Пластин монокристаллического кремния

⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 14Следующая ⇒

Обозначение	Наименование	Кол-во	Примечание
	Установка контроля входных параметров слитка
2, 4, 10, 25	Установка контроля геометрических параметров слитка
	Установка шлифования связанным абразивом
	Установка ориентации базового среза
	Установка нанесения базового среза
7, 15, 21, 30, 41, 43, 45, 47	Ванна химической обработки
8, 16, 18, 22, 31, 40, 42, 44, 46, 48	Ванна промывки
9, 19	Сушильная установка
	Установка для приклеивания слитка
	Станок струнной резки		E500E-8
	Ванна отпаривания
15, 17, 39	Устройство загрузки в кассеты
	Установка снятия фаски		МЕР-800/4600 RHO
23, 32, 49	Установка сушки центрифугированием
24, 33, 51	Установка контроля внешнего вида
26, 34, 52	Установка сортировки по размерным группам
	Установка лазерной маркировки		ЭМ-237 П2
	Позиция формирования партии пластин
	Установка двухсторонней шлифовки		DSM20B-5L-11
	Установка контроля нарушенного слоя
	Установка нанесения воска		POLOS
36, 37	Установка односторонней полировки		SpeedFam
	Установка отмывки приклеиваемых блоков		СК 725.00.00
50, 53	Система гидроструйной очистки		DSS-200 series II
	Установка контроля выборки пластин
	Установка упаковки пластин

Рис. 4. Технологическая схема производства ферритных изделий

Спецификация потоков на технологической схеме производства ферритных изделий

Обозначение	Наименование	Кол-во	Примечание
	Малые весы
	Большие весы
	Аттритор
	Барабанный фильтр
	Бак накопитель
	Гидравлический пресс
7, 11	Стеллажи для сушки изделий
	Туннельная печь
	Плоскошлифовальная установка
	Ультразвуковая ванна
	Контрольно-измерительная установка
	Упаковочный стол

Условное обозначение	Наименование технологического потока
Буквенное	Графическое
–	–1–1–	Порошок гексаферрита стронция
–	–2–2–	Вода
–	–3–3–	Порошок карбоната кальция
–	–4–4–	Порошок борной кислоты
–	–5–5–	Порошок высокодисперсного диоксида кремния
–	–6–6–	Модифицирующая добавка BaAl₂₅Fe₉₅O₁₉
–	–7–7–	Сточные воды
–	–8–8–	Смесь добавок
–	–9–9–	Порошок гексаферрита стронция после взвешивания
–	–10–10–	Суспензия шихты
–	–11–11–	Паста шихты
–	–12–12–	Отпрессованные заготовки
–	–13–13–	Заготовки после сушки
–	–14–14–	Отбракованные по внешнему виду изделия
–	–15–15–	Отходящие газы
–	–16–16–	Шлифотходы
–	–17–17–	Спеченные заготовки
–	–18–18–	Отшлифованные изделия
–	–19–19–	Промытые изделия
–	–20–20–	Высушенные изделия
–	–21–21–	Бракованные изделия
–	–22–22–	Годные изделия
–	–23–23–	Воздух

Спецификация оборудования на технологической схеме производства ферферритных изделий

Рис. 5.Технологическая схема производства транзистора 5888Г7

Спецификация потоков на технологической схеме производства транзистора 5888Г7

Обозначение	Наименование	Кол-во	Примечание
1, 19, 20	Печь диффузионная
2, 7, 15, 16, 21	Ванна химическая
3, 8, 17, 22	Ванна промывки
4, 9, 18, 23	Центрифуга сушильная
	Установка газофазного осаждения
6, 13	Микроскоп
12, 24	Установка плазмохимического травления
	Установка нанесения фоторезиста
	Установка проявления фоторезиста
25–36	Баллон
	Установка ионно-лучевого легирования

Спецификация оборудования на технологической схеме производства транзистора 5888Г7

Условное обозначение	Наименование технологического потока
Буквенное	Графическое
–	–1–1–	Полупроводниковые пластины
–	–2–2–	Кислород, O₂
–	–3–3–	Bодород, H₂
–	–4–4–	Газообразный HCl
–	–5–5–	ПАР ( H₂O + NH₄OH)
–	–6–6–	Деионизованная вода
–	–7–7–	Газовая смесь (SiH₂Cl₂+H₂)
–	–8–8–	Аммиачно-водородная смесь
–	–9–9–	Сточные воды
–	–10–10–	Фоторезистивная композиция
–	–11–11–	Отработанный фоторезист
–	–12–12–	0, 5% раствор гидроксида калия
–	–13–13–	BCl₃
–	–14–14–	КАРО (H₂SO₄+H₂O₂₎
–	–15–15–	Азот, N₂
–	–16–16–	Травитель (HF +H₂O = 1: 3)

ПРИЛОЖЕНИЕ II

Таблица 1

Фундаментальные физико-химические константы

Атомная единица массы	1, 661·10^{− 24} г
Постоянная Авогадро, N_A	6, 022·10²³ моль^{− 1}
Универсальная молярная газовая постоянная, R	8, 314 Дж⁄ (моль∙ К)
Постоянная Больцмана, k	1, 380·10^{− 23} Дж/К
Элементарный заряд	1, 602·10^{− 19} Кл
Масса покоя электрона	9, 109·10^{− 27} г
Масса покоя протона	1, 673·10^{− 24} г
Электрическая постоянная, ε ₀	8, 854·10^{− 12}Ф/м
Постоянная Фарадея, F	96 485, 33 Кл/моль
Постоянная Планка, h	6, 626·10^{− 34} Дж·с
Приведенная постоянная Планка, ħ	1, 054·10^{− 34} Дж·с
Скорость света в вакууме, c	299 792 458 м/с
Магнитная проницаемость вакуума, μ ₀	4π ·10^-7 Гн/м
Магнетон Бора, μ _Б	9, 3·10^-24 А·м²

Таблица 2

Термодинамические свойства некоторых веществ

Вещество	Δ _ƒH°, кДж/моль	S°, Дж/(моль·К)	С_р, Дж/(моль·К)	Т_пл, °С
Ag (к)		42, 58	25, 4
Al (к)		28, 31	24, 4
Al₂O₃ (к)	-1675	50, 94	79, 0
AlAs	-58.70	27, 49	21, 3
AlCl₃ (к)	-697, 4		91, 0	192, 4
AlF₃ (к)	-1488	66, 48	75, 1
AlN	-158.63	10, 62	15, 1
AlP	-87.16	22, 35	19, 2
AlSb	-33.97	32, 62	23, 3
As (к)		35, 1	25, 1	613 (суб.)
AsH₃ (г)	135, 27	222, 67	38, 1	-117
B (к)		5, 87	11, 1
BAs	-40.06	20, 52	17, 3
B₂H₆ (г)	194, 72	233, 058	56, 9	-165, 5
B₂O₃ (к)	-1264	55, 85	66, 9
BBr₃ (г)	-116, 77	324, 22	67, 8	-46
BF₃ (г)	1137, 64	254, 47	50, 5	-128
BN (к)	-127, 13	7, 4	9, 85
ВР	-54.24	13, 14	15, 1
Br₂ (г)	30, 92	245, 54	36, 0	-7, 3
Br₂ (ж)		152, 3	75, 7	-7, 3
C (алм)	-1, 83	2, 37	6, 1
Продолжение таблицы 2
Вещество	Δ _ƒH°, кДж/моль	S°, Дж/(моль·К)	С_р, Дж/(моль·К)	Т_пл, °С
C (гр)		5, 74	8, 5	3700 (в)
CCl₄(ж)	-135, 4	214, 57	132, 6	-22, 9
Cl₂ (г)			33, 9	-34, 1
Ca		41, 6	25, 9
CO (г)	-110, 6	197, 68	29, 1	-205
CO₂ (г)	-393, 51	213, 6	37, 1	-56, 6
CS₂	115, 3	237, 8	75, 73	-111, 9
Cu (к)		33, 3	24, 4
CuCl₂ (к)	-134, 7	91, 6	71, 9
СаСO₃	-1207		83, 5
СаO	-635		38, 1
F₂		202, 8	31, 3	-219, 6
Fe (к)		27, 17	25, 1
FeO (к)	-265	60, 79	49, 9
Fe₂O₃ (к)	-822, 7	87, 5	103, 9	1565 (р)
Fe₃O₄ (к)	-1117, 9	146, 29	143, 4	1540 (р)
Ga		40, 8	26, 1
GaAs	-38.65	32, 62	23, 0
GaN	-80	18, 02	17, 27
GaP	-51.05	27, 49	22, 0
GaSb	-22.20	37, 75	24, 26
Gd₂O₃	-1821	150, 6	105, 5
Ge (к)		42, 38	23, 4
GeO₂	-580, 2	39, 7	50, 2
GeCl₂ (г)	135, 9	246, 37	-	74, 6
GeCl₄ (г)	-389, 39	347, 27	96, 2	-49, 5
H₂ (г)		130, 6	28, 8	-259
H₂O (г)	-241, 84	188, 74	33, 6
H₂O (ж)	-285, 84	69, 96	75, 3
H₂O₂ (ж)	187, 9	109, 57	89, 3	-0, 43
H₂S (г)	-20, 15	205, 64	34, 2	-82, 3
HBr (г)	-35, 98	198, 4	28, 0	-86, 9
HСl (г)	-92, 3	186, 7	29, 1	-114, 2
HfO₂	-1117, 5	59, 3	60, 3
I₂ (г)	62, 24	260, 58	36, 9	113, 6
I₂ (к)		116, 73	54, 4	113, 6
In		57, 8	26, 7	156, 4
InAs	-27.55	37, 75	23, 6
InBi	-0.71	56, 71	24, 9
InN	-55.92	25, 42	17.85
InP	-34.38	32, 62	23, 24

Продолжение таблицы 2
Вещество	Δ _ƒH°, кДж/моль	S°, Дж/(моль·К)	С_р, Дж/(моль·К)	Т_пл, °С
InSb	-15.73	42, 88	24, 76
КОН	-424, 6	81, 2	68, 9
K₂O	-361, 5	94, 1	83.7	300 (p)
K₂CO₃	-1146.1	156.3	115.7
K₂WO₄	-1580		-
Mg		32, 7	24, 9
MgF₂	-1113	57, 3	71, 1
N₂ (г)		191, 5	29, 1	-210
Nb₂O₅	-1898
NH₃ (г)	-46, 19	192, 5	35, 1	-77, 7
N₂O (г)	-82, 1	220, 02	38, 6	-90, 7
NO₂ (г)	-33, 5	240, 32	37, 2	-11, 2
NH₄Cl	-314, 4	94, 6	84, 1	338 (в)
NH₄NO₃	-365, 6	151, 1	139, 3
O₂ (г)		205, 03	29, 4	-218.8
P (бел)		44, 35	23, 8	44, 1
P₂O₅ (к)	-2984
РН₃	5, 4	210, 2	37, 1	-133, 8
PCl₃ (г)	-277	311, 7	71, 8	-90, 3
Pb (к)		64, 9	26, 4
PbCl₂ (к)	-359, 1	136, 4	77, 0
PbS (k)	-94, 28	91, 2	49, 8
S (кр, ром)		31, 88	22, 6	112, 8
S₂ (г)	129, 1	227, 7	32, 5	112, 8
Sb (к)		45, 69	25, 2	630, 5
SbCl₅ (к)	-437, 2		295, 0	2, 8
SbH₃	145, 1	232, 8	41, 1	-94, 0
Si (k)		18, 72	20, 0
Si₃N₄ (к)	-618, 84	95, 39	99.87	1900 (в)
SiC (к)	-104, 29	16, 46	26.9	2830 (p)
SiCl₄ (г)	657, 5	331, 37	90, 4	-68, 9
SiF₄ (г)	-1614	281, 6	73, 6	-86, 8^{0, 22}
SiH₄ (г)	-113, 24	204, 51	42, 9	-185
SiO₂ (к)	-910, 7	42, 09	44, 4
SiВr₄ (г)	-290, 33	377, 81	97, 1	5, 4
Sn (к)		51, 4	27, 0
SnO₂ (к)	-580, 8	52, 34	52, 7
SnS (к)	-101, 8		49, 2
SO₂ (г)	296, 9	248, 1	39, 9	-75, 5
SO₃ (г)	-395, 2	256, 23		16, 8
Ti (к)		30, 6	25, 0
TiCl₄ (г)	-763, 2	353, 2	95, 4	-24, 1

Продолжение таблицы 2
Вещество	Δ _ƒH°, кДж/моль	S°, Дж/(моль·К)	С_р, Дж/(моль·К)	Т_пл, °С
TiCl₄ (ж)	-804, 2	252, 3	145, 2	-24, 1
ТiО₂	-938		55, 5
TiN	-323	30, 3	37, 1
WO₃	-842, 7	75, 9	73, 9
YCl₃	-982.4	136.8	92, 0
Y₂O₃	-1904	99.2	96, 0
YF₃	-1718
Zn		41, 6	25, 4	419, 5
ZnO	-350, 5	43, 7	40, 3

Таблица 3

⇐ Предыдущая 5 6 7 8 9 10 11 121314 Следующая ⇒