Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Магнитное поле движущихся зарядов. Взаимодействие движущихся зарядов. Магнетизм как релятивистский эффект
Каждый проводник с током создает вокруг себя магнитное поле. Поэтому всякий движущийся заряд также будет создавать вокруг себя магнитное поле. Получим выражение для В и Н этого поля. Возьмем отрезок проводника сечением S, длиной l с током I. Этот отрезок создает в точке на малом расстоянии r от него магнитное поле, напряженность Н' которого по закону Био-Савара-Лапласа будет Представим ток I в виде I = j·S, где j - плотность тока, которая равна j = n0·Q·v, где n0 – концентрация зарядов [м-3], v - скорость движения зарядов, Q - заряд. Тогда , где N = n0 V = n0Sl - число зарядов в отрезке l проводника, V=S.l – объём проводника. Очевидно, что напряженность поля, создаваемого каждым из движущихся зарядов, будет в N раз меньше и равна
Магнитное поле, созданное движущимся со скоростью v1 зарядом Q1 будет воздействовать на движущийся со скоростью v2 заряд Q2 с силой Лоренца, которую назовем силой магнитного взаимодействия Fm Если два заряда Q1 и Q2 движутся по параллельным траекториям на расстоянии r друг от друга со скоростями v1 = v2 = = v, то α = π /2, sin α = 1 и сила магнитного взаимодействия будет Сила электрического взаимодействия FЭ этих зарядов определяется законом Кулона Отношение Fm/FЭ будет равно
с – электродинамическая постоянная, равная скорости света в вакууме. Таким образом, и пропорциональна v2. При скорости движения зарядов v«c магнитное взаимодействие между движущимися зарядами значительно меньше их электрического взаимодействия. Так как Fm ~ v2, то эффект магнитного взаимодействия наиболее сильно проявляется при движении зарядов с высокими скоростями (релятивистскими) и в этом смысле следует понимать магнетизм как релятивистский эффект. В проводниках с током электрические заряды разных знаков скомпенсированы, т.е. он оказывается электрически нейтральным (FЭ 0) и между проводниками остается только магнитное взаимодействие. Хотя сила магнитного взаимодействия между двумя электронами мала, но число их пар столь велико, что результирующая сила магнитного взаимодействия параллельных проводников с токами оказывается заметной величиной.
Эффект Холла Эффект заключается в том, что в проводнике с током, помещенном в магнитное поле, возникает разность потенциалов в направлении, перпендикулярном вектору магнитной индукции В и току I, вследствие действия силы Лоренца на заряды, движущиеся в проводнике. Эффект Холла наблюдается у металлов и полупроводников.
Если носители заряда имеют отрицательный знак (электроны в металлах и полупроводниках – рис. 116а), то на верхней грани будет избыток электронов, если же положительный (“дырки” в полупроводниках, рис. 116б), то на верхней грани будет избыток положительных зарядов (недостаток электронов). Сила Лоренца в обоих случаях направлена вверх. По этому признаку, зная направление тока j и поля В, определяют знак носителей тока, а также подвижность носителей заряда (по значению скорости v ). Таким образом, между гранями 1 и 2 возникает разность потенциалов U. Получим выражение для U. Сила Лоренца FЛ, действующая на каждый заряд равна FЛ = QvB. Избыточные заряды, появившиеся на гранях 1 и 2 создадут электрическое поле с напряженностью Это поле будет действовать на каждый заряд с силой FЭ =QE. В какой-то момент установится стационарное (не меняющееся со временем) распределение зарядов вследствие того, что эти две силы уравновесят друг друга QvB = QE или E = vB. Из формулы плотности тока j = n0Qv выразим скорость . Тогда где - постоянная Холла и выражение для U будет U = RdjB
Разность потенциалов между гранями проводника, находящимся в поперечном магнитном поле, прямо пропорциональна толщине проводника d, плотности тока j, магнитной индукции В. Применение эффекта Холла: 1. По знаку эффекта судят о принадлежности полупроводника к n -типу и р – типу. 2. По значению U определяют значение индукции В. 3. По значению U определяют подвижность носителей зарядов в полупроводнике.
Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-03-22; Просмотров: 1095; Нарушение авторского права страницы