ЗУ с пережигаемыми перемычками.

В качестве перемычек используют либо металлические, например из михрома (1-ая микросхема) antifuse из полимера, либо два встречных диода.

При программировании прожигается перемычка, либо пробивается диод.

Пример ячейки на основе ТТЛ:

 

 

 

V_бэ > 0, 7 В

 

Считывание: напряжение Е стандартное (около 5В). По шине выборки поступает единица, выбирающая данный транзистор. Если перемычка присутствует, то на переходе база- эмиттер напряжение больше.

V_{бэ откр} (»0.7 В)

Ключ на транзисторе открывается и напряжение Е оказывается на соответствующей линии разрядной шины. Получаем единицу на выходе.

Если перемычка отсутствует, то такой переход б-э заперт, и Е не доходит до разрядной шины.

На выходе имеем “0” благодаря резистору, подключённому к “0”.

Запись: при записи на разрядные шины попадают записываемые данные. Напряжение Е повышенное. Подаётся сигнал выборки. Многоэмиттерный транзистор открывается, если на линии разрядной шины подан “0”, то через перемычку протекает повышенный ток, и она перегорает.

Если на R_i единица, ток отсутствует и перемычка сохраняется.

Достоинства:

1) возможность программирования микросхемы пользователем;

2) малые габариты ячейки памяти. ( Перемычка занимает значительно меньше места, чем транзистор);

3) высокое быстродействие благодаря малым габаритам (маленькие паразитные ёмкости)

Недостатки:

1) возможность только однократного программирования, а значит сложно

проверить работоспособность при производстве;

2) возможность выхода микросхемы из строя в момент программирования,

Например, из-за разбрызгивания металла;

3)возможность восстановления перемычки из-за текучести металла.

 

 

Электростатические ЗУ

 

1. ЛИПЗ МОП (лавинно-инжекционный плавающий затвор).

2. МНОП ( металл-нетрит-окись-полупроводник).

3. С 2-мя затворами: управляющим и лавинно-инжекционным.

	исток

 

 

 

 

Данный транзистор отличается от обычного отсутствием управляющего затвора. Вместо него в изолятор, который расположен над областью индивидуального канала введено вкрапление проводника, который изолирован со всех сторон. Он и представляет собой затвор. Если на данном затворе окажутся положительные заряды, они индуцируют канал между областями стока и истока. Т.к. затвор изолирован, то заряд в нём хранится очень долго.

Если заряда нет, сток и исток изолирован.

Ячейка памяти содержит 2 транзистора ЛИПЗ МОП и обычный.

При считывании подаётся сигнал выборки и открывается транзистор Т.

Сток транзистора ТS подключается к разрядной шине. Если в ТS отсутствует канал, на выходе получаем Е единицу.

Если канал присутствует, он закорачивает разрядную шину на ноль, получаем – ноль.

 

 

Для записи информации на сток подаётся повышенное положительное напряжение, например, 20В(12В), т.к. подложка соединена с нулём, то p-n переход сток-подложка пробивается.

Положительные заряды дырки приобретают большую кинетическую энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера между подложкой и изолятором затвора. Т.к.слой изоляции между подложкой и плавающим затвором мал, эти заряды попадают в плавающий затвор и удерживаются в нём. При записи подаётся сигнал на линию выборки, открывается транзистор Т, а на разрядную шину подаётся повышенное напряжение, если необходимо записать «0». Для этого подаём сигнал записи и записи нуля – открывается транзистор ТW, и Е повышенное попадает на разрядную шину и через открытый транзистор Т на сток ТS.

Если записывается единица, то транзистор ТW не открывается, а напряжение Е не достаточно для пробоя перехода сток – подложка.

 

 

Стирание информации осуществляется с помощью ультрафиолета. Кванты света через специальное кварцевое стекло в корпусе микросхемы попадают на изолятор затвора и выбивают в нём пару зарядов . Отрицательные заряды, хаотично двигаясь, притягиваются к плавающим затворам и нейтрализуют положительный заряд. Положительные заряды переходят в подложку. В результате возникает фототок. Он очень маленький из-за хаотичности движения, а следовательно время стирания велико (порядка 20 минут). По мере засвечивания изолятор портится. Поэтому число циклов стирания ограничено (от 100 до 1000). Аналогично длительно время и записи, оно составляет единицы миллисекунд.

Выпускаются микросхемы без кварцевого окошка, которые не допускают стирание. Они являются однократно программируемыми.

 

 

Год

⇐ Предыдущая45678910111213Следующая ⇒

Поделиться:

Популярное:

1. Блок генераторов напряжений с наборным полем
2. ЖЕЛЕЗЫ ВНЕШНЕЙ СЕКРЕЦИИ У ЖИВОТНЫХ.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРЕХФАЗНОЙ ЦЕПИ ПРИ
4. Опалубка. Опалубочные работы.
5. Основные виды форм, используемых при производстве полимерной тары и упаковки и их классификация.
6. Основные виды форм, используемых при производстве полимерной тары и упаковки и их классификация.
7. Основные органы управления энергоблоком со сверхкритическими параметрами пара при работе его в стационарных режимах
8. Порядок выполнения элементов этапа
9. Схемотехника запоминающих устройств.
10. Часть 2. Постоянное запоминающее устройство