Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Пластина диэлектрика в плоском конденсаторе
На рис. 9 изображен плоский конденсатор без диэлектрика (рис. 9а) и с диэлектриком (рис. 9б). Рисунок 9
В конденсаторе без диэлектрика поле E0 создается свободными зарядами, т. е. зарядами, находящимися на пластинах конденсатора. В конденсаторе с диэлектриком поле E в объеме, занятом диэлектриком, является разностью двух полей: поля свободных зарядов (E0) и поля связанных зарядов (E') зарядов, появляющихся в результате поляризации диэлектрика: (46)
(47)
Так как их поверхностная плотность s' меньше плотности s свободных зарядов плоскостей, то не все поле Е компенсируется полем зарядов диэлектрика: часть линий напряженности пройдет сквозь диэлектрик, другая же часть — обрывается на связанных зарядах. Следовательно, поляризация диэлектрика вызывает уменьшение в нем поля по сравнению с первоначальным внешним полем. Вне диэлектрика Е = Е 0. Таким образом, появление связанных зарядов приводит к возникновению дополнительного электрического поля Е ' (поля, создаваемого связанными зарядами), которое направлено против внешнего поля Е 0 (поля, создаваемого свободными зарядами) и ослабляет его. Результирующее поле внутри диэлектрика (48) Поле в диэлектрике (49) Выразим σ ' через вектор поляризации
(50)
- дипольный момент пластины диэлектрика, - объем пластины. Тогда (51) С другой стороны В результате (52) откуда
(53) Из (53), следует, что поле в однородном и изотропном диэлектрике в (1+α ) раз меньше, чем поле в вакууме Е0. Обозначим (54)
где - диэлектрическая проницаемость среды. Она показывает, во сколько раз поле ослабляется диэлектриком, и характеризует количественно свойство диэлектрика поляризоваться в электрическом поле. В однородном изотропном диэлектрике, свойства которого не зависят от направления в пространстве (изотропность), электрическое поле ослабляется в ε раз: (55)
Эта формула справедлива для аморфных, некристаллических диэлектриков. В кристаллах ситуация значительно сложнее. 24. 1) Электрическое смещение Для удобства описания поля в диэлектрике вводят вспомогательный вектор - вектор электрического смещения (56) Вектор электрического смещения можно выразить как (57) Единица электрического смещения — кулон на метр в квадрате (Кл/м2). Результирующее поле в диэлектрике описывается вектором напряженности Е, и потому он зависит от свойств диэлектрика. Вектором D описывается электростатическое поле, создаваемое свободными зарядами. Связанные заряды, возникающие в диэлектрике, могут вызвать, однако, перераспределение свободных зарядов, создающих поле. Поэтому вектор D характеризует электростатическое поле, создаваемое свободными зарядами (т. е. в вакууме), но при таком их распределении в пространстве, какое имеется при наличии диэлектрика. Аналогично, как и поле Е, поле D изображается с помощью линий электрического смещения, направление и густота которых определяются точно так же, как и для линий напряженности. Линии вектора Е могут начинаться и заканчиваться на любых зарядах — свободных и связанных, в то время как линии вектора D — только на свободных зарядах. Через области поля, где находятся связанные заряды, линии вектора D проходят не прерываясь. Для произвольной замкнутой поверхности S поток вектора D сквозь эту поверхность (58) где Dn — проекция вектора D на нормаль n к площадке dS. Теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике: поток вектора смещения электростатического поля в диэлектрике сквозь произвольную замкнутую поверхность равен алгебраической сумме заключенных внутри этой поверхности свободных электрических зарядов. (59) В такой форме теорема Гаусса справедлива для электростатического поля как для однородной и изотропной, так и для неоднородной и анизотропной сред. Для вакуума Dn = e0En (e =1), тогда поток вектора напряженности Е сквозь произвольную замкнутую поверхность (ср. с (81.2)) равен (60) Так как источниками поля Е в среде являются как свободные, так и связанные заряды, то теорему Гаусса (60) для поля Е в самом общем виде можно записать как (61) где — соответственно алгебраические суммы свободных и связанных зарядов, охватываемых замкнутой поверхностью S. Однако эта формула неприемлема для описания поля Е в диэлектрике, так как она выражает свойства неизвестного поля Е через связанные заряды, которые, в свою очередь, определяются им же. Это еще раз доказывает целесообразность введения вектора электрического смещения. 25. Популярное: |
Последнее изменение этой страницы: 2016-03-25; Просмотров: 813; Нарушение авторского права страницы