на всех стадиях реализации Стратегии, а именно, с принятием государством продуманной и взвешенной протекционистской политики в решении структурных и технологических проблем электронной промышленности, оказании необходимой финансовой помощи для развития нового уровня технологического и производственного базиса.

Именно активный сценарий реализации Стратегии позволит решить комплекс проблем стоящих перед электронной промышленностью. Во-первых, будет ликвидирована структурная диспропорция электронной промышленности, связанная с несоответствием масштаба и структуры отрасли, ее научно-технического и производственного потенциала объему и структуре платежеспособного спроса на основную продукцию отрасли. Во-вторых, добиться комплексного развития отрасли и ликвидировать одностороннее развитие, связанное с развитием спецтехники. В-третьих, устранить несовершенство отечественного законодательства и финансовой инфраструктуры электронной промышленности.

Результативность преодоления кризиса будет определяться правильным установлением отношений между государством и бизнесом на принципах государственно-частного партнерства.

Базисом и основой планирования и реализации намечаемых мер по подъему российской электроники должен стать программно-целевой подход с обязательным участием государства, успешно использованный для решения аналогичных задач в ведущих странах мира - США, Японии, Китае, ЕС и др.

Ожидаемый результат - решение проблемы снижения уровня отечественного технологического отставания от мирового уровня, повышение востребованности отечественной электронной промышленности продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта.

Эффект от достижения указанного результата будет многоуровневым.

На макроуровне:

- увеличивается объем продаж отечественной ЭКБ на внутреннем и внешнем рынках;

- значительно сокращается технологическое отставание российской электронной промышленности от мирового уровня;

- обеспечиваются существенно большие возможности для развития всех отраслей промышленности, и осуществляется переход к экономике " знаний";

- создаются условия для более эффективной реализации национальных проектов, объявленных Президентом;

- создается рыночно-ориентированная инфраструктура электронной промышленности с учетом реструктуризации бизнеса в этой области (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, " кремниевые фабрики" и т.д.);

- расширяется экспорт отечественной высокотехнологичной продукции;

- активизируется инновационная деятельность и ускоряется внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;

- обеспечивается возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства, создаст условия для равноправной конкуренции с лучшими образцами ВВСТ армий ведущих мировых держав.

На микроуровне:

- обеспечивается обновляемость основных фондов организаций электронной отрасли и стимулируется создание современных высокотехнологичных производств;

- создаются крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими западными фирмами, работающими в области электроники;

- организуется производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции и обеспечение разнообразными современными телекоммуникационными услугами, включая радио и телевидение, электронные СМИ.

В социально-экономической сфере:

- увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и тем самым снизится возрастная структура кадров;

- повысится качество жизни населения, которое приблизится к стандартам высокоразвитых стран мира в связи с интеллектуализацией среды обитания в результате расширения возможности использования электроники и информационных систем.

В бюджетной сфере:

- будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий электронной отрасли.

⇐ Предыдущая12345678Следующая ⇒

Поделиться: