Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Основные параметры спектров ЭПР ⇐ ПредыдущаяСтр 8 из 8
Таковыми параметрами являются интенсивность, форма и ширина резонансной линии, g-фактор, константы тонкой и сверхтонкой (СТС) структуры. На практике обычно регистрируется 1-я, реже 2-я производные кривой поглощения, что позволяет повысить чувствительность и разрешение получаемой информации. Интенсивность линии определяется площадью под кривой поглощения (рисунок 7а), которая пропорциональна числу парамагнитных частиц в образце. Оценку их абсолютного количества осуществляют сравнением интенсивностей спектров исследуемого образца и эталона. При регистрации 1-й производной кривой поглощения (рисунок 7б) используют процедуру двойного интегрирования. В ряде случаев интегральную интенсивность можно приближенно оценить, используя выражение (5)
Sпл = Iмакс· (∆ Нмакс)2, (5)
гдеSпл‑ площадь под кривой поглощения; Iмакс‑ интенсивность линии; ∆ Нмакс‑ ширина линии.
а – кривая поглощения ЭПР, б – первая производная поглощения; в – вторая производная поглощении
∆ Н1/2 – ширина линии по полувысоте кривой поглощения, ∆ Нмакси Iмакс – соответственно ширина и интенсивность линии между точками максимального наклона
Рисунок 7 – Основные параметры спектров ЭПР
Весьма чувствительны к форме линии поглощения 1-я и 2-я производные (рисунок 7в).
Форма линии в спектре ЭПР сравнивается с лоренцевой или гауссовой формами линии, которые аналитически выражаются в виде (6, 7):
y = a/(1+b·x2) (лоренцева линия), (6) y = a·exp(-b·x2) (гауссова линия). (7)
Лоренцевы линии обычно наблюдаются в спектрах ЭПР жидких растворов парамагнитных частиц низкой концентрации. Если линия представляет собой суперпозицию множества линий (неразрешенная СТС), то форма ее близка к гауссовой. Важным параметром является ширина линии ∆ Нмакс, которая связана с шириной линий на полувысоте ∆ Н1/2 соотношениями (8, 9)
∆ Нмакс= (2 ) ·∆ Н1/2 (лоренцева форма) (8) и ∆ Нмакс= (2/ln2)1/2 ·∆ Н1/2 (гауссова форма). (9)
Реальные линии ЭПР, как правило, имеют промежуточную форму (в центре лоренцева, по краям – гауссова формы). Времена релаксации Т1 и Т2 определяют ширину резонансной линии
∆ Н1/2 ≈ 1/ Т1 + 1/Т2. (10)
Величина Т1 характеризует время жизни электронного спина в возбужденном состоянии, в соответствиис принципом неопределенности при малых Т1 происходит уширение линии ЭПР. В парамагнитных ионах Т1 имеетпорядок 10-7 – 10-9 с и определяет основной канал релаксации, обуславливающий появление очень широких линий (вплоть до таких, которые невозможно наблюдать в обычных условиях). Использование гелиевых температур позволяет наблюдать спектры ЭПР за счет увеличения Т1. В свободных органических радикалахТ1 достигает порядка секунд, поэтому главный вклад в ширину линии вносят релаксационные процессы, связанные со спин-спиновым взаимодействием и определяемые временемТ2, обратно пропорциональным ∆ Н1/2:
1/Т2 ~ ϰ ·γ e·∆ Н1/2, (11)
гдеγ e– гиромагнитное отношение для электрона; ϰ – параметр, зависящий от формы линии. Физический смысл Т2 заключается в том, что каждый электронный спин в системе создает локальные поля в местах нахождения других электронов, модулируя резонансное значение поля Н и приводя к уширению линии. g-Фактор формально определяется как фактор спектроскопического расщепления Ланде, равный (12)
g = 1+ , (12)
гдеL, S, J – квантовые числа соответственно орбитального, спинового и полного моментов количества движения. В случае чисто спинового магнетизма L = 0 (ситуация свободного электрона) g = 2, 0023. Отклонение от этой величины свидетельствует о примеси орбитального магнетизма (спин-орбитальное взаимодействие), приводящего к изменению величины резонансного поля. Ценную информацию величина g-фактора дает при анализе спектров ЭПР парамагнитных ионов с сильным спин-орбитальным взаимодействием, так как она весьма чувствительна к лигандному окружению иона, которое формирует кристаллическое поле. Резонансное значение магнитного поля и величина g-фактора зависят от относительной ориентации магнитного поля и кристаллографических (или молекулярных) осей. В жидкой фазе анизотропные взаимодействия усредняются, приводя к изотропному (усредненному) значению g-фактора. В отсутствии усреднения (твердая фаза) в зависимости от структуры и химического окружения спиновой системы, реализуется цилиндрическая (осевая) или более низкая симметрия. Тонкая структура возникает в спектрах ЭПР парамагнитных ионов, содержащих более одного неспаренного электрона (S> 1/2). Если спиновый и орбитальные моменты в атоме отличны от нуля, то за счет взаимодействия спинового и орбитального моментов (спин-орбитальное взаимодействие) энергетические уровни могут дополнительно расщепиться. В результате этого вид спектра ЭПР усложнится и вместо одной спектральной линии в спектре ЭПР появится несколько линий. В этом случае и говорят о том, что спектр ЭПР имеет тонкую структуру. В частности для иона с суммарным спином S= 3/2 (три неспаренных электрона) при наложении постоянного магнитного поля образуются 4 подуровня, расстояние между которыми для свободного иона одинаковы, и при поглощении кванта
h·υ = g·µБ·Н (13)
должен наблюдаться один резонансный пик. В ионных кристаллах за счет неоднородности кристаллического поля интервалы между подуровнями спиновой системы оказываются разными. В результате этого поглощения электромагнитные излучения происходит при различных значениях поля, что приводит к появлению в спектре трех резонансных линий. То есть возникает тонкая структура спектра ЭПР. Наиболее ценную информацию дает анализ сверхтонкой структуры (СТС) спектров ЭПР, обусловленной взаимодействием магнитного момента неспаренного электрона с магнитным моментом ядер [18]. Перечисленные выше характеристики спектров ЭПР являются своего рода «паспортом» парамагнитного образца, по которому можно идентифицировать источник сигнала ЭПР и определить его физико-химические свойства.
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-04-13; Просмотров: 296; Нарушение авторского права страницы