|
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Логарифмический закон окисления
При образовании тонких защитных оксидных пленок на некоторых металлах (на Cu до 100°С; на Ta до 150°С; на Al, Zn при 25-225°С; на Fe до 3750С; на Ni до 6500С и др.) наблюдается большее самоторможение, чем при обычном диффузионном контроле окисления. Этим процессам соответствует логарифмический закон роста пленки:
где k3, Согласно теории Хауффе и Ильшнера, скорость образования очень тонких пленок может контролироваться переносом электронов через оксидную пленку путем туннельного эффекта. Число электронов массой m и кинетической энергией E= ½ mv2, (v - составляющая скорости в направлении, нормальном к энергетическому барьеру), проходящих сквозь прямоугольный энергетический барьер высотой U и шириной h, определяется по уравнению:
где где k5 – коэффициент пропорциональности,
где К – коэффициент, а – постоянная времени [τ -1]. Для нахождения констант в уравнении логарифмического закона (2.34) строят график в координатах h=f(lgτ ), которая для логарифмической зависимости дает прямую По теории Мотта и Кабреры, скорость переноса электронов через оксидный слой путем туннельного эффекта больше скорости переноса ионов. Слой оксида с двух сторон ограничен поверхностными зарядами (отрицательным на границе металл - газ и положительным на границе металл - оксид), между которыми образуется однородное электрическое поле. Контролирующей стадией суммарного процесса окисления является перенос ионов металла под влиянием электрического поля при высоком градиенте потенциала. Эта теория позволяет получить обратный логарифмический закон:
где k6 и С – постоянные. Уравнения 2.34, 2.38 характеризуют окисление с очень быстрым торможением, соответствующим скорости окисления: где Основные законы окисления приведены на рис. 2.7.
а б Рис.2.7. Основные законы окисления: а – начальный этап роста оксидных пленок, б – законы роста пленок. В начальный момент окисления на чистой поверхности металла рост пленки в основном определяется константой скорости химической реакции. На участке 0С кривые окисления близки к прямой 0М, тангенс угла наклона которой пропорционален скорости химической реакции. Выше точки С ход кривых определяется переходным периодом, когда диффузионное торможение мало и соизмеримо с торможением химической реакции. Здесь окисление определяется уравнением hn = knτ , где 1< n< 2. С дальнейшим утолщением пленки после точки С, ее рост приближается к чисто параболическому закону окисления h2 = k2 τ с диффузионным контролем процесса. Если пленка по достижении критической толщины h' утолщается, образуя на внешней поверхности несплошную рыхлую пленку, то, начиная с этого момента окисление идет по линейному закону h=k1τ . При окислении, по мере роста пленки, кроме её утолщения, могут появиться дополнительные причины, замедляющие скорость роста. Если замедлена встречная миграция ионов в пленке (например, из-за прекращения туннельного перехода электронов сквозь защитную пленку), начиная с момента появления дополнительного сопротивления встречной диффузии реагентов, кривая будет идти ниже и соответствовать логарифмической зависимости Разрушение защитных пленок Толщина сплошной оксидной пленки не может расти до бесконечности. Металл при образовании оксида занимает больший объем, а металл и оксид имеют разные коэффициенты термического расширения, это приводит к возникновению внутренних напряжений, являющихся причиной нарушения сплошности и растрескивания пленок. Основными причинами растрескивания защитных пленок являются: 1) колебания температуры, вызывающие возникновение внутренних напряжений из-за разных коэффициентов термического расширения плёнки и металла (рис. 2.8, 1а); 2) неравномерности металлической поверхности, приводящие к образованию отрывающего усилия из-за внутренних напряжений сжатия (рис. 2.8, 1 б); 3) образование пустот на границе раздела металлическая основа – защитная пленка из-за коагуляции вакансий, образующихся при росте пленки за счет преимущественной диффузии катионов металла; 4) механические напряжения при эксплуатации конструкции (при постоянных или переменных нагрузках, ударах и др.); 5) возникновение внутренних напряжений вследствие образования новых фаз или фазового перехода оксидной пленки, сопровождающееся изменением ее объема и различием: а) коэффициентов термического расширения различных фаз; б) межатомного взаимодействия между фазами.
1 2 Рис.2.8. Внутренние напряжения при росте пленки (1), окисление Cu при 5000С с характерными изломами параболической кривой вследствие периодических разрушений оксидной пленки (2).
Возникающие напряжения могут вызвать механические разрушения защитных пленок и привести к изменению закона окисления материала от степенного или логарифмического до линейного (рис.2.8, 2). На разрушение оксидных пленок влияет: 1) величина и характер внутренних напряжений и внешних механических нагрузок; 2) механические свойства защитной пленки (прочность и пластичность); 3) адгезия защитной пленки к металлу; 4) разность коэффициентов линейного и объемного расширения металла и пленки. На рис. 2.9 приведены основные виды разрушений при росте пленок.
Рис.2.9. Разрушения оксидных пленок при их росте. Образование пузырей (рис. 2.9, а) происходит при большой прочности пленки на разрыв и невысокой адгезии. При небольшой прочности пленки образуются пузыри с разрывом (рис. 2.9, 6), что делает пленку газопроницаемой и незащитной, под пузырем образуется новая оксидная пленка. Этот вид разрушения снижает защитные свойства оксидной пленки и может привести к изменению закона роста пленки (рис. 2.8, 2). Иногда в оксидной пленке образуются газонепроницаемые микропузыри (рис. 2.9, в), препятствующие диффузии ионов металла и тормозящие процесс окисления металла, что может привести к изменению закона роста пленки от параболического закона к степенному с показателем n> 2 или логарифмическому закону. Разрушение пленки отслаиванием (рис. 2.9, г) может происходить на неровностях поверхности металла и приводит к ускорению окисления металла аналогично изломам кривой окисления на рис. 2.8, 2. Растрескивание при сдвиге (рис. 2.9, д) происходит в пленках, имеющих высокую адгезию и набольшую прочность. При этом отрыва пленки не происходит, что не вызывает резкого увеличения скорости окисления металла, Контроль процесса изменяется от чисто диффузионного с параболическим законом роста к диффузионно-кинетическому контролю с ростом пленки по закону квадратичного уравнения Эванса (уравнение 2.25). Растрескивание на углах поверхности (рис. 2, 9, е) приводит к более быстрому окислению острых выступов и часто служит началом отслаивания оксидной пленки. Следовательно, наибольшую устойчивость имеют защитные пленки средней толщины, при которой не создается больших внутренних напряжений, но с толщиной, способной затормозить диффузию. Эти пленки, возникающие на гладкой поверхности металла, должны иметь высокую прочность, пластичность, адгезию с металлом и минимальную разницу в коэффициентах термического расширения с основой. Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-03-09; Просмотров: 1088; Нарушение авторского права страницы