Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА НА ВЕЛИЧИНУ УДЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ
Цель работы 1. Научиться определять удельное электросопротивление. 2. Изучить влияние структуры материала (на примере меди и железа) на величину удельного электросопротивления.
Приборы и инструменты 1. Двойной мост. 2. Набор образцов из меди (алюминия) и железа (армко железа или низкоуглеродистой стали).
Краткие теоретические сведения К электрическим свойствам, наиболее широко используемым для исследования материалов, в первую очередь, относятся удельная электропроводность (g) и обратная ей величина – удельное электросопротивление (r). r = 1\ g. Электропроводность металлов обусловлена движением свободных электронов, изменяющих свое состояние под воздействием электрического поля, что и приводит к возникновению результирующего тока. При своем движении поток электронов испытывает сопротивление, вызываемое флуктуациями тепловых колебаний атомов в решетке и ее несовершенствами. В сплавах существенный вклад в величину удельного электросопротивления вносят межфазные границы и области концентрационной неоднородности. Для определения удельного электросопротивления используют формулу: r = RS\L, где R – электрическое сопротивление, Ом; S – площадь поперечного сечения, м2; L – длина образца, м. Точность определения электросопротивления зависит от точности определения размеров образца, точности измерительных приборов и установок, от колебаний температуры. Электросопротивление металлического проводника определяют по формуле: Rt = R0 (1+at), где a – температурный коэффициент, aR = (dR\dt) (1\R0). Для меди: a = 2х10-31/°С. Для железа: a= 4х10-31/°С. Метод двойного моста. Этим методом можно с высокой точностью измерять малые электросопротивления (от 10-6 до 1 Ом). Принципиальная схема двойного моста представлена на рис. 15.1. Применение двойного моста для измерения малых электросопротивлений основано на том, что дополнительные сопротивления контактов и потенциальных токоподводов, связанных с образцом, не влияют на потенциалы точек f и c, к которым подсоединен нуль-гальванометр, поскольку величина промежуточных сопротивлений R1, R2, R3, R4 намного больше (больше 100 Ом) указанных дополнительных сообщений.
Рисунок 15.1 – Принципиальная схема двойного моста
Измерения проводят следующим образом. Изменяя сопротивление R1–R2, R3–R4 при эталонном RN, добиваются равенства потенциалов в точках f и c, что соответствует нулевому показанию гальванометра. В этот момент равновесия моста падение напряжения на участках af и fe должно быть соответственно равно падению напряжения на участках ac и ce. Отсюда
IxX + I2R3 = I1R1; IxX = I1R1 – I2R3 ,
INRN + I2R4 = I1R2; INRN = I1R2 – I2R,
Так как Ix = IN, то X = RN(I1R2 – I2R3) \ (I1R2 – I2R4),
Если R1 = R3 , а R2 = R4, то X = RN (R1\R2).
Равенство сопротивлений R2 и R4 достигается в приборе тем, что их изготавливают в виде магазинов сопротивления, рычаги которых соединены друг с другом, и изменение одного сопротивления вызывает соответственно такое же изменение другого. Сопротивления R1 и R3 заведомо устанавливают равными друг другу. Уравновешивание достигается регулированием величины эталонного сопротивления RN при постоянном отношении плеч R1/R2 = R3/R4 или, напротив, сохранением в процессе измерения постоянного значения RN и изменения отношения плеч. Более часто применяют мосты, в которых сохраняют в процессе измерения постоянное RN, причем уравновешивание схемы достигается изменением сопротивлений R2 и R4, тогда как R1 и R3 в процессе измерения не изменяют. Высокая точность измерения по схеме двойного моста объясняется тем, что сопротивления R1, R2, R3, R4 выбирают значительно больше сопротивлений Х и RN. Таким образом, сила тока, проходящего через ветви afe и bcd, значительно меньше, чем сила тока, проходящего через Х или RN. Поэтому небольшие изменения в сопротивлении этих ветвей за счет переменного сопротивления контактов и подводящих проводов мало сказываются на потенциалах точек f и c. Напротив, даже малые изменения сопротивления образцов будут отмечены. Они приведут к изменению потенциалов в точках b и d, а, следовательно, и в точке с, к которой подключен пульт нуль-гальванометра. Небольшие изменения сопротивления Х будут отражаться на показаниях гальванометра G и для получения его нулевого показания нужно изменить сопротивления R1 и R2. Для проверки правильности показаний моста включают вместо измеряемого сопротивления Х известное эталонное сопротивление. Если Х1 – сопротивление образца без подстановки эталона, а R1N – сопротивление эталона, то истинное сопротивление образца Хист может быть вычислено из соотношения Хист/Х = RN/R1N. Для повышения точности схемы двойного моста применяют гальванометры зеркального типа с чувствительностью порядка 10-8 или 10-9 А на 1°, используя для регистрации оптическую шкалу. Силу тока выбирают в зависимости от сопротивления измеряемого образца.
Задание 1. Изучить принципиальную схему двойного моста. 2. Определить удельное электросопротивление выбранных материалов по схеме двойного моста. 3. Полученные данные занести в протокол испытаний (табл. 15.1). 4. Сделать вывод о влиянии типа материала на удельное электросопротивление. 5. Написать отчет о проделанных исследованиях в соответствии с п.п. 2-4.
Таблица 15.1 – Протокол испытаний
Контрольные вопросы 1. Что такое удельная электропроводность? 2. Что такое удельное электросопротивление? 3. Каким методом можно измерить удельное электросопротивление? 4. Приведите схему двойного моста. Часть 3 Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-03-22; Просмотров: 1491; Нарушение авторского права страницы