Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Три способа включения транзисторов
Транзистор имеет три электрода: эмиттер, базу и коллектор. На вход транзистора подводится входной сигнал, а с выхода снимается выходной. Для подачи входного сигнала нужны два электрода, а для снятия - ещё два. Так как электродов у транзистора три, то один из них делают общим для входного и выходного сигналов. Существует несколько способов включения транзистора: схема с общей базой, схема с общим эмиттером, схема с общим коллектором. В каждой из этих схем один из выводов транзистора служит общей точкой, а два других являются входом и выходом. Рис. 4.5. Схемы включения транзисторов (рисунок выполнен авторами) Фазовые соотношения для входных и выходных сигналов показаны на схемах. Следует обратить внимание на то, что в схеме с ОЭ фаза выходного сигнала изменяется на 180о по отношению к фазе входного. Таблица 2. Особенности схем включения транзисторов
Транзистор как четырехполюсник Биполярный транзистор в различных схемах подключения можно представить как четырехполюсник и, соответственно, рассчитать его параметры для любой схемы. Для транзистора характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 4.6). Рис.4.6. Представление транзистора как четырёхполюсника (рисунок выполнен авторами) I1, U1 - ток и напряжение на входе транзистора; I2, U2 - ток и напряжение на выходе транзистора. В зависимости от того, какие из этих величин взять за независимые переменные, а какие - за зависимые, линейный четырехполюсник можно описать шестью различными системами уравнений. На практике используются три основных зависимости между входными и выходными величинами, которые отражены в таблице 2. Таблица 2. Зависимости между входными и выходными вкличинами четырехполюсника
В соответствии с этими зависимостями можно получить три системы параметров транзистора: система Z - параметров, система Y - параметров и система H - параметров. Система z-параметров Если в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника взять токи I1 и I2, а напряжения U1 и U2 определять как функции этих токов, то связь напряжений и токов в линейном приближении будет иметь вид: U1 = z11I1 + z12I2; U2 = z21I1 + z22I2. Коэффициенты zik в этих уравнениях определяются следующим образом: z11 = U1/I1 при I2 = 0 и Z22 = U2/I2 при I1 = 0 z11, z22 - входное и выходное сопротивления; Z12 = U1/I2 при I1 = 0 и Z21 = U2/U1 при I2 = 0 z11, z22 - сопротивления обратной и прямой передач. Измерения z-параметров осуществляются в режиме холостого хода на входе (I1 = 0) и выходе (I2 = 0). Система y-параметров Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника напряжения U1 и U2, а токи I1 и I2 будем определять как функции этих напряжений. Тогда связь токов и напряжений в линейном приближении будет иметь вид: I1 = y11U1 + y12U2; I2 = y21U1 + y22U2. Коэффициенты в уравнениях имеют размерность проводимости и определяются следующим образом: y11 = I1/U1 при U2 = 0 и y22 = I2/U2 при U1 = 0
y11, y22 - входная и выходная проводимости; y12 = I1/U2 при U1 = 0 и y21 = I2/U1 при U2 = 0 y12, y21 - проводимости обратной и прямой передач. Измерение y-параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U1 = 0) и выходе (U2 = 0) (Параметры транзистора как четырехполюсника). Система h-параметров Наиболее часто используется система h-параметров, которая представляет собой комбинированную систему из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U2 = 0) и режим холостого хода на входе (I1 = 0). Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток I1 и напряжение U2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I2 и напряжение U1, при этом система, описывающая связь входных I1, U2 и выходных I2, U1 параметров, выглядит следующим образом: U1 = h11I1 + h12I2; I2 = h21U1 + h22U2. Значения коэффициентов в уравнении для h-параметров имеют следующий вид: h11 = U1/I1 при U2 = 0- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; h22 = I2/U2 при I1 = 0 - выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи; h12 = U1/U2 при I1 = 0 - коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи; h21 = I2/I1 при U2 = 0 - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе. С учетом h-параметров эквивалентная схема транзистора выглядит следующим образом (рис. 4.7). Рис. 4.7. Схема замещения транзистора (рисунок выполнен авторами) Здесь во входной цепи транзистора включен генератор напряжения h12U2, который учитывает взаимовлияние между коллекторным и эмиттерным переходом в результате модуляции ширины базы, а генератор тока h21I1 в выходной цепи учитывает усилительные свойства транзистора, когда под действием входного тока I1, в выходной цепи возникает пропорциональный ему ток h21I1. Параметры h11 и h22 - это соответственно входное сопротивление и выходная проводимость транзистора. Для различных схем включения транзистора h-параметры будут различны. Так для схемы с общей базой входными и выходными величинами являются (рис. 4.8): U1 = Uэб; I1 = Iэ; U2 = Uкэ; I2 = Iк. Рис. 4.8. Эквивалентная схема четырехполюсника для схемы с общей базой (рисунок выполнен авторами) Так как транзистор чаще усиливает сигнал переменного тока, то и h-параметры по переменному току должны определяться не как статические, а как динамические (дифференциальные). Для схемы с общей базой они определяются по выражениям: h11б = Δ Uэб/Δ Iб при Uкб = 0; h12б = Δ Uэб/Δ Uкб при Iэ = 0; h21б = Δ Iк/Δ Iэ при Uкб = 0; h22б = Δ Iк/Δ Uкб при Iэ=0. Индекс «б» говорит о принадлежности этих параметров к схеме с общей базой. Для схемы с общим эмиттером входными и выходными величинами являются (рис. 4.9): U1 = Uэб; I1 = Iэ; U2 = Uкэ; I2 = Iк. Рис. 4.9. Эквивалентная схема четырехполюсника для схемы с общим эмиттером (рисунок выполнен авторами) Для схемы с общим эмиттерном h-параметры определяются из соотношений: h11э = Δ Uбэ/Δ Iэ при Uкэ = 0; h11э составляет от сотен Ом до единиц кОм; h12э = Δ Uбэ/Δ Uкэ при Iб = 0; обычно равен 10-3...10-4, т. е. напряжение, передаваемое с выхода на вход за счет обратной связи, составляет тысячные или десятитысячные доли выходного напряжения; h21э = Δ Iк/Δ Iэ при Uкэ = 0; h21э составляет десятки - сотни единиц; h22э = Δ Iк/Δ Uкэ при Iб = 0; h22э (выходная проводимость) равна десятым - сотым долям мСм, а выходное сопротивление 1/h22, получается в пределах от единиц до десятков кОм. Индекс «э» говорит о принадлежности этих параметров к схеме с общим эмиттером (Петрович В. П., 2008). Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-03-17; Просмотров: 2716; Нарушение авторского права страницы