Определим параметры элементов схемы (параметры резисторов R1 и R2).

⇐ ПредыдущаяСтр 10 из 10

Для получения фиксированного напряжения смещения на базе транзистора применяется резисторный делитель напряжения, а конкретные значения величин R1 и R2 выбираются исходя из необходимой величины . Эта схема называется схемой стабилизации с фиксированным напряжением смещения базы. Выберите ток делителя I_Д, протекающий через R2, из условия I_Д = (5- 10) I_Б0 и определите величины сопротивлений резисторов R1, R2:

, .

Найдем эквивалентное сопротивление резистивного делителя в цепи базы R_Б=R1R2/(R1+R2)=84 Ом.

Графически определяем малосигнальные h-параметры транзистора в окрестностях рабочей точки

При работе транзисторов в качестве усилителей малых электрических сигналов, свойства транзисторов определяются с помощью, так называемых, h – параметров. Всего h – параметров четыре: h₁₁, h₁₂, h₂₁ и h₂₂. Они связывают входные и выходные токи и напряжения транзистора и определяются для схемы ОЭ, рис.6.15, б, по следующим выражениям:

h₁₁ = ∆ U_ВХ/∆ I_ВХ = ∆ U_БЭ/∆ I_Бпри неизменном напряжении. U_ВЫХ = U_КЭ = const.

Параметр h₁₁ численно равен входному сопротивления схемы ОЭ. Знак ∆ обозначает приращение соответствующей величины тока или напряжения.

h₁₂ = ∆ U_ВХ/∆ U_ВЫХ = ∆ U_БЭ/∆ U_КЭ при I_Б = const.

Параметр h₁₂ равен коэффициенту обратной связи по напряжению.

h₂₁ = ∆ I_ВЫХ/∆ I_ВХ = ∆ I_К/∆ I_Б при U_КЭ = const.

Параметр h₂₁ равен коэффициенту прямой передачи по току.

h₂₂ = ∆ I_ВЫХ/ ∆ U_ВЫХ = ∆ I_К/∆ U_КЭ при I_Б = const.

Параметр h₂₂ равен выходной проводимости транзистора.

Значения h – параметров можно найти с помощью входных и выходных характеристик транзистора. Параметры входной цепи h₁₁ и h₁₂ определяют по входным характеристикам транзистора, рис.6.16. Рабочая точка А определяется при пересечении линии нагрузки с входной характеристикой транзистора при U_КЭ = - 5 В. В результате чего имеем U_КЭ0 = 0, 43 В, I_Б0 = 0, 48 mА. В данной рабочей точке задаем приращение тока базы ∆ I_Б при постоянном напряжении коллектора U_КЭ = - 5 В и находим получающееся при этом приращение напряжения базы ∆ U_БЭ. Тогда входное сопротивление транзистора равно

h₁₁ = ∆ U_БЭ/∆ I_Б = 0, 1 В/ 0, 3 mА = 333 Ом.

Затем при постоянном токе базы I_Б = 0, 48 mА задаем приращение напряжения коллектора ∆ U_КЭ = 5 В и определяем получающееся при этом приращение напряжения базы ∆ U_БЭ= 0, 25 В. Тогда коэффициент обратной связи по напряжению равен

h₁₂ = ∆ U_БЭ/∆ U_КЭ= 0, 25 /5 = 0, 05.

Параметры h₂₁ и h₂₂ определяют по выходным характеристикам транзистора, рис.6.17. В районе рабочей точки А (I_Б = 0, 48 mА, U_КЭ = - 5 В) при постоянном токе базы I_Б = 5 mА задаем приращение коллекторного напряжения ∆ U_КЭ = 5 В и находим при этом приращение тока коллектора ∆ I_К2 = 5 mА. Тогда выходная проводимость транзистора равна

h₂₂ = ∆ I_К2/∆ U_КЭ = 5 mА /5 В = 1, 0 мСм.

Далее при постоянном напряжении коллектора U_КЭ= 5 В задаем приращение тока базы ∆ I_Б = 0, 2 mА и определяем получающееся при этом приращение тока коллектора ∆ I_К1 = 20 mА. Тогда коэффициент передачи по току равен

h₂₁ = ∆ I_К1/∆ I_Б = 20 mА / 0, 2 mА = 100.

Определим основные параметры усилительного каскада.

Входное сопротивление усилительного каскада равно:

R_ВХ=R_Бh₁₁/(R_Б+h₁₁)= 1800^.89/(1800+89)=84, 8 Ом.

Выходное сопротивление усилительного каскада равно:

Коэффициент усиления по напряжению:

Величина амплитуды выходного напряжения усилительного каскада

U_ВЫХ = К_U U_ВХ = 27, 3·0, 1 = 2, 73 В.

Вопросы к экзамену по разделу Основы Электронике

Первый список

1. Зонная структура собственного полупроводника. Что такое валентная зона? Что такое зона проводимости? Что такое запрещенная зона? Проводимость собственного полупроводника.

2. Зонная структура и проводимость акцепторного полупроводника..

3. Зонная структура и проводимость донорного полупроводника Что такое основные носители? Что такое не основные носители? Механизм генерации неосновных носителей заряда.

4. Технология изготовления p-n - перехода. Образование p-n - перехода. Основные параметры p-n - перехода.

5. P-n- переход в равновесном состоянии. Потенциальный барьер? Токи через п-р переход?

6. P-n переход смещенный в прямом направлении? Потенциальный барьер? Токи через p-n - переход.

7. . P-n - переход смещенный в обратном направлении? Потенциальный барьер? Токи через п-р переход?

8. ВАХ идеального и реального p-n - перехода.

9. Диод. Типы диода. Условные обозначения. Рабочая схема диода. Вольт – амперная характеристика диода. Ее отличия от идеальной вольт – амперной характеристики.

10. Лавинный пробой. Механизм развития. Тепловой пробой. Емкости п-р – перехода.

11. Выпрямительные диоды. Принцип работы, УГО, основные параметры и характеристики.

12. Стабилитроны и стабисторы. Принцип работы, УГО, основные параметры и характеристики.

13. Варикапы. Принцип работы, УГО, основные параметры и характеристики.

14. Тунельные и обращенные диоды. Принцип работы, УГО, основные параметры и характеристики.

15. Параметры и маркировка диодов.

16. Биполярный транзистор.Типы транзистора. Схемы включения.

17. Принцип действия, токи транзистора.

18. Входные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

19. Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

20. Предельно-допустимые параметры транзисторов. Маркировка.

21. Полевые транзисторы. Типы транзисторов. Устройство принцип действия. Назначение. Вольтамперная характеристика. Параметры. Маркировка

22. Тиристоры. Типы тиристоров. Устройство принцип действия. Назначение. Вольтамперная характеристика. Параметры. Маркировка.

23. Оптоэлектронные приборы. Фотоприемники.

24. Оптоэлектронные приборы. Светоизлучающие приборы

5. 19. Микросхемы. Классификация, маркировка назначение.

25. Вторичные источники тока. Блок-схема, назначение.

26. Полупроводниковые выпрямители. Электрические схемы и принцип работы выпрямителя. Электрические фильтры.

27. Стабилизаторы напряжения и тока.

28. Тиристорные преобразователи.

29. Классификация и принцип действия усилителей переменного тока.

30. Анализ работы однокаскадного усилителя.

31. Обратные связи. Их влияние на параметры усиления.

32. Многокаскадные усилители.

33. Усилители постоянного тока. Операционный усилитель.

34. Линейные устройства на ОУ.

35. Аналоговые компараторы напряжений. Устройство и принцип действия. Характеристики компараторов.

36. Аналого-цифровые преобразователи. Принцип действия. Применение АЦП.

37. Цифро-аналоговые преобразователи. Принцип действия. Применение ЦАП

38. Автогенераторы, LC - типа и генераторы RC- типа.

39. Транзисторный ключ.

40. Логические операции и способы их аппаратной реализации.

41. Логические схемы.

42. Микропроцессор.

Второй список вопрсов

1. Собственная и примесная проводимость полупроводников, типы электрических переходов.

2. Образование и параметры p-n перехода.

3. P-n переход при подаче внешнего напряжения

4. Виды пробоя в р-п переходе

5. Вольт – амперная характеристика р-п перехода, реальная и теоретическая.

6. Выпрямительные диоды

7. Стабилитроны и стабисторы

8. Высокочастотные диоды

9. Импульсные, ДНЗ, туннельные и обращенные диоды

10. Диоды с барьером Шоттки.

11. Варикапы

12. Диоды СВЧ

13. Параметры и система обозначений диодов.

14. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов

15. Режимы работы биполярного транзистора.

16. Токораспределение в биполярном транзисторе

17. Коэффициенты передачи БТ по току, напряжению и мощности в различных схемах включения, их взаимосвязь.

18. Эквивалентные схемы БТ, их разновидности.

19. Схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК, сравнение параметров

20. Статические вольт-амперные характеристики транзистора с ОБ и ОЭ.

21. Транзистор как четырехполюсник, Z, Y, H параметры.

22. Определение Н-параметров биполярного транзистора по статическим характеристикам.

23. Работа БТ с нагрузкой, рабочая точка.

24. Частотные свойства БТ, способы улучшения быстродействия

25. Дрейфовые транзисторы, их разновидности.

26. Особенности работы БТ в режиме переключения.

27. Зависимость параметров и характеристик БТ от температуры.

28. Система обозначений БТ, их классификация.

29. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-п переходом, их статические характеристики и параметры.

30. Определение параметров ПТ по статическим характеристикам

31. Классификация ПТ, основные характеристики, сравнение с биполярными транзисторами

32. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.

33. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом.

34. Параметры и температурные свойства полевых транзисторов.

35. Тиристоры, диодные и триодные, принцип действия, основные параметры и характеристики,.Симисторы.

36. Фотоэлектронные приборы: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, фотогальванические элементы.Приборы с зарядовой связью (ПЗС).

37. Индикаторные приборы. Светодиоды, электролюминисцентные конденсаторы, ЖКИ, ЭЛТ.

38. Оптроны, их разновидности, сравнительные характеристики.

39. Усилительные устройства, общие характеристики и параметры.

40. Методы задания режима и стабилизации положения рабочей точки каскадов на БТи ПТ.

41. Графоаналитический расчет усилительного каскада.

42. Аналитический расчет усилителей на БТ и ПТ для 3-х схем включения.

43. Многокаскадные усилители, виды межкаскадных связей.

44. Эквивалентные схемы усилительных каскадов с RC-связями в области нижних, средних и верхних частот, их анализ.

45. Усилители постоянного тока, их разновидности.

46. Дифференциальный каскад.назначение, параметры, характеристики, схемы построения.

47. Операционные усилители (ОУ) и их основные схемы применения.

48. Понятие обратной связи в усилителе. Виды обратных связей.

49. Влияние обратной связи на параметры и характеристики усилителей.

50. Выходные каскады усилителей, их работа в режимах класса: А, В, АВ.

Трансформаторные и бестрансформаторные каскады усилителей мощности, их разновидности, схемотехника, нелинейные искажения.

51.Ключи на биполярных транзисторах, передаточная характеристика, параметры быстродействия.

52 Схемы ключей с повышенным быстродействием: ненасыщенные ключи, ключи с форсирующей емкостью, ключи на транзисторах Шоттки.

53. Схемы ключей на полевых транзисторах.

54 Ключи на комплементарных парах КМОП (КМДП)-структуры.

55 Логические схемы. Классификация, основные параметры и характеристик логических элементов.

56 Логические элементы и выполняемые ими функции.

57 Анализ логических выражений с помощью карт Карно

58 Базовые элементы РТЛ и ДТЛ

59 ТТЛ – базовый логический элемент.

60 ТТЛ с открытым коллектором, схемы расширителей

61 Схемы ТТЛ с расширенными функциями (И-ИЛИ-НЕ)

62 Схемы и параметры ЭСЛ, их функционирование, быстродействие.

63 Транзисторно-транзисторная логика Шоттки (ТТЛШ)

64 Интегральная инжекционная логика (ИИЛ)

65 Логические элементы МДП с резистивной нагрузкой.

66 Логические схемы на комплементарных парах полевых транзисторов (КМОП-КМДП-структуры)

67 Анализ работы простейшего мультивибратора на БТ с коллекторно-базовыми связями

68 Способы улучшения быстродействия мультивибраторов на БТ

69 Мультивибраторы на основе базовых логических элементов

70 Мультивибраторы на основе ОУ

71 Ждущие мультивибраторы

72 Генераторы линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН), их разновидности, способы улучшения линейности напряжения

73 Активные фильтры, их разновидности, схемы построения, параметры и характеристики

74 Генераторы линейно-изменяющегося тока

75 Триггеры, назначение, параметры, характеристики

76 Асинхронные триггеры RS, E, JK, D- типа

77 Синхронные триггеры RS, D, JK- типа

78 Динамический D- триггер

79 Двухступенчатые триггеры, их разновидности

80 Счетный режим работы триггеров (Т-триггеры)

81 ЦАП с весовыми резисторами

82 ЦАП с делителем R-2R

83 АЦП последовательного счета

84 АЦП двойного интегрирования

85 АЦП с поразрядным взвешиванием

86 АЦП параллельного типа

87 Компараторы, принцип работы, разновидности, схемы построения

88 Источники питания. Выпрямители, пассивные и активные фильтры. Стабилизаторы напряжения и тока, их схемная реализация

89 Импульсные источники питания, источники питания с бестрансформаторным входом

90 Преобразователи напряжения, умножители напряжения

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910