П.1. Фундаментальные физические постоянные

Числовые значения констант даны с таким числом знаков, чтобы при возможном их уточнении изменение произошло не более чем на единицу в предпоследней значащей цифре.

Скорость света в вакууме

с= 2, 9979∙ 10⁸ м/с.

 

Постоянная Планка

h = 6, 62∙ 10^-34 Дж.c,

ћ = h/2π = 1, 05∙ 10^-34 Дж·c.

 

Заряд электрона

е = 1, 60∙ 10^-19 Кл,

 

Масса покоя электрона

m_e = 9, 108∙ 10^-31 кг.

 

Число Фарадея

F = eN_a = 9, 6485∙ 10⁴ Кл/моль,

где N_a – число Авогадро;

N_a = 6, 022∙ 10²³ моль^-1.

 

Постоянная Больцмана

1, 3807∙ 10^-23 Дж/ К,

где R – универсальная газовая постоянная;

R = 8, 314 Дж/(моль К).

 

Магнитная постоянная

μ ₀=12, 56·10^-7 Гн/м

 

Электрическая постоянная

ε ₀=8, 85·10^-12 Ф/м.

 

Абсолютный нуль температуры

0К = -273, 15º С.

 

 

П.2. Свойства полупроводников

Наименование параметра	Ge	Si	GaAs
Атомный номер
Атомная масса	72, 59	28, 08	72, 32
Кристаллическая структура	решетка типа алмаза	решетка типа алмаза	решетка типа цинк. обманки
Постоянная решетки, нм	0, 566	0, 543	0, 563
Концентрация атомов, 1028 м -3	4, 42	4, 99	1, 3
Плотность (при 250С), 103 кг м -3	5, 32	2, 33	5, 3
Твердость по шкале Мооса	6, 25		-
Относительная диэлектрическая проницаемость			11, 1
Показатель преломления	4, 1	3, 42	3, 4
Работа выхода, эВ	4, 78	4, 8	-
Термическая ширина запрещенной зоны, эВ экстраполированная к 0К при 300К	0, 74 0, 67	1, 21 1, 12	1, 52 1, 43
Температура плавления, º С
Температура кипения, º С			-
Теплоемкость (при 300К) Дж/(моль К)	22, 919	19, 483	-
Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1	6, 1	4, 2
Теплопроводность, Вт/м (25º С)	58, 6	83, 7
Подвижность (при 300 К) дырок, см2/(Вс) электронов, см2/(Вс)
Коэффициент диффузии (300 К) электронов, см2/с дырок, см2/с
Критическая напряженность поля для электронов, В/см для дырок, В/см			-
Критическая скорость электронов, 104 м/с дырок, 104 м/с	3, 2 2, 4	3, 3 2, 8	- -
Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом.см.		2, 3·105	-
Относительная эффективная масса электронов дырок	0, 12 0, 28	0, 26 0, 49	0, 043 0, 68
Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К), см-3	2, 5·1013	1, 5·1010	9, 21· 1013

П.3. Некоторые единицы системы СИ

Основные единицы

Величина	Символ	Наименование	Обозначение	Размерность
Длина	L	метр	м	L
Масса	m	килограмм	кг	M
Время	t	секунда	с	T
Электрический ток	I	Ампер	А	I
Температура	T	Кельвин	К	Θ
Сила света	Iv	кандела	Кд	J

 

Некоторые производные механические единицы

Величина	Символ	Наименование	Обозначение	Размерность
Плоский угол	α, β, φ	радиан	рад	–
Телесный угол	ω	стерадиан	ср	–
Площадь	S	квадратный метр	м2	L2
Объем	V	кубический метр	м3	L3
частота	f	Герц	Гц	Т -1
угловая частота	ω	радиан в секунду	рад/с	Т -1
скорость	υ	метр в секунду	м/с	LТ -1
ускорение	а	метр на секунду в квадрате	м/с2	LТ -2
угловая скорость	ω	радиан в секунду	рад/с	Т-1
Длина волны	λ	метр	м	L
Плотность	ρ	килограмм на кубический метр	кг/м3	ML-3
Работа	W	джоуль	Дж	ML2T-2
Мощность	Р	ватт	Вт	ML2T-3
Энергия	Е	джоуль	Дж	ML2T-2

 

Некоторые производные единицы электрических величин

Величина	Символ	Наименование единицы	Обозначение единицы	Размерность
Количество электричества	Q	кулон	Кл	TI
Напряженность эл. поля	E	вольт на метр	В/м	LMT -3I -1
Электрический потенциал	V	вольт	В	L2MT -3I -1
Емкость	C	фарада	Ф	L-2M-1T4I2
Сопротивление	R	Ом	Ом	L2MT -3I -2
Удельное сопротивление	ρ	Ом∙ метр	Ом·м	L3MT -3I -2
Проводимость	G	сименс	См	L-2M-1T3I2
Удельная проводимость	γ	сименс на метр	См/м	L-3M-1T3I2
Плотность тока	j	ампер на квадратный метр	А/м2	L -2I
Электрическая мощность	P	Ватт	Вт	L2MT -3
Электрическая энергия	W	Джоуль	Дж	L2MT -2
диэлектрическая проницаемость относительная	ε	–	–	–

 

Некоторые производные единицы магнитных величин

Величина	Символ	наименование единиц	обозначение единиц	Размерность
напряженность магнитного поля	H	ампер на метр	А/м	L -1I
магнитный поток	Ф	вебер	Вб	L 2MT -2I -1
магнитная индукция	В	тесла	Тл	MT -2I -1
магнитная проницаемость, относительная	μ	–	–	–
индуктивность	L	генри	Гн	L 2MT -2I -2
взаимная индуктивность	M	генри	Гн	L 2MT -2I -2
магнитное сопротивление	R	ампер на вебер	А/Вб	L2M -1T 2I 2
намагниченность	J	ампер на метр	А/м	L -1I

П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению

Величина	Символ	Наименование единиц	обозначение единиц	Размерность
Объем	V	литр	л	L3
Плоский угол	α, β	градус минуты секунда	º ‘ “	- - -
Время	t	минута час	мин ч	Т Т
Температура	t	градус Цельсия	º С	Θ
Энергия	E	электрон вольт	эВ	L 2MT -2

П.5. Плотность некоторых твердых тел

Твердое тело	Плотность, 103/м3
Алюминий Висмут Вольфрам Железо (чугун, сталь) Золото Каменная соль Латунь Марганец Медь Никель Платина Свинец Серебро Уран	2, 70 9, 80 19, 3 7, 87 19, 3 2, 20 8, 55 7, 40 8, 93 8, 80 21, 4 11, 3 10, 5 18, 7

Библиографический список

1. Раннев, Г.Г. Методы и средства измерений / Г.Г. Раннев, А.П. Тарасенко. – М.: ИЦ «Академия», 2003. – 336с.

2. Физический практикум / А.М. Сарженский и др. – М.: изд-во «Университетское», 1986. – 352с.

3. Павлов, П.В. Физика твердого тела / П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. – М.: Высшая школа, 2000. – 366с.

4. Викулин, И.М. Физика полупроводниковых приборов / И.М. Викулин, В.Н. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264с.

5. Епифанов, Г.И. Физика твердого тела / Г.И. Епифанов. – М.: Высшая школа, 1977. – 288с.

6. Епифанов, Г.И. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА / Г.И. Епифанов, Ю.А. Мома. – М.: Сов. радио, 1979. – 352с.

7. Физика твердого тела: Лабораторный практикум. / под. ред. А.Ф. Хохлова, том 1. – М.: Высшая школа, 2001. – 364с.

8. Степаненко, И.И. Основы микроэлектроники / И.И. Степаненко. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. – 488с.

9. Чертов, А.Г. Задачник по физике / А.Г. Чертов, А.А. Воробьев. – М.: изд. физ.-мат. литературы, 2003. – 640с.

10. Терехов, В.А. Задачник по электронным приборам / В.А. Терехов. – М.: Энергоиздат, 1983. – 280с.

11. Головко, О.П. Физические основы электронной техники в примерах и задачах / О.П. Головко. – К.: УКМВО, 1990. – 52с.

12. Коровин, Н.В. Общая химия / Н.В. Коровин. – М.: Высшая школа, 2003. – 557 с.

13. Пихтин А.И. Оптическая и квантовая электроника / А.И. Пихтин – М.: Высш. шк., 2001 – 577 с.

Учебное издание

 

Игумнов Владимир Николаевич

 

 

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

 

практикум

 

 

Редактор

Компьютерный набор

Компьютерная верстка

Корректор

 

 

Подписано в печать. Формат 60× 84 ¹/₁₆.

Бумага. Печать офсетная.

Усл.п.л.. Уч.-изд.л..

Тираж экз. Заказ №. С-.

 

Марийский государственный технический университет

424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3

 

Отдел оперативной полиграфии

Марийского государственного технического университета

424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17

⇐ Предыдущая891011121314151617

Поделиться: